CZ-Si wafer 3 inch 640 um (100) SSP P-doped
Prime CZ-Si wafer 640 µm 100
| Anzahl | Stückpreis |
|---|---|
| Bis 4 |
33,50 €*
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| Bis 9 |
23,80 €*
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| Bis 24 |
19,00 €*
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| Bis 49 |
14,00 €*
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| Bis 99 |
13,00 €*
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| Bis 199 |
12,00 €*
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| Bis 499 |
11,00 €*
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| Ab 500 |
10,50 €*
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Lagerbestand:
2734
Produktnummer:
WSD30640250P1314SNN1
Produktinformationen "CZ-Si wafer 3 inch 640 um (100) SSP P-doped"
Prime CZ-Si wafer 3 inch, thickness = 640 ± 25 µm, (100), 1-side polished, n-type (Phosphor) TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, 2 flats, surface roughness < 1 nm