CZ-Si wafer 3 inch 640 um (100) SSP P-doped
Prime CZ-Si wafer 640 µm 100
| Anzahl | Stückpreis |
|---|---|
| Bis 4 |
33,50 €
|
| Bis 9 |
23,80 €
|
| Bis 24 |
19,00 €
|
| Bis 49 |
14,00 €
|
| Bis 99 |
13,00 €
|
| Bis 199 |
12,00 €
|
| Bis 499 |
11,00 €
|
| Bis 999 |
10,00 €
|
| Ab 1000 |
9,00 €
|
Schicken Sie uns eine Anfrage bei Fragen zu Artikeln, zur Abnahmemenge, Lieferzeit oder bei einer Musteranfragen!
Lagerbestand:
7066
Produktnummer:
WSD30640250P1314SNN1
Beschreibung
Produktinformationen "CZ-Si wafer 3 inch 640 um (100) SSP P-doped"
Prime CZ-Si wafer 3 inch, thickness = 640 ± 25 µm, (100), 1-side polished, n-type (Phosphor) TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, 2 flats, surface roughness < 1 nm