Reinheitsgrade

MOS, VLSI, ULSI und SLSI Qualität

MOS
metal oxide semiconductor

Metallionenkonzentration je Fremdelement ca. 100 ppb, Partikelkonzentration < 1.000/ml

VLSI
very large scale integration

Metallionenkonzentration je Fremdelement ca. 10-50 ppb, Partikelkonzentration < 250/ml

ULSI
ultra large scale integration

Metallionenkonzentration je Fremdelement ca. 10 ppb, Partikelkonzentration < 30-100/ml

SLSI
super large scale integration

Metallionenkonzentration je Fremdelement ca. 1 ppb, Partikelkonzentration < 30-100/ml

PPM, PPB und PPT

1 ppm (parts per million, 10-6) entspricht ungefähr einem Tropfen (ca. 30 µl) in einem großen Eimer.

1 ppb (parts per billion, 10-9) repräsentiert einen Tropfen in einem kleinen Swimming-Pool.

1 ppt (parts per trillion, 10-12) wäre ein Tropfen in einem kleinen See, oder ein 5 µm Partikel, aufgelöst in einer Kaffeetasse, oder immerhin noch ca. 100.000 Atome in einem Tropfen!

Wie „sauber“ ist sinnvoll?

Der sinnvolle Reinheitsgrad von Prozesschemikalien richtet sich u. a. nach der zu realisierenden Strukturgröße (laterale Auflösung), der erforderlichen Ausbeute, der Reinraumklasse und den nachfolgenden Prozessschritten.Eine definitive Aussage über den erforderlichen Reinheitsgrad für einen bestimmten Prozess kann schon deshalb nicht gemacht werden, da sich suboptimale Prozessergebnisse selten eindeutig mit dem Reinheitsgrad der verwendeten Prozesschemikalien korrelieren lassen.Mit VLSI- und ULSI-Qualität entsprechen wir nahezu allen Anforderungen im Bereich F & E als auch Produktion.

®AZ, das AZ Logo, BARLi und Aquatar sind eingetragene Markenzeichen der Firma Merck Performance Materials GmbH.