Lacke/Fotolacke für Galvanik

AZ® 15nXT - Negativ Dicklack


Wir bieten zwei Varianten des AZ® 15nXT Photoresist (AZ® 15nXT (450CPS) und AZ® 15nXT (115CPS)) an. Der Hauptunterschied zwischen diesen zwei Produkten ist ihre Viskosität.

Hier die Parameter im direkten Vergleich:

Schichtdickenbereich und Belichtung

AZ® 15nXT (450CPS)

Substrat: Si wafer for photospeed testing; Cu wafer for imagesFilm
Schichtdicke:
10 µm
Softbake: 110°C / 180 sec.
UV-Empfindlichkeit:
i-line (Dose = 400 ± 50 mJ/cm²; Focus: 1 ± 0,5 µm
PEB: 120°C / 60 sec.
Gebindegrößen: 100 ml, 250 ml, 500 ml, 1.000 ml und 3.78 L (Gallonen)
Haltbarkeit: Übersicht kritischer Haltbarkeiten

AZ® 15nXT (115 CPS)

Substrat: Si wafer for photospeed testing; Cu wafer for images
Schichtdicke: 6 µm
Softbake: 110°C / 120 sec.
UV- Empfindlichkeit: i-line (Dose = 300 ±50 mJ/cm²; Focus: 1 ± 0,5 µm
PEB: 120°C / 60 sec.
Gebindegröße: auf Anfrage
Haltbarkeit: Übersicht kritischer Haltbarkeiten

Allgemeine Informationen

AZ® 15 nXT ist ein Negativlack für Schichtdicken bis ca. 30 µm. Seine Quervernetzung und sehr gute Lackhaftung macht ihn für alle üblichen Galvanik-Anwendungen stabil. Bis etwa 10 µm Lackschichtdicke sind die Lackflanken senkrecht, bei größeren Schichtdicken zunehmend negativ (unterschnitten) so dass sich die abgeformten Metallstrukturen nach oben hin verjüngen.

Herausragende Eigenschaften

  • 5 - 30 µm Lackschichtdicke mittels Einfachbelackung
  • Wässrig alkalisch entwickelbar (z. B. AZ® 326/ 726/ 826 MIF)
  • Sehr gute Lackhaftung, kein Unterwachsen der Lackstrukturen
  • Kompatibel mit vielen Substratmaterialien wie Cu, Au, Ti, NiFe, …
  • Geeignet für nahezu alle üblichen Galvanik-Bäder für Cu, Ni, Au, ...
  • Nasschemisch entfernbar

Entwickler

Wir empfehlen die TMAH-basierten Entwickler AZ® 326 MIF Developer, AZ® 726 MIF Developer oder AZ® 826 MIF Developer.

Entfernen der Lackschicht

Der für den AZ® 15nXT optimierte Stripper ist der NMP-freie, ungiftige und mit allen gängigen, auch alkalisch empfindlichen Substratmaterialien kompatible TechniStrip NI555, welcher auch quervernetzte Lackschichten auflösen, nicht nur ablösen vermag.

Lösemittel wie NMP oder das ungiftige DMSO sind zum Entfernen der Fotolackschicht dann geeignet, wenn die Lackschichtdicke und der Quervernetzungsgrad der Lackschicht nicht zu groß sind.

Grundsätzlich empfiehlt sich bei sehr dicken oder stärker quervernetzten Lackschichten ein Erwärmen des Removers auf 60 - 80°C, evtl. unterstützt im Ultraschallbad.

Technisches Datenblatt:

Das technische Datenblatt mit weiteren Informationen finden Sie hier:
> AZ® 15 nXT (450 CPS)
>
AZ® 15 nXT (115 CPS)
>
AZ® 15nXT (450CPS) (Info)

 

Fotolithografie Anwendungshinweise

Eine große Anzahl an Dokumenten zu theoretischem und praktischem Hintergrund aller Schritte der Mikrostrukturierung haben wir hier als pdf zum Download gelistet:
> Technische Info

5 µm Stege bei 10 µm Lackschichtdicke
5 µm Öffnungen bei 10 µm Lackdicke
5 µm breite galvanisierte CuNi Stege
3.6 µm breite galvanisierte CuNi Stege

AZ® 125 nXT - Ultra-Dick Negativ Lack

Allgemeine Informationen

AZ® 125 nXT ist ein Negativlack für Schichtdicken bis über 100 µm bei gleichzeitig sehr hoher Flankensteilheit. Seine Quervernetzung und sehr gute Lackhaftung macht ihn in für alle üblichen Galvanik-Anwendungen stabil. Dieser Lack benötigt keinen post exposure bake oder Pausen zwischen den Prozessschritten (wie z. B. eine Rehydrierung vor oder Wartezeit zum Ausgasen nach dem Belichten), so dass sich die Prozessierung sogar noch einfacher als mit Positivlacken gestaltet.

Gebindegrößen: 100 ml, 250 ml, 500 ml, 1000 ml, 2,5 L und 3,78 L

Herausragende Eigenschaften

  • i-line, 30 - 100 µm Lackschichtdicke via Einfachbelackung
  • 1 mm Lackschichtdicke und darüber möglich
  • Wässrig alkalisch entwickelbar (z. B. AZ® 326/726/826 MIF)
  • Kein post exposure bake, photopolymerisiert beim Belichten
  • Keine Rehydrierung notwendig, keine N2-Bildung beim Belichten
  • Sehr gute Lackhaftung, kein Unterwachsen der Lackstrukturen
  • Nasschemisch entfernbar (z. B. mit dem TechniStrip P1316)
  • Optimiert für die Galvanik, nass- und trockenchem. Ätzen

Entwickler

Wir empfehlen die TMAH-basierten Entwickler AZ® 326 MIF Developer, AZ® 726 MIF Developer oder AZ® 826 MIF Developer.

Entfernen der Lackschicht

Der für den AZ® 125 nXT optimierte Stripper ist der NMP-freie TechniStrip P1316, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien der TechniStrip P1331 oder TechniStrip MLO07. Lösemittel wie NMP oder das ungiftige DMSO sind zum Entfernen der Fotolackschicht dann geeignet, wenn die Lackschichtdicke und der Quervernetzungsgrad der Lackschicht nicht zu groß sind.

Grundsätzlich empfiehlt sich bei sehr dicken oder stärker quervernetzten Lackschichten ein Erwärmen des Removers auf 60 - 80°C, evtl. unterstützt im Ultraschallbad.

60 und 120 µm hohe AZ® 125 nXT Lackstrukturen und damit abgeformte Metallstrukturen

Technisches Datenblatt:

Das technische Datenblatt mit weiteren Informationen finden Sie hier:
> AZ®_125nXT (TDS)
> Info AZ® 125nXT (Info)

 

Fotolithografie Anwendungshinweise

Eine große Anzahl an Dokumenten zu theoretischem und praktischem Hintergrund aller Schritte der Mikrostrukturierung haben wir hier als pdf zum Download gelistet:
> Technische Info

20 µm Stege bei 60 µm Lackschichtdicke
15 µm Öffnungen bei 60 µm Lackdicke
80 µm galvanisierte CuNi Stege
Abbildungen aus: AZ® 15 nXT und 125 nXT Product Data Sheet of AZ-EM.

AZ® 40 XT

Chemisch verstärkter Fotolack, dick

Allgemeine Informationen

AZ® 40 XT ist ein chemisch verstärkter ultradicker Positivlack, dessen Einsatzbereich bei Schichtdicken um 20 - 30 µm beginnt, wo mit herkömmlichen Dicklacken die Prozesszeiten aufgrund langer Wartezeiten zur Rehydrierung oder N2-Freisetzung unzumutbar lang werden.

Der AZ® 40 XT benötigt auch bei dicken Lackschichtdicken nur kurze Softbakezeiten, keine Wartezeit zur Rehydrierung, aufgrund seiner chemischen Verstärkung sehr geringe Lichtdosen, und entwickelt sehr zügig, so dass die Prozesszeiten selbst bei sehr großen Lackschichtdicken deutlich kürzer sind als bei herkömmlichen Dicklacken.

Zwei Dinge sind beim AZ® 40 XT zu beachten:

  • Der Softbake sollte mit einer Temperaturrampe ('Proximity Hotplate' oder Temperaturprofil auf einer Kontakt-Hotplate) starten um Bläschenbildung bei Softbake zu vermeiden.
  • Der AZ® 40 XT benötigt zur Vollendung der Fotoreaktion zwingend einen Post Exposure Bake (einen Backschritt nach dem Belichten) um entwickelbar zu werden.

Gebindegrößen: 100 ml, 250 ml, 500 ml, 1000 ml, 2,5 L und 3,78 L

Herausragende Eigenschaften des AZ® 40 XT

  • i-line, 15 - 100 µm Lackschichtdicke via Einfachbelackung
  • Wässrig alkalisch entwickelbar (z. B. AZ® 326/726/826 MIF)
  • Keine Rehydrierung notwendig, keine N2-Bildung beim Belichten
  • Sehr gute Lackhaftung, sehr steile Lackflanken
  • Nass- und trockenchemisch entfernbar
  • Optimiert für die Galvanik, nass- und trockenchem. Ätzen

Technisches Datenblatt:

Das technische Datenblatt mit weiteren Informationen finden Sie hier:
> AZ® 40XT (TDS)


 

Fotolithografie Anwendungshinweise

Eine große Anzahl an Dokumenten zu theoretischem und praktischem Hintergrund aller Schritte der Mikrostrukturierung haben wir hier als pdf zum Download gelistet:
> Technische Info

 

Fotolithografie Anwendungshinweise

Eine große Anzahl an Dokumenten zu theoretischem und praktischem Hintergrund aller Schritte der Mikrostrukturierung haben wir hier als pdf zum Download gelistet:
> Technische Info

®AZ, das AZ Logo, BARLi und Aquatar sind eingetragene Markenzeichen der Firma Merck Performance Materials GmbH.