Fotolacke

AZ® 10XT (220CPS) Dicklack für hohe Auflösung   Allgemeine Informationen Der AZ® 10XT ist ein i-und h-line (nicht g-line!) empfindlicher positiver Dicklack, als Nachfolger des AZ® 9260 mit diesem weitgehend baugleich, jedoch mit anderem Tensid. Der AZ® 10XT ist im Gegensatz zum ähnlich lautenden AZ® 12XT nicht chemisch verstärkt.   3.0 µm lines in 12 µm thick AZ® 10XT Ultratech 1500 Exposure, AZ® 400K Developer 1:4 (260s spray)   Produkteigenschaften Der AZ® 10XT weist nicht nur eine optimierte Lackhaftung auf gängigen Substratmaterialien, sondern auch das Potenzial sehr steiler Lackflanken und hoher Aspektverhältnisse auf. Entsprechend wird der AZ® 10XT häufig in der Galvanik, der Ionenimplantation oder zum Trockenätzen/RIE eingesetzt. Der AZ® 10XT erzielt bei 4000 U/min Schleuderdrehzahl ca. 6 µm Lackschichtdicke, mit entsprechend angepasstem Schleuderprofil lässt sich der Lackschichtdickenbereich von ca. 4.5 - 20 µm abdecken. Falls dünnere Lackschichten gewünscht sind, kann der AZ® 10XT mit PGMEA verdünnt werden, alternativ kommt für viele Prozesse auch der dünnere AZ® 4533 in Frage. Ab ca. 10 - 15 µm Lackschichtdicke gestaltet sich die Prozessierung des AZ® 10XT zunehmend zeitaufwendig: Der Softbake und die spätere Entwicklung dauern länger, für die Rehydrierung zwischen Softbake und Belichtung wird immer mehr Zeit benötigt, und die Gefahr der Bildung von Stickstoffbläschen beim Belichten nimmt zu. Für Lackschichtdicken größer 10 µm empfiehlt es sich, die Verwendung eines chemisch verstärkten Dicklacks wie dem AZ® 12XT (5 - 20 µm Lackschichtdicke) oder AZ®IPS 6090 (> 20 µm Lackschichtdicke) in Erwägung zu ziehen, welche bei entsprechender Lackdicke deutlich kürzere Softbake- und Entwicklungsdauern aufweisen, keine Rehydrierung sowie deutlich geringere Lichtdosen benötigen, und keinen Stickstoff beim Belichten freisetzen. Entwickler Zur Entwicklung empfehlen sich entweder TMAH-basierte Entwickler wie die ready-to-use AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF, oder der KOH-basierte AZ® 400K 1:4 (typ. 1 : 4 verdünnt mit Wasser, für schnellere Entwicklung auch mit 1 : 3.5 oder 1 : 3 etwas schärfer angesetzt). Auf alkalisch empfindlichen Substratmaterialien wie Aluminium empfiehlt sich der Aluminium-kompatible, unverdünnte AZ® Developer. Remover Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140 °C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07. Verdünnung / Randwallentfernung Falls der Lack für die Schleuderbelackung verdünnt werden soll, käme grundsätzlich PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® 10 XT dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zur Randwallentfernung.     Weitere Informationen Unsere Sicherheitsdatenblätter und manche unserer Technischen Datenblätter sind passwortgeschützt. Die Zugangsdaten erhalten Sie nach dem Ausfüllen des Formulars. Bei den Zugangsdaten für die Datenblätter handelt es sich nicht um Ihre Login-Daten von unserem Shop! MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 10XT (220cps) englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 10XT (220cps) deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 10XT (220cps) englisch Anwendungshinweis: Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung

AZ® 10XT (520CPS) Dicklack für hohe Auflösung   Allgemeine Informationen Der AZ® 10XT ist ein i-und h-line (nicht g-line!) empfindlicher positiver Dicklack, als Nachfolger des AZ® 9260 mit diesem weitgehend baugleich, jedoch mit anderem Tensid. Der AZ® 10XT ist im Gegensatz zum ähnlich lautenden AZ® 12XT nicht chemisch verstärkt.   3.0 µm lines in 12 µm thick AZ® 10XT Ultratech 1500 Exposure, AZ® 400K Developer 1:4 (260s spray)   Produkteigenschaften Der AZ® 10XT weist nicht nur eine optimierte Lackhaftung auf gängigen Substratmaterialien, sondern auch das Potenzial sehr steiler Lackflanken und hoher Aspektverhältnisse auf. Entsprechend wird der AZ® 10XT häufig in der Galvanik, der Ionenimplantation oder zum Trockenätzen/RIE eingesetzt. Der AZ® 10XT erzielt bei 4000 U/min Schleuderdrehzahl ca. 6 µm Lackschichtdicke, mit entsprechend angepasstem Schleuderprofil lässt sich der Lackschichtdickenbereich von ca. 4.5 - 20 µm abdecken. Falls dünnere Lackschichten gewünscht sind, kann der AZ® 10XT mit PGMEA verdünnt werden, alternativ kommt für viele Prozesse auch der dünnere AZ® 4533 in Frage. Ab ca. 10 - 15 µm Lackschichtdicke gestaltet sich die Prozessierung des AZ® 10XT zunehmend zeitaufwendig: Der Softbake und die spätere Entwicklung dauern länger, für die Rehydrierung zwischen Softbake und Belichtung wird immer mehr Zeit benötigt, und die Gefahr der Bildung von Stickstoffbläschen beim Belichten nimmt zu. Für Lackschichtdicken größer 10 µm empfiehlt es sich, die Verwendung eines chemisch verstärkten Dicklacks wie dem AZ® 12XT (5 - 20 µm Lackschichtdicke) oder AZ® IPS 6090 (> 20 µm Lackschichtdicke) in Erwägung zu ziehen, welche bei entsprechender Lackdicke deutlich kürzere Softbake- und Entwicklungsdauern aufweisen, keine Rehydrierung sowie deutlich geringere Lichtdosen benötigen, und keinen Stickstoff beim Belichten freisetzen. Entwickler Zur Entwicklung empfehlen sich entweder TMAH-basierte Entwickler wie die ready-to-use AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF, oder der KOH-basierte AZ® 400K 1:4 (typ. 1 : 4 verdünnt mit Wasser, für schnellere Entwicklung auch mit 1 : 3.5 oder 1 : 3 etwas schärfer angesetzt). Auf alkalisch empfindlichen Substratmaterialien wie Aluminium empfiehlt sich der Aluminium-kompatible, unverdünnte AZ® Developer. Remover Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140 °C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07. Verdünnung / Randwallentfernung Falls der Lack für die Schleuderbelackung verdünnt werden soll, käme grundsätzlich PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® 10 XT dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zur Randwallentfernung.     Weitere Informationen Unsere Sicherheitsdatenblätter und manche unserer Technischen Datenblätter sind passwortgeschützt. Die Zugangsdaten erhalten Sie nach dem Ausfüllen des Formulars. Bei den Zugangsdaten für die Datenblätter handelt es sich nicht um Ihre Login-Daten von unserem Shop! MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 10XT (520cps) englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 10XT (520cps) deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 10XT (520cps) englisch Anwendungshinweis: Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung

AZ® 125nXT-10B Ultradicker Negativlack für Galvanik   Allgemeine Informationen Der AZ® 125nXT-10B ist ein i-line empfindlicher, negativer Ultradicklack mit steilen Lackflanken und hohem Aspektverhältnis. 20 µm lines at 60 µm resist film thickness. 15 µm holes at 60 µm resist film thickness. 80 µm plated CuNi image. Produkteigenschaften Der ultradicke Negativlack AZ® 125nXT-10B deckt einen Lackschichtdickenbereich von 20 - 50 µm ab und kann mit angepassten Schleuderprofilen auch auf 100 µm und weit darüber aufgebaut und prozessiert werden. Der AZ® 125nXT-10B ist nur i-line empfindlich und benötigt als (für Negativlacke) Besonderheit keinen Post Exposure Bake nach dem Belichten zur Quervernetzung, d. h. der AZ® 125nXT-10B fotopolymerisiert. Durch seine geringe Absorption können auch sehr große Lackschichtdicken problemlos durchbelichtet und steile Lackflanken erzielt werden. Dies und seine sehr gute Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien machen diesen Lack geeignet für die galvanische Abformung dicker bis sehr dicker Schichten sowie DRIE. Bei - bezogen auf die jeweilige Lackschichtdicke - geringen Lichtdosen oder sehr großen Lackschichtdicken wird das Lackprofil leicht negativ, da die substratnahen Lackbereiche hierbei eine geringere Quervernetzung erfahren. Sollte sich in der Galvanik ein Angriff dieser schwächer quervernetzten Lackbereiche zeigen, eine höhere strukturgebenden Belichtungsdosis aber nicht infrage kommen, kann eine Flutbelichtung (ohne Fotomaske) nach der Entwicklung mit sehr hohen Dosen die Lackflanken auch in Substratnähe stärker quervernetzen, was sich jedoch erschwerend auf das spätere Strippen des Lacks auswirkt. Auch nach einer solchen Flutbelichtung ist kein weiterer Post Exposure Back nötig. Der AZ® 125nXT-10B kann grundsätzlich auch bei Lackschichtdicken kleiner 20 µm prozessiert werden, unterhalb von 10 µm Lackdicke wird die Prozessierung jedoch problematisch: Da beim Softbake aus der Lackoberfläche das für die Quervernetzung verantwortliche Additiv entweicht, werden beim Entwickeln grundsätzlich wenige Mikrometer der belichteten Lackoberfläche abgetragen, was bei dünnen Lackschichten einen entsprechend großen Anteil der Gesamtdicke ausmacht. Entwickler Zur Entwicklung des AZ® 125nXT-10B empfehlen sich TMAH-basierte Entwickler wie die ready-to-use AZ® 326 MIF (Tauchentwicklung), AZ® 726 MIF (Puddle-Entwicklung) oder AZ® 2026 MIF (welcher durch ein Additiv gerade bei quervernetzenden Lacken ein rückstandsfreies entwickelt fördert). KOH-oder NaOH-basierte Entwickler wie der AZ® 400K oder AZ® 351B sind für den AZ® 125nXT-10B grundsätzlich nicht geeignet. Falls keine TMAH-basierten Entwickler eingesetzt werden können, kann ein Versuch mit einem schärfer angesetzten KOH-basierten Entwickler in Erwägung gezogen werden. Remover Der AZ® 125nXT-10B lässt sich mit herkömmlichen Strippern nass-chemisch entfernen, allerdings kann das Strippen sehr dicker quervernetzter Lackstrukturen durchaus eine Herausforderung sein. Falls hierfür organische Lösemittel bevorzugt werden, empfiehlt sich (heißes) DMSO, welches quervernetzte Lacke zwar nicht auflösen, jedoch nach einer gewissen Einwirkdauer vom Substrat ablösen kann. Dieser Vorgang kann beschleunigt werden, indem durch eine geringere Lichtdosis der Quervernetzungsgrad des Lacks in Substratnähe verringert wird. Alternativ empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07. Verdünnung/ Randwallentfernung Falls der Lack für die Schleuderbelackung verdünnt werden soll, kommt PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® 125nXT-10B dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zu Randwallentfernung.     Weitere Informationen Unsere Sicherheitsdatenblätter und manche unserer Technischen Datenblätter sind passwortgeschützt. Die Zugangsdaten erhalten Sie nach dem Ausfüllen des Formulars. Bei den Zugangsdaten für die Datenblätter handelt es sich nicht um Ihre Login-Daten von unserem Shop! MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 125nXT-10B englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 125nXT-10B deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 125nXT-10B englisch Anwendungshinweis: Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung

AZ® 12XT-20PL-10 Chemisch verstärkter Positivlack   Allgemeine Informationen Der AZ® 12XT ist ein chemisch verstärkter, i-line empfindlicher Dicklack für hohe Aspektverhältnisse und mit erhöhtem thermischen Erweichungspunkt.   AZ® 12XT - 2.4mm lines at 10mm film thickness   Produkteigenschaften Der AZ® 12XT deckt einen Lackschichtdickenbereich von ca. 5 - 20 µm ab. Als chemisch verstärkter Lack benötigt der AZ® 12XT keine Rehydrierung zwischen Softbake und Belichtung, braucht verglichen mit nicht chemisch verstärkten Lacken vergleichbarer Dicke deutlich geringere Lichtdosen, setzt beim Belichten keinen Stickstoff frei (keine Bläschenbildung in der Lackschicht beim Belichten), und weist für einen Dicklack sehr hohe Entwicklungsraten auf. Diese Eigenschaften tragen dazu bei, die gesamte Prozessführung deutlich schneller und weniger problemanfällig zu gestalten als mit nicht-chemisch verstärkten Dicklacken. Seine gute Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien sowie sein Potenzial steiler Lackflanken machen ihn für die galvanische Abformung geeignet, sein hoher thermischer Erweichungspunkt (ca. 130 °C) empfiehlt ihn auch für das Trockenätzen bzw. DRIE. Grundsätzlich ist der AZ® 12XT nur i-line empfindlich, bei entsprechend hohen Lichtdosen und Lackschichtdicken kann auch mit der h-Linie (405 nm) gearbeitet werden. Falls dünnere Lackschichtdicken als ca. 5 µm erwünscht sind, kann der AZ® 12XT problemlos mit PGMEA = AZ® EBR Solvent verdünnt werden. Für Lackschichtdicken größer 15 µm sollte der ebenfalls chemisch verstärkte AZ® IPS 6090 in Erwägung gezogen werden. Entwickler Zur Entwicklung dieses chemisch verstärkten Lacks empfehlen sich TMAH-basierte Entwickler wie die ready-to-use AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF. KOH-oder NaOH-basierte Entwickler wie der AZ® 400 K oder AZ® 351B sind für den AZ® 12XT weniger geeignet. Remover Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140 °C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07. Verdünnung / Randwallentfernung Falls der Lack für die Schleuderbelackung verdünnt werden soll, kommt PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® 12XT dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zur Randwallentfernung.     Weitere Informationen Unsere Sicherheitsdatenblätter und manche unserer Technischen Datenblätter sind passwortgeschützt. Die Zugangsdaten erhalten Sie nach dem Ausfüllen des Formulars. Bei den Zugangsdaten für die Datenblätter handelt es sich nicht um Ihre Login-Daten von unserem Shop! MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 12XT 20PL-10 englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 12XT 20PL-10 deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 12XT 20PL-10 englisch Anwendungshinweis: Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung

AZ® 12XT-20PL-15 Chemisch verstärkter Positivlack   Allgemeine Informationen Der AZ® 12XT ist ein chemisch verstärkter, i-line empfindlicher Dicklack für hohe Aspektverhältnisse und mit erhöhtem thermischen Erweichungspunkt.   AZ® 12XT - 2.4mm lines at 10mm film thickness   Produkteigenschaften Der AZ® 12XT deckt einen Lackschichtdickenbereich von ca. 5 - 20 µm ab. Als chemisch verstärkter Lack benötigt der AZ® 12XT keine Rehydrierung zwischen Softbake und Belichtung, braucht verglichen mit nicht chemisch verstärkten Lacken vergleichbarer Dicke deutlich geringere Lichtdosen, setzt beim Belichten keinen Stickstoff frei (keine Bläschenbildung in der Lackschicht beim Belichten), und weist für einen Dicklack sehr hohe Entwicklungsraten auf. Diese Eigenschaften tragen dazu bei, die gesamte Prozessführung deutlich schneller und weniger problemanfällig zu gestalten als mit nicht-chemisch verstärkten Dicklacken. Seine gute Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien sowie sein Potenzial steiler Lackflanken machen ihn für die galvanische Abformung geeignet, sein hoher thermischer Erweichungspunkt (ca. 130 °C) empfiehlt ihn auch für das Trockenätzen bzw. DRIE. Grundsätzlich ist der AZ® 12XT nur i-line empfindlich, bei entsprechend hohen Lichtdosen und Lackschichtdicken kann auch mit der h-Linie (405 nm) gearbeitet werden. Falls dünnere Lackschichtdicken als ca. 5 µm erwünscht sind, kann der AZ® 12XT problemlos mit PGMEA = AZ® EBR Solvent verdünnt werden. Für Lackschichtdicken größer 15 µm sollte der ebenfalls chemisch verstärkte AZ® IPS 6090 in Erwägung gezogen werden. Entwickler Zur Entwicklung dieses chemisch verstärkten Lacks empfehlen sich TMAH-basierte Entwickler wie die ready-to-use AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF. KOH-oder NaOH-basierte Entwickler wie der AZ® 400 K oder AZ® 351B sind für den AZ® 12XT weniger geeignet. Remover Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140 °C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07. Verdünnung / Randwallentfernung Falls der Lack für die Schleuderbelackung verdünnt werden soll, kommt PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® 12XT dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zur Randwallentfernung.     Weitere Informationen Unsere Sicherheitsdatenblätter und manche unserer Technischen Datenblätter sind passwortgeschützt. Die Zugangsdaten erhalten Sie nach dem Ausfüllen des Formulars. Bei den Zugangsdaten für die Datenblätter handelt es sich nicht um Ihre Login-Daten von unserem Shop! MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 12XT 20PL-15 englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 12XT 20PL-15 deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 12XT 20PL-15 englisch Anwendungshinweis: Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung

AZ® 1505 Positive Dünnlacke für Nassätzung   Allgemeine Informationen Der AZ® 1505 Fotolack gehört zur AZ® 1500 Fotolack Serie positiver Dünnlacke (g-, h-und i-line empfindlich) mit optimierter Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien, deren Hauptanwendung der Einsatz als Lackmaske für Nasschemisches Ätzen ist. Produkteigenschaften Die AZ® 1500 Lackfamilie ist nicht auf möglichst senkrechte Lackflanken oder eine hohe Stabilität gegen thermisches Verrunden (Erweichungstemperatur ca. 100°C), sondern auf eine sehr hohe Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien optimiert. Die verglichen mit Dicklacken hohe Fotoinitiator-Konzentration der AZ® 1500er Serie erlaubt eine sehr schnelle Entwicklung. Der AZ® 1505 ist mit ca. 500 nm Lackschichtdicke bei 4000 U/min der dünnste Vertreter dieser Lackserie. Dieser Lack wird häufig zum Chromätzen bei der Fotomaskenherstellung eingesetzt, eignet sich aber ebenso als Ätzmaske für andere Materialien. Der AZ® 1505 Fotolack erlaubt hierbei unter optimierten Prozessparametern eine Auflösung im Submikrometerbereich. Falls eine so hohe Auflösung nicht erforderlich ist, kann ein etwas dickerer Lack (zum Beispiel AZ® 1514 H oder AZ® 1518) sinnvoll sein, womit die Gefahr von Pinholes in der Lackschicht durch Partikel auf dem Substrat, und entsprechenden Ätzdefekten, verringert wird. Von einer weiteren Verdünnung des AZ® 1505 Fotolack ist abzuraten, da stark verdünnte, Fotoinitiator-reiche Lacke rasch zu Partikelbildung neigen. Muss der Lack dennoch verdünnt werden, sollten entsprechende Ansätze rasch verbraucht und ein Augenmerk auf eine mögliche Partikelbildung gerichtet werden. Entwickler Zur Entwicklung empfehlen sich entweder TMAH-basierte Entwickler wie der AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF, der NaOH-basierte AZ® 351B, und bei nicht zu hohen Anforderungen an die Selektivität auch der KOH-basierte AZ® 400K. Beim AZ® 351B oder AZ® 400K kann es zur Erzielung sehr feiner Lackstrukturen oder besser kontrollierbarer Entwicklungsdauern ratsam sein, statt der üblichen 1:4 Verdünnung mit höher verdünnten Entwickleransätzen (zum Beispiel 1:5 bis 1:6) zu arbeiten. Auf alkalisch empfindlichen Substratmaterialien wie Aluminium empfiehlt sich der Aluminium-kompatible AZ® Developer in einer 1:1 Verdünnung. Removers Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140°C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07. Verdünnung / Randwallentfernung Auch wenn, wie weiter oben beschrieben, eine weitere Verdünnung des AZ® 1505 Fotolack aufgrund der beschleunigten Partikelbildung nicht empfehlenswert ist, käme grundsätzlich PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® 1505 dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zu Randwallentfernung.     Weitere Informationen Unsere Sicherheitsdatenblätter und manche unserer Technischen Datenblätter sind passwortgeschützt. Die Zugangsdaten erhalten Sie nach dem Ausfüllen des Formulars. Bei den Zugangsdaten für die Datenblätter handelt es sich nicht um Ihre Login-Daten von unserem Shop! MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 1505 Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 1505 Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 1505 Fotolack englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung

AZ® 1512 HS Positive Dünnlacke für Nassätzung   Allgemeine Informationen Der AZ® 1512 HS Fotolack gehört zur AZ® 1500 Fotolack Serie positiver Dünnlacke (g-, h-und i-line empfindlich) mit optimierter Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien, deren Hauptanwendung der Einsatz als Lackmaske für Nasschemisches Ätzen ist. Produkteigenschaften Die AZ® 1500 Lackfamilie ist nicht auf möglichst senkrechte Lackflanken oder eine hohe Stabilität gegen thermisches Verrunden (Erweichungstemperatur ca. 100°C), sondern auf eine sehr hohe Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien optimiert. Die verglichen mit Dicklacken hohe Fotoinitiator-Konzentration der AZ® 1500er Serie erlaubt eine sehr schnelle Entwicklung. Der AZ® 1512 HS erzielt bei 4000 U/min ca. 1.3 µm Lackschichtdicke und wird häufig zum Chromätzen bei der Fotomaskenherstellung eingesetzt, eignet sich aber ebenso als Ätzmaske für andere Materialien. Der AZ® 1512 HS Fotolack erlaubt hierbei unter optimierten Prozessparametern eine Auflösung im Submikrometerbereich. Falls eine so hohe Auflösung nicht erforderlich ist, kann ein etwas dickerer Lack (zum Beispiel AZ® 1518) sinnvoll sein, womit die Gefahr von Pinholes in der Lackschicht durch Partikel auf dem Substrat, und entsprechenden Ätzdefekten, verringert wird. Der AZ® 1512 HS besitzt innerhalb der AZ® 1500er Serie die höchste Fotoinitiator-Konzentration, ist entsprechend kontrastreich, und zeigt eine besonders hohe Entwicklungsrate. Von einer Verdünnung des AZ® 1512 HS Fotolack ist abzuraten, da verdünnte, sehr Fotoinitiator-reiche Lacke rasch zu Partikelbildung neigen. Muss der Lack dennoch verdünnt werden, sollten entsprechende Ansätze rasch verbraucht und ein Augenmerk auf eine mögliche Partikelbildung gerichtet werden. Entwickler Zur Entwicklung empfehlen sich entweder TMAH-basierte Entwickler wie die ready-to-use AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF, der NaOH-basierte AZ® 351B (typ. 1:4 verdünnt mit Wasser), und bei nicht zu hohen Anforderungen an die Selektivität auch der KOH-basierte AZ® 400K (ebenfalls typ. 1:4 verdünnt mit Wasser). Für sehr feine Lackstrukturen kann eine etwas höhere Verdünnung der Entwickler hilfreich sein. Auf alkalisch empfindlichen Substratmaterialien wie Aluminium empfiehlt sich der Aluminium-kompatible AZ® Developer in einer 2:1 bis 1:1 Verdünnung (Entwickler : Wasser). Removers Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140°C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07. Verdünnung / Randwallentfernung Auch wenn, wie weiter oben beschrieben, eine weitere Verdünnung des AZ® 1512 HS Fotolack aufgrund der beschleunigten Partikelbildung nicht empfehlenswert ist, käme grundsätzlich PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® 1512 HS dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zu Randwallentfernung.     Weitere Informationen Unsere Sicherheitsdatenblätter und manche unserer Technischen Datenblätter sind passwortgeschützt. Die Zugangsdaten erhalten Sie nach dem Ausfüllen des Formulars. Bei den Zugangsdaten für die Datenblätter handelt es sich nicht um Ihre Login-Daten von unserem Shop! MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 1512 HS Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 1512 HS Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 1512 HS Fotolack englisch Anwendungshinweis: Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung

AZ® 1514 H Positive Dünnlacke für Nassätzung   Allgemeine Informationen Der AZ® 1514 H gehört zur AZ® 1500 Fotolack Serie positiver Dünnlacke (g-, h-und i-line empfindlich) mit optimierter Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien, deren Hauptanwendung der Einsatz als Lackmaske für Nasschemisches Ätzen ist. Produkteigenschaften Die AZ® 1500 Lackfamilie ist nicht auf möglichst senkrechte Lackflanken oder eine hohe Stabilität gegen thermisches Verrunden (Erweichungstemperatur ca. 100°C), sondern auf eine sehr hohe Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien optimiert. Die verglichen mit Dicklacken hohe Fotoinitiator-Konzentration der AZ® 1500er Serie erlaubt eine sehr schnelle Entwicklung. Der AZ® 1514 H erzielt bei 4000 U/min ca. 1.5 µm Lackschichtdicke und weist eine besonders gute Haftung auf metallischen Substratmaterialien auf, wodurch er sich als Ätzmaske für zum Beispiel Aluminium, Chrom und andere Metalle, aber auch zum Ätzen nicht metallischer Schichten eignet. Von einer stärkeren Verdünnung des AZ® 1514 H ist abzuraten, da verdünnte, Fotoinitiator-reiche Lacke rasch zu Partikelbildung neigen. Muss der Lack dennoch verdünnt werden, sollten entsprechende Ansätze rasch verbraucht und ein Augenmerk auf eine mögliche Partikelbildung gerichtet werden. Entwickler Zur Entwicklung empfehlen sich entweder TMAH-basierte Entwickler wie die ready-to-use AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF, der NaOH-basierte AZ® 351B (typ. 1:4 verdünnt mit Wasser), und bei nicht zu hohen Anforderungen an die Selektivität auch der KOH-basierte AZ® 400K (ebenfalls typ. 1:4 verdünnt mit Wasser). Für sehr feine Lackstrukturen kann eine etwas höhere Verdünnung der Entwickler hilfreich sein. Auf alkalisch empfindlichen Substratmaterialien wie Aluminium empfiehlt sich der Aluminium-kompatible AZ® Developer in einer 2:1 bis 1:1 Verdünnung (Entwickler : Wasser). Removers Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140°C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07. Verdünnung / Randwallentfernung Auch wenn, wie weiter oben beschrieben, eine weitere Verdünnung des AZ® 1514 H aufgrund der beschleunigten Partikelbildung nicht empfehlenswert ist, käme grundsätzlich PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® 1514 H dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zu Randwallentfernung.     Weitere Informationen Unsere Sicherheitsdatenblätter und manche unserer Technischen Datenblätter sind passwortgeschützt. Die Zugangsdaten erhalten Sie nach dem Ausfüllen des Formulars. Bei den Zugangsdaten für die Datenblätter handelt es sich nicht um Ihre Login-Daten von unserem Shop! MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 1514 H Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 1514 H Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 1514 H Fotolack englisch Anwendungshinweis: Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung

AZ® 1518 Positive Dünnlacke für Nassätzung   Allgemeine Informationen Der AZ® 1518 gehört zur AZ® 1500er Serie positiver Dünnlacke (g-, h-und i-line empfindlich) mit optimierter Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien, deren Hauptanwendung der Einsatz als Lackmaske für Nasschemisches Ätzen ist. Produkteigenschaften Die AZ® 1500 Lackfamilie ist nicht auf möglichst senkrechte Lackflanken oder eine hohe Stabilität gegen thermisches Verrunden (Erweichungstemperatur ca. 100°C), sondern auf eine sehr hohe Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien optimiert. Die verglichen mit Dicklacken hohe Fotoinitiator-Konzentration der AZ® 1500er Serie erlaubt eine sehr schnelle Entwicklung. Der AZ® 1518 erzielt bei 4000 U/min ca. 1.8 µm Lackschichtdicke und wird häufig zum Ätzen von metallischen oder nicht-metallischen Schichten eingesetzt. Von einer stärkeren Verdünnung des AZ® 1518 unterhalb des Niveaus des AZ® 1505 ist abzuraten, da verdünnte, Fotoinitiator-reiche Lacke rasch zu Partikelbildung neigen. Muss der Lack dennoch verdünnt werden, sollten entsprechende Ansätze rasch verbraucht und ein Augenmerk auf eine mögliche Partikelbildung gerichtet werden. Der AZ® 1518 sollte nicht deutlich dicker als ca. 2 µm Lackschichtdicke prozessiert werden, da es bei zunehmender Lackdicke durch die hohe Fotoinitiator-Konzentration beim Belichten zur Bildung von Stickstoff-Bläschen in der Lackschicht kommen kann. Falls dickere Lackschichten gewünscht sind, empfiehlt sich der deutlich Fotoinitiator-ärmere AZ® 4533. Entwickler Zur Entwicklung empfehlen sich entweder TMAH-basierte Entwickler wie die ready-to-use AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF, der NaOH-basierte AZ® 351B (typ. 1:4 verdünnt mit Wasser), und bei nicht zu hohen Anforderungen an die Selektivität auch der KOH-basierte AZ® 400K (ebenfalls typ. 1:4 verdünnt mit Wasser). Auf alkalisch empfindlichen Substratmaterialien wie Aluminium empfiehlt sich der Aluminium-kompatible AZ® Developer in einer 2:1 bis 1:1 Verdünnung (Entwickler : Wasser). Removers Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140°C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07. Verdünnung / Randwallentfernung Auch wenn, wie weiter oben beschrieben, eine weitere Verdünnung des AZ® 1518 aufgrund der beschleunigten Partikelbildung nicht empfehlenswert ist, käme grundsätzlich PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® 1518 dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zu Randwallentfernung.     Weitere Informationen Unsere Sicherheitsdatenblätter und manche unserer Technischen Datenblätter sind passwortgeschützt. Die Zugangsdaten erhalten Sie nach dem Ausfüllen des Formulars. Bei den Zugangsdaten für die Datenblätter handelt es sich nicht um Ihre Login-Daten von unserem Shop! MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 1518 Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 1518 Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 1518 Fotolack englisch Anwendungshinweis: Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung

AZ® 15nXT (115CPS) Dicker Negativlack für die Galvanik   Allgemeine Informationen Der i-line empfindliche Negativlack AZ® 15nXT (115CPS) ist mit ca. 3 - 5 µm ein Dicklack mit sehr steilen Lackflanken für z. B. RIE oder die Galvanik. 5 µm lines at 10 µm resist film thickness. 5 µm holes at 10 µm resist film thickness. 5 µm plated CuNi image. 3.6 µm plated CuNi image. Produkteigenschaften Der AZ® 15nXT (115CPS) deckt einen Lackschichtdickenbereich von - je nach Schleuderdrehzahl - ca. 2 - 3 µm ab. Er ist nur i-line empfindlich und benötigt nach dem Belichten einen Post Exposure Bake, um die beim Belichten induzierte Quervernetzung abzuschließen. Die entwickelten Lackstrukturen sind bei angepassten Prozessparametern sehr senkrecht, hin zu dicken Lackschichten oder - bezogen auf jeweilige Lackschichtdicke - geringeren Lichtdosen zunehmend negativ. Werden dünnere Lackschichten gewünscht, kann der AZ® 15nXT (115CPS) mit PGMEA = AZ® EBR Solvent verdünnt werden, für dickere Schichten empfiehlt sich der höher viskose AZ® 15nXT (450CPS). Der AZ® 15nXT (115CPS) eignet sich durch seine gute Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien und seine hohe chemische Stabilität als Maske für die galvanische Abscheidung von z. B. Cu, Ni oder Au. Entwickler Zur Entwicklung des AZ® 15nXT (115CPS) empfehlen sich TMAH-basierte Entwickler wie die ready-to-use AZ® 326 MIF (Tauchentwicklung), AZ® 726 MIF (Puddle-Entwicklung) oder AZ® 2026 MIF welcher durch ein Additiv gerade bei quervernetzenden Lacken ein rückstandsfreies entwickelt fördert. KOH-oder NaOH-basierte Entwickler wie der AZ® 400 K oder AZ® 351B sind für den AZ® 15nXT (115CPS) grundsätzlich nicht geeignet. Falls keine TMAH-basierten Entwickler eingesetzt werden können, kann ein Versuch mit einem schärfer angesetzten KOH-basierten Entwickler in Erwägung gezogen werden. Remover Falls die Lackstrukturen durch z.B. die Metallisierung thermisch nicht zu stark quervernetzt wurden, kann ein Strippen bzw. Lift-off mit organischen Lösemitteln (Aceton gespült mit Isopropanol, oder DMSO) zum Erfolg führen. Für stärker quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip NI555 oder AZ® 910 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07. Verdünnung/ Randwallentfernung Falls der Lack für die Schleuderbelackung verdünnt werden soll, kommt PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® 15nXT (115CPS) dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zu Randwallentfernung.     Weitere Informationen Unsere Sicherheitsdatenblätter und manche unserer Technischen Datenblätter sind passwortgeschützt. Die Zugangsdaten erhalten Sie nach dem Ausfüllen des Formulars. Bei den Zugangsdaten für die Datenblätter handelt es sich nicht um Ihre Login-Daten von unserem Shop! MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 15nXT (115CPS) Photoresist englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 15nXT (115CPS) Photoresist deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 15nXT (115CPS) Photoresist englisch Technisches Datenblatt AZ® 15nXT Series englisch Anwendungshinweis: Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung

AZ® 15nXT (450CPS) Negativ Dicklack für die Galvanik   Allgemeine Informationen Der i-line empfindliche Negativlack AZ® 15nXT (450CPS) ist mit ca. 5 - 10 µm ein Dicklack mit senkrechten Lackflanken für z. B. RIE oder die Galvanik. 5 µm lines at 10 µm resist film thickness. 5 µm holes at 10 µm resist film thickness. 5 µm plated CuNi image. 3.6 µm plated CuNi image. Produkteigenschaften Der AZ® 15nXT (450CPS) deckt einen Lackschichtdickenbereich von - je nach Schleuderdrehzahl - ca. 5 - 10 µm ab. Er ist nur i-line empfindlich und benötigt nach dem Belichten einen Post Exposure Bake, um die beim Belichten induzierte Quervernetzung abzuschließen. Die entwickelten Lackstrukturen sind bei angepassten Prozessparametern senkrecht, hin zu dicken Lackschichten oder - bezogen auf jeweilige Lackschichtdicke - geringeren Lichtdosen zunehmend negativ. Werden dünnere Lackschichten gewünscht, kann der AZ® 15nXT (450CPS) mit PGMEA = AZ® EBR Solvent verdünnt werden. Der AZ® 15nXT (450CPS) eignet sich durch seine gute Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien und seine hohe chemische Stabilität als Maske für die galvanische Abscheidung von z. B. Cu, Ni oder Au. Entwickler Zur Entwicklung des AZ® 15nXT (450CPS) empfehlen sich TMAH-basierte Entwickler wie die ready-to-use AZ® 326 MIF (Tauchentwicklung), AZ® 726 MIF (Puddle-Entwicklung) oder AZ® 2026 MIF welcher durch ein Additiv gerade bei quervernetzenden Lacken ein rückstandsfreies entwickelt fördert. KOH-oder NaOH-basierte Entwickler wie der AZ® 400 K oder AZ® 351B sind für den AZ® 15nXT (450CPS) grundsätzlich nicht geeignet. Falls keine TMAH-basierten Entwickler eingesetzt werden können, kann ein Versuch mit einem schärfer angesetzten KOH-basierten Entwickler in Erwägung gezogen werden. Remover Falls die Lackstrukturen durch z.B. die Metallisierung thermisch nicht zu stark quervernetzt wurden, kann ein Strippen bzw. Lift-off mit organischen Lösemitteln (Aceton gespült mit Isopropanol, oder DMSO) zum Erfolg führen. Für stärker quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip NI555 oder AZ® 910 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07. Verdünnung/ Randwallentfernung Falls der Lack für die Schleuderbelackung verdünnt werden soll, kommt PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® 15nXT (450CPS) dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zu Randwallentfernung.     Weitere Informationen Unsere Sicherheitsdatenblätter und manche unserer Technischen Datenblätter sind passwortgeschützt. Die Zugangsdaten erhalten Sie nach dem Ausfüllen des Formulars. Bei den Zugangsdaten für die Datenblätter handelt es sich nicht um Ihre Login-Daten von unserem Shop! MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 15nXT (450CPS) Photoresist englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 15nXT (450CPS) Photoresist deutsch Technisches Datenblatt Technisches Datenblatt AZ® 15nXT (450CPS) Photoresist englisch Technisches Datenblatt AZ® 15nXT Series englisch Informationen AZ® 15nXT (450CPS) Photoresist englisch Anwendungshinweis: Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung

AZ® 3DT-102M-15 Chemisch verstärktes Positiv Fotolack Allgemeine Informationen AZ® 3DT-102M-15 ist ein chemisch verstärkter Positivton Fotolack mit einem sehr hohen Aspektverhältnis. Er ist für die Verwendung als Maske für Trockenätz-, Ionenimplantations-, RDL- und Galvanikanwendungen (Cu-kompatibel) vorgesehen. Sie kann sowohl mit i-line Steppern als auch mit herkömmlichen Mask Alignern verwendet werden. Die AZ® 3DT-102M-15 ist für einen Schichtdickenbereich von 8 - 20 µm vorgesehen. Produkt-Eigenschaften Steile Seitenwände Kompatibel mit Kupferplattierungs-Verfahren Für TSV, Implantation, RDL, Galvanik, Trockenätzung Chemisch verstärkt à PEB obligatorisch Kompatibel mit den meisten Fotolack Stripper (z. B. AZ® 100 Remover, auf Basis organischer Lösungsmittel oder alkalisch) i-line empfindlich (kann auch für Breitbandbelichtung verwendet werden) Resist schichtdickenbereich ca. 8 - 20 µm Developer Die empfohlenen Developer sind AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF für den Fotolack AZ® 3DT-102M-15. Ablöser Die empfohlenen Abisoliermittel für den AZ® 3DT-102M-15 sind AZ® 920 Remover, AZ® 100 Remover, TechniStrip P1316, TechniStrip P1331 und TechniStrip MLO07. Ausdünnen/Randwulstentfernung Wir empfehlen zum Verdünnen das AZ® EBR Solvent. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 3DT-102M-15 Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 3DT-102M-15 Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 3DT-102M-15 Fotolack englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

AZ® 40XT Chemisch verstärkter Dicklack   General Information Der AZ® 40XT ist ein chemisch verstärkter, i-line empfindlicher Ultradicklack für hohe Aspektverhältnisse.   Lines and spaces varying from 100 to 10 µm with a 40 µm thick AZ® 40XT at 400 mJ/cm2 exposure dose   Produkteigenschaften Der AZ® 40XT deckt einen Lackschichtdickenbereich von ca. 15 - 50 µm ab. Als chemisch verstärkter Lack benötigt der AZ® 40XT keine Rehydrierung zwischen Softbake und Belichtung, braucht verglichen mit nicht chemisch verstärkten Lacken vergleichbarer Dicke deutlich geringere Lichtdosen, setzt beim Belichten keinen Stickstoff frei (keine Bläschenbildung in der Lackschicht beim Belichten), und weist für einen Dicklack sehr hohe Entwicklungsraten auf. Diese Eigenschaften tragen dazu bei, die gesamte Prozessführung deutlich schneller und weniger problemanfällig zu gestalten als mit nicht chemisch verstärkten Dicklacken. Seine gute Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien sowie sein Potenzial steiler Lackflanken machen ihn vor allem für die galvanische Abformung für z. B. Cu. Ni oder Au geeignet. Grundsätzlich ist der AZ® 40XT nur i-line empfindlich, bei entsprechend hohen Lichtdosen und Lackschichtdicken kann auch mit der h-Linie (405 nm) gearbeitet werden. Zu beachten ist, dass bei diesen chemisch verstärkten Lacken der Post Exposure Bake nicht optional, sondern zwingend notwendig ist, um die beim Belichten induzierte Fotoreaktion abzuschließen uns die spätere Entwicklung zu ermöglichen. Falls dünnere Lackschichtdicken als ca. 15 µm erwünscht sind, kann der AZ® 40XT problemlos mit PGMEA = AZ® EBR Solvent verdünnt werden. Falls es beim Softbake oder Post Exposure Bake zu Bläschen in der Lackschicht kommt, was vor allem hin zu größeren Lackschichtdicken auftreten kann, helfen entweder eine langsame Temperaturrampe bei diesen Backprozessen, oder eine mehrstufiger Backprozess mit jeweils ansteigender Temperatur. Kommen diese Maßnahmen nicht infrage, oder lässt sich die Bläschenbildung trotz dieser Maßnahme nicht vermeiden, empfiehlt sich die Verwendung des ebenfalls chemisch verstärkten Ultradicklacks AZ® IPS 6090. Entwickler Zur Entwicklung dieses chemisch verstärkten Lacks empfehlen sich TMAH-basierte Entwickler wie die ready-to-use AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF. KOH-oder NaOH-basierte Entwickler wie der AZ® 400K oder AZ® 351B sind für den AZ® 40XT weniger geeignet. Remover Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140 °C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07. Verdünnung/ Randwallentfernung Falls der Lack für die Schleuderbelackung verdünnt werden soll, kommt PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® 40XT dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zu Randwallentfernung.     Weitere Informationen Unsere Sicherheitsdatenblätter und manche unserer Technischen Datenblätter sind passwortgeschützt. Die Zugangsdaten erhalten Sie nach dem Ausfüllen des Formulars. Bei den Zugangsdaten für die Datenblätter handelt es sich nicht um Ihre Login-Daten von unserem Shop! MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 40XT Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 40XT Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 40XT Fotolack englisch Anwendungshinweis: Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung

AZ® 4533 Dicke Resists mit optimierter Haftung   Allgemeine Informationen Der AZ® 4533 gehört zur AZ® 4500er Serie an Positivlacken (g-, h-und i-line empfindlich) im mittleren Lackschichtdickenbereich, deren Hauptanwendung der Einsatz als Lackmaske für nasschemisches Ätzen oder die galvanische Abscheidung ist. Produkteigenschaften Die AZ® 4500er Lacke sind weniger auf möglichst senkrechte Lackflanken oder eine hohe Stabilität gegen thermisches Verrunden (Erweichungstemperatur ca. 100 °C), sondern auf eine sehr hohe Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien optimiert. Die verglichen mit Dünnlacken (wie z.B. der AZ® 1500er Serie) geringe Fotoinitiator-Konzentration der AZ® 4500er Lacke erlaubt die Belichtung auch dickerer Lackschichten, ohne die Gefahr der Bildung von Stickstoffbläschen in der Lackschicht. Der AZ® 4533 wird häufig zum Ätzen von metallischen oder nicht-metallischen Schichten eingesetzt. Der AZ® 4533 erzielt bei 4000 U/min Schleuderdrehzahl ca. 3.3 µm Lackschichtdicke, bei entsprechend angepasstem Schleuderprofil lässt sich der Lackschichtdickenbereich von ca. 2.5 - 5 µm abdecken. Falls dünnere Lackschichten gewünscht sind empfiehlt sich der Einsatz der AZ® 1500er Serie, oder eine Verdünnung des AZ® 4533 mit PGMEA = AZ® EBR Solvent. Dickere Lackschichten lassen sich mit dem AZ® 4562 erzielen, der sich vom AZ® 4533 nur im geringeren Lösemittelanteil unterscheidet. Entwickler Zur Entwicklung empfehlen sich entweder TMAH-basierte Entwickler wie die ready-to-use AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF, oder der KOH-basierte AZ® 400K (typ. 1:4 verdünnt mit Wasser, für schnellere Entwicklung auch mit 1:3.5 oder 1:3 etwas schärfer angesetzt). Auf alkalisch empfindlichen Substratmaterialien wie Aluminium empfiehlt sich der Aluminium-kompatible, unverdünnte AZ® Developer. Removers Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140°C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07. Verdünnung / Randwallentfernung Falls der Lack für die Schleuderbelackung verdünnt werden soll, käme grundsätzlich PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® 4533 dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zu Randwallentfernung.     Weitere Informationen Unsere Sicherheitsdatenblätter und manche unserer Technischen Datenblätter sind passwortgeschützt. Die Zugangsdaten erhalten Sie nach dem Ausfüllen des Formulars. Bei den Zugangsdaten für die Datenblätter handelt es sich nicht um Ihre Login-Daten von unserem Shop! MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 4533 Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 4533 Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 4533 Fotolack englisch Anwendungshinweis: Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung

AZ® 4562 Dicke Resists mit optimierter Haftung   Allgemeine Informationen Der AZ® 4562 gehört zur AZ® 4500er Serie an Positivlacken (g-, h-und i-line empfindlich) im mittleren Lackschichtdickenbereich, deren Hauptanwendung der Einsatz als Lackmaske für nasschemisches Ätzen oder die galvanische Abscheidung ist. Produkteigenschaften Die AZ® 4500er Lacke sind weniger auf möglichst senkrechte Lackflanken oder eine hohe Stabilität gegen thermisches Verrunden (Erweichungstemperatur ca. 100 °C), sondern auf eine sehr hohe Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien optimiert. Die verglichen mit Dünnlacken (wie z.B. der AZ® 1500er Serie) geringe Fotoinitiator-Konzentration der AZ® 4500er Lacke erlaubt die Belichtung auch dickerer Lackschichten, ohne die Gefahr der Bildung von Stickstoffbläschen in der Lackschicht. Der AZ® 4562 wird häufig in der Galbanik oder zum Ätzen von metallischen oder nicht-metallischen Schichten eingesetzt. Der AZ® 4562 erzielt bei 4000 U/min Schleuderdrehzahl ca. 6 µm Lackschichtdicke, bei entsprechend angepasstem Schleuderprofil lässt sich der Lackschichtdickenbereich von ca. 4.5 - 20 µm abdecken. Falls dünnere Lackschichten gewünscht sind empfiehlt sich der AZ® 4533, der sich vom AZ® 4562 nur im höheren Lösemittelanteil unterscheidet. Ab ca. 10 µm gestaltet sich die Prozessierung des AZ® 4562 zunehmend zeitaufwendig: Der Softbake und die spätere Entwicklung dauern länger, für die Rehydrierung zwischen Softbake und Belichtung wird immer mehr Zeit benötigt, und die Gefahr der Bildung von Stickstoffbläschen beim Belichten hinzu. Für Lackschichtdicken größer 10-20 µm empfiehlt es sich, die Verwendung eines chemisch verstärkten Dicklacks wie dem AZ® 12XT (5 -20 µm Lackschichtdicke) oder IPS 6090 (> 20 µm Lackschichtdicke) in Erwägung zu ziehen, welche bei entsprechender Lackdicke deutlich kürzere Softbake- und Entwicklungsdauern aufweisen und keine Rehydrierung sowie deutlich geringere Lichtdosen benötigen. Entwickler Zur Entwicklung empfehlen sich entweder TMAH-basierte Entwickler wie die ready-to-use AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF, oder der KOH-basierte AZ® 400K (typ. 1:4 verdünnt mit Wasser, für schnellere Entwicklung auch mit 1:3.5 oder 1:3 etwas schärfer angesetzt). Auf alkalisch empfindlichen Substratmaterialien wie Aluminium empfiehlt sich der Aluminium-kompatible, unverdünnte AZ® Developer. Removers Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140°C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07. Verdünnung / Randwallentfernung Falls der Lack für die Schleuderbelackung verdünnt werden soll, käme grundsätzlich PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® 4562 dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zu Randwallentfernung.     Weitere Informationen Unsere Sicherheitsdatenblätter und manche unserer Technischen Datenblätter sind passwortgeschützt. Die Zugangsdaten erhalten Sie nach dem Ausfüllen des Formulars. Bei den Zugangsdaten für die Datenblätter handelt es sich nicht um Ihre Login-Daten von unserem Shop! MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 4562 Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 4562 Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 4562 Fotolack englisch Anwendungshinweis: Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung

AZ® 4999 Sprühlack Allgemeine Informationen AZ® 4999 ist eine hochtransparente Fotolack Sprühbeschichtung, die speziell für spezielle Sprühbeschichtungsanlagen (z. B. SÜSS Delta AltaSpray) entwickelt wurde, um fehlerfreie und gleichmäßige Beschichtungen auf Geräten mit schwieriger Topografie zu erzielen. Dicke (einige bis mehrere zehn Mikrometer) und gleichmäßige Resist Beschichtungen werden auf Topografien wie V-Nuten und Gräben mit optimaler Abdeckung von scharfen Kanten erzielt. Es gibt keine Anhäufung von Resist in Gräben. Die Verwendung von AZ® 4999 Fotolack ermöglicht eine hohe Reproduzierbarkeit in der Massenproduktion. Produkteigenschaften Viskosität (bei 25°C): 0.52 cSt Feststoffgehalt: 4% Absorptionsvermögen bei 398 nm: 0.1 l/(g*cm) Spektrale Empfindlichkeit: 310 nm - 440 nm Developer Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich das KOH-basierte AZ® 400K in einer 1:4 Verdünnung (für höhere Resist Schichtdicken 1:3,5 - 1:3 verdünnt möglich) Developer. Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir das TMAH-basierte AZ® 2026 MIF Developer (unverdünnt). Entferner Für nicht vernetzte Resist Filme können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt. Ausdünnen/Randwulstentfernung Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten die Produkte AZ® EBR Solvent oder PGMEA. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 4999 Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 4999 Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 4999 Fotolack englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

AZ® 5209E Image Reversal Resist für hohe Auflösung Allgemeine Informationen Diese spezielle Fotolack ist die dünnere Version der AZ® 5200E Serie, die für Lift-off-Techniken gedacht ist, die ein negatives Seitenwandprofil erfordern. Der Reversal-Backvorgang vernetzt die exponierten Resist mäßig und macht die entwickelten Strukturen bis zu ca. 130°C thermisch stabil. Aufgrund der vergleichsweise geringen Resist Schichtdicke von ~ 0,9 µm ist das Prozessparameterfenster für einen Unterschnitt eher klein, so dass die Belichtungsdosis und die Parameter des Reversal Bake optimiert werden müssen. Wenn die benötigte Auflösung nicht im sub-µm Bereich liegt, sind daher dickere Resist wie die AZ® LNR-003 (nächster Abschnitt) oder die AZ® nLOF 2000 Negativresists eine gute Alternative. Produkteigenschaften Sehr hohe Auflösung sowohl als Positiv Resist als auch als Negativ Resist Mögliches negatives Seitenwandprofil im Bildumkehrmodus Kompatibel mit allen gängigen Developer (NaOH-, KOH- oder TMAH-basiert) Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z. B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien) h- und i-Linien empfindlich (ca. 320 - 405 nm) Resist schichtdickenbereich ca. 0,7 - 1,2 µm Hohe thermische Stabilität, besonders im Umkehrbildmodus Developer Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich die NaOH-basierte AZ® 351B in einer 1:4-Verdünnung (für eine geforderte Auflösung < 1 µm wird eine 1:5-Verdünnung empfohlen) Developer. Die KOH-basierte AZ® 400K (ebenfalls 1:4 - 1:5 verdünnt) ist ebenfalls möglich. Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierte AZ® 726 MIF oder AZ® 326 MIF Developer, normalerweise unverdünnt, oder - für maximale Auflösung - mäßig 3:1 - 2:1 (3 Teile Developer:1 Teil DI-Wasser) mit Wasser verdünnt. Entferner Für nicht vernetzte Resist Filme können die AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt. Ausdünnen/Randwulstentfernung Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten die Produkte AZ® EBR Solvent oder PGMEA. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 5209-E Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 5209-E Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 5209-E Fotolack englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

AZ® 5214E Image Reversal Resist für hohe Auflösung Allgemeine Informationen Dieses spezielle Fotolack ist für Lift-off-Techniken gedacht, die ein negatives Seitenwandprofil erfordern. Das Umkehrbacken vernetzt die belichteten Resist mäßig und macht die entwickelten Strukturen bis zu ca. 130°C thermisch stabil. Aufgrund der vergleichsweise geringen Schichtdicke von Resist von ~1,4 µm ist das Prozessparameterfenster für einen Unterschnitt eher klein, so dass einige Optimierungen bei der Belichtungsdosis und den Reversal-Bake-Parametern erforderlich sind. Wenn die benötigte Auflösung nicht im sub-µm-Bereich liegt, ist ein dickerer Resist wie der AZ® LNR-003 (nächster Abschnitt) oder der AZ® nLOF 2000 Negativresist eine gute Alternative. Der Unterschnitt von AZ® 5214E wurde mit optimierten Prozessparametern erreicht. Produkteigenschaften Sehr hohe Auflösung sowohl als Positiv- Resist als auch als Negativlack Resist Mögliches negatives Seitenwandprofil im Bildumkehrmodus Kompatibel mit allen gängigen Developer (NaOH-, KOH- oder TMAH-basiert) Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z. B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien) h- und i-Linien empfindlich (ca. 320 - 405 nm) Resist schichtdickenbereich ca. 1,0 - 1,8 µm Hohe thermische Stabilität, besonders im Umkehrbildmodus Developer Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich die NaOH-basierte AZ® 351B in einer 1:4 Verdünnung (für eine geforderte Auflösung < 1 µm wird eine 1:5 Verdünnung empfohlen) Developer. Die KOH-basierte AZ® 400K (ebenfalls 1:4 - 1:5 verdünnt) ist ebenfalls möglich. Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierte AZ® 726 MIF oder AZ® 326 MIF Developer, normalerweise unverdünnt, oder - für maximale Auflösung - mäßig 3:1 - 2:1 ( 3 Teile Developer:1 Teil DI-Wasser) mit Wasser verdünnt. Entferner Für nicht vernetzte Resist Filme können die AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt. Ausdünnen/Randwulstentfernung Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten die Produkte AZ® EBR Solvent oder PGMEA. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 5214E Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 5214E Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 5214E Fotolack englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

AZ® 3007 Hohe Auflösung mit breitem Prozessfenster   Allgemeine Informationen Der AZ® ECI 3007 gehört zur AZ® ECI 3000er Serie positiver Dünnlacke (g-, h-und i-line empfindlich), deren Hauptanwendungen der Einsatz als Lackmaske für trockenchemischen Ätzen, RIE, Ionenimplantation oder auch Lift-off Prozesse sind. Produkteigenschaften Die AZ® ECI 3000 Lackfamilie ist auf steile Lackflanken sowie eine hohe Stabilität gegen thermisches Verrunden (Erweichungstemperatur ca. 125 °C) optimiert. Die AZ® ECI 3000er Lacke benötigen eine, verglichen mit anderen Positivlacken, deutlich geringere Lichtdosis, entwickeln aber dennoch rasch. Der AZ® ECI 3007 ist mit ca. 700 nm Lackschichtdicke bei 3000 U/min der dünnste Vertreter dieser Lackserie. Dieser Lack wird häufig zum Trockenätzen, RIE oder Lift-off Prozessen und erlaubt unter optimierten Prozessparametern eine Auflösung deutlich im Submikrometerbereich. Falls eine so hohe Auflösung nicht erforderlich ist, kann ein etwas dickerer Lack dieser Reihe (zum Beispiel AZ® ECI 3012, AZ® ECI 3027) sinnvoll sein. Falls erforderlich, lässt sich der AZ® ECI 3007 problemlos mit PGMEA = AZ® EBR Solvent weiter verdünnen. Für Anwendungen mit hohen Anforderungen an eine sehr gute Lackhaftung wie nasschemisches Ätzen sowie die galvanische Abscheidung empfehlen sich Lacke der AZ® 1500er bzw. 4500er Serie. Entwickler Zur Entwicklung empfehlen sich entweder TMAH-basierte Entwickler wie der AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF, der NaOH-basierte AZ® 351B, und bei nicht zu hohen Anforderungen an die Selektivität auch der KOH-basierte AZ® 400K. Beim AZ® 351B oder AZ® 400K kann es zur Erzielung sehr feiner Lackstrukturen oder besser kontrollierbarer Entwicklungsdauern ratsam sein, statt der üblichen 1:4 Verdünnung mit höher verdünnten Entwickleransätzen (zum Beispiel 1:5 bis 1:6) zu arbeiten. Auf alkalisch empfindlichen Substratmaterialien wie Aluminium empfiehlt sich der Aluminium-kompatible AZ® Developer in einer 1:1 Verdünnung. Removers Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140°C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07. Verdünnung / Randwallentfernung Zur Verdünnung für die Schleuderbelackung kommt grundsätzlich PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage, was sich, falls nötig, auch zur Randwallentfernung eignet.     Weitere Informationen Unsere Sicherheitsdatenblätter und manche unserer Technischen Datenblätter sind passwortgeschützt. Die Zugangsdaten erhalten Sie nach dem Ausfüllen des Formulars. Bei den Zugangsdaten für die Datenblätter handelt es sich nicht um Ihre Login-Daten von unserem Shop! MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® ECI 3007 Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® ECI 3007 Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® ECI 3000 Serie englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung

AZ® 3012 Hohe Auflösung mit breitem Prozessfenster   Allgemeine Informationen Der AZ® ECI 3012 gehört zur AZ® ECI 3000er Serie positiver Dünnlacke (g-, h-und i-line empfindlich), deren Hauptanwendungen der Einsatz als Lackmaske für trockenchemischen Ätzen, RIE, Ionenimplantation oder auch Lift-off Prozesse sind.   450 nm resist Linien mit dem AZ® ECI 3012 bei einer Schichtdicke von ca. 1.2 µm.   Produkteigenschaften Die AZ® ECI 3000 Lackfamilie ist auf steile Lackflanken sowie eine hohe Stabilität gegen thermisches Verrunden (Erweichungstemperatur ca. 125 °C) optimiert. Die AZ® ECI 3000er Lacke benötigen eine, verglichen mit anderen Positivlacken, deutlich geringere Lichtdosis, entwickeln aber dennoch rasch. Der AZ® ECI 3012 deckt mit ca. 1,3 µm Lackschichtdicke bei 3000 U/min mit angepassten Schleuderprofilen den Lackschichtdickenbereich von ca. 1.0 - 1.8 µm ab. Dieser Lack wird häufig zum Trockenätzen, RIE oder Lift-off Prozessen und erlaubt unter optimierten Prozessparametern eine Auflösung im Submikrometerbereich. Falls eine so hohe Auflösung nicht erforderlich ist, kann ein etwas dickerer Lack dieser Reihe (zum Beispiel AZ® ECI 3027) sinnvoll sein. Falls dünnere Lackschichten erforderlich sind, empfiehlt sich der AZ® ECI 3007, alternativ eine Verdünnung des AZ® ECI 3012 mit PGMEA = AZ® EBR Solvent. Für Anwendungen mit hohen Anforderungen an eine sehr gute Lackhaftung wie nasschemisches Ätzen sowie die galvanische Abscheidung empfehlen sich Lacke der AZ® 1500er bzw. 4500er Serie. Entwickler Zur Entwicklung empfehlen sich entweder TMAH-basierte Entwickler wie der AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF, der NaOH-basierte AZ® 351B, und bei nicht zu hohen Anforderungen an die Selektivität auch der KOH-basierte AZ® 400K. Beim AZ® 351B oder AZ® 400K kann es zur Erzielung sehr feiner Lackstrukturen oder besser kontrollierbarer Entwicklungsdauern ratsam sein, statt der üblichen 1:4 Verdünnung mit höher verdünnten Entwickleransätzen (zum Beispiel 1:5 bis 1:6) zu arbeiten. Auf alkalisch empfindlichen Substratmaterialien wie Aluminium empfiehlt sich der Aluminium-kompatible AZ® Developer in einer 1:1 Verdünnung. Removers Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140°C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07. Verdünnung / Randwallentfernung Zur Verdünnung für die Schleuderbelackung kommt grundsätzlich PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage, was sich, falls nötig, auch zur Randwallentfernung eignet.     Weitere Informationen Unsere Sicherheitsdatenblätter und manche unserer Technischen Datenblätter sind passwortgeschützt. Die Zugangsdaten erhalten Sie nach dem Ausfüllen des Formulars. Bei den Zugangsdaten für die Datenblätter handelt es sich nicht um Ihre Login-Daten von unserem Shop! MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® ECI 3012 Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® ECI 3012 Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® ECI 3012 Fotolack englisch Technisches Datenblatt AZ® ECI 3000 Serie englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung

AZ® 3027 Hohe Auflösung mit breitem Prozessfenster   Allgemeine Informationen Der AZ® ECI 3027 gehört zur AZ® ECI 3000er Serie an Positivlacken (g-, h-und i-line empfindlich), deren Hauptanwendungen der Einsatz als Lackmaske für trockenchemisches Ätzen, RIE, Ionenimplantation oder auch Lift-off Prozesse sind.   900 nm Resist Linien mit dem AZ® ECI 3027 bei ca. 2.7 µm Resist Schichtdicke.   Produkteigenschaften Die AZ® ECI 3000 Lackfamilie ist auf steile Lackflanken sowie eine hohe Stabilität gegen thermisches Verrunden (Erweichungstemperatur ca. 125 °C) optimiert. Die AZ® ECI 3000er Lacke benötigen eine, verglichen mit anderen Positivlacken, deutlich geringere Lichtdosis, entwickeln aber dennoch rasch. Der AZ® ECI 3027 deckt mit ca. 2,7 µm Lackschichtdicke bei 3000 U/min mit angepassten Schleuderprofilen den Lackschichtdickenbereich von ca. 2 - 4 µm ab. Dieser Lack wird häufig zum Trockenätzen, RIE oder Lift-off Prozessen eingesetzt. Falls eine Auflösung im Submikrometerbereich erforderlich ist, kann ein etwas dünnerer Lack dieser Reihe (zum Beispiel AZ® ECI 3012 oder AZ® ECI 3007) sinnvoll sein, alternativ eine Verdünnung des AZ® ECI 3027 mit PGMEA = AZ® EBR Solvent. Für Anwendungen mit hohen Anforderungen an eine sehr gute Lackhaftung wie nasschemisches Ätzen sowie die galvanische Abscheidung empfehlen sich Lacke der AZ® 1500er bzw. 4500er Serie. Entwickler Zur Entwicklung empfehlen sich entweder TMAH-basierte Entwickler wie der AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF, der NaOH-basierte AZ® 351B, und bei nicht zu hohen Anforderungen an die Selektivität auch der KOH-basierte AZ® 400K. Beim AZ® 351B oder AZ® 400K kann es zur Erzielung sehr feiner Lackstrukturen oder besser kontrollierbarer Entwicklungsdauern ratsam sein, statt der üblichen 1:4 Verdünnung mit höher verdünnten Entwickleransätzen (zum Beispiel 1:5 bis 1:6) zu arbeiten. Auf alkalisch empfindlichen Substratmaterialien wie Aluminium empfiehlt sich der Aluminium-kompatible AZ® Developer in einer 1:1 Verdünnung. Removers Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140°C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07. Verdünnung / Randwallentfernung Zur Verdünnung für die Schleuderbelackung kommt grundsätzlich PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage, was sich, falls nötig, auch zur Randwallentfernung eignet.     Weitere Informationen Unsere Sicherheitsdatenblätter und manche unserer Technischen Datenblätter sind passwortgeschützt. Die Zugangsdaten erhalten Sie nach dem Ausfüllen des Formulars. Bei den Zugangsdaten für die Datenblätter handelt es sich nicht um Ihre Login-Daten von unserem Shop! MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® ECI 3027 Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® ECI 3027 Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® ECI 3000 Serie englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung

AZ® IPS 6090 Positivlack dick   Allgemeine Informationen Der AZ® IPS 6090 ist ein chemisch verstärkter, i-line empfindlicher Ultradicklack für hohe Aspektverhältnisse.   AZ® IPS 6050 (80 µm Resist Schichtdicke)   Produkteigenschaften Der AZ® IPS 6090 deckt einen Lackschichtdickenbereich von ca. 15 - 50 µm ab. Als chemisch verstärkter Lack benötigt der AZ® IPS 6090 keine Rehydrierung zwischen Softbake und Belichtung, braucht verglichen mit nicht chemisch verstärkten Lacken vergleichbarer Dicke deutlich geringere Lichtdosen, setzt beim Belichten keinen Stickstoff frei (keine Bläschenbildung in der Lackschicht beim Belichten), und weist für einen Dicklack sehr hohe Entwicklungsraten auf. Diese Eigenschaften tragen dazu bei, die gesamte Prozessführung deutlich schneller und weniger problemanfällig zu gestalten als mit nicht chemisch verstärkten Dicklacken. Seine gute Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien sowie sein Potenzial steiler Lackflanken machen ihn vor allem für die galvanische Abformung geeignet. Grundsätzlich ist der AZ® IPS 6090 nur i-line empfindlich, bei entsprechend hohen Lichtdosen und Lackschichtdicken kann auch mit der h-Linie (405 nm) gearbeitet werden. Zu beachten ist, dass bei diesen chemisch verstärkten Lacken der Post Exposure Bake nicht nur optional, sondern zwingend notwendig ist, um die beim Belichten induzierte Fotoreaktion abzuschließen uns die spätere Entwicklung zu ermöglichen. Falls dünnere Lackschichtdicken als ca. 15 µm erwünscht sind, kann der AZ® IPS 6090 problemlos mit PGMEA = AZ® EBR Solvent verdünnt werden. Entwickler Zur Entwicklung dieses chemisch verstärkten Lacks empfehlen sich TMAH-basierte Entwickler wie die ready-to-use AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF. KOH-oder NaOH-basierte Entwickler wie der AZ® 400K oder AZ® 351B sind für den AZ® IPS 6090 weniger geeignet. Removers Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140°C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07. Verdünnung / Randwallentfernung Falls der Lack für die Schleuderbelackung verdünnt werden soll, kommt PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® IPS 6090 dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zu Randwallentfernung.     Weitere Informationen Unsere Sicherheitsdatenblätter und manche unserer Technischen Datenblätter sind passwortgeschützt. Die Zugangsdaten erhalten Sie nach dem Ausfüllen des Formulars. Bei den Zugangsdaten für die Datenblätter handelt es sich nicht um Ihre Login-Daten von unserem Shop! MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® IPS-6090 Photoresist englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® IPS-6090 Photoresist deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® IPS-6090 englisch Information AZ® IPS-6090 englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung

AZ® LNR-003 Negativlack für Lift-off-Anwendungen   Allgemeine Informationen Der i-line empfindliche Negativlack AZ® LNR 003 ist mit ca. 2 - 4 µm Lackschichtdicke ein durch seinen einstellbar starken Unterschnitt vorrangig für Lift-off Anwendungen optimierter Lack. Produkteigenschaften Der AZ® LNR 003 deckt einen Lackschichtdickenbereich von, je nach Schleuderdrehzahl ca. 2 - 4 µm ab. Er ist nur i-line empfindlich und benötigt nach dem Belichten einen Post Exposure Bake, um die beim Belichten induzierte Quervernetzung abzuschließen. Die entwickelten Lackstrukturen sind, wie für Lift-off Anwendungen gewünscht, selbst bei geringen Lackschichtdicken deutlich ausgeprägt negativ, da durch die starke Absorption die oberen Lackbereiche beim Belichten eine wesentlich höhere Dosis erhalten und damit stärker quervernetzen als die substratnahen Lackbereiche. Der Unterschnitt lässt sich in einem relativ großen Bereich über die Lichtdosis (geringere Dosis = stärkerer Unterschnitt) sowie die Dauer Überentwicklung einstellen. Damit lassen sich auch kritische Lift-off Anwendungen (zum Beispiel gesputterte oder dickere Schichten) realisieren. Jedoch ist darauf zu achten, dass ein zu starker Unterschnitt dazu führen kann, dass sich schmale Lackstrukturen bereits beim Entwickeln vom Substrat abheben. Werden noch dünnere Lackschichten gewünscht, kann der LNR 003 mit PGMEA = AZ® EBR Solvent verdünnt werden wozu wir eine entsprechend verdünnte Version (AZ® LNR 003 diluted) anbieten. Für dickere Schichten > 3 µm Lackdicke empfiehlt sich die AZ® nLOF 2000 Reihe. Entwickler Zur Entwicklung des AZ® LNR 003 empfehlen sich TMAH-basierte Entwickler wie die ready-to-use AZ® 326 MIF (Tauchentwicklung), AZ® 726 MIF (Puddle-Entwicklung) oder AZ® 2026 MIF (welcher durch ein Additiv gerade bei quervernetzenden Lacken ein rückstandsfreies entwickelt fördert). KOH-oder NaOH-basierte Entwickler wie der AZ® 400K oder AZ® 351B sind für den AZ® LNR 003 grundsätzlich nicht geeignet. Falls keine TMAH-basierten Entwickler eingesetzt werden können, kann ein Versuch mit einem normal oder schärfer angesetzten KOH-basierten Entwickler in Erwägung gezogen werden. Removers Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140°C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07. Verdünnung / Randwallentfernung Falls der Lack für die Schleuderbelackung verdünnt werden soll, kommt PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® LNR 003 dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zu Randwallentfernung.     Weitere Informationen Unsere Sicherheitsdatenblätter und manche unserer Technischen Datenblätter sind passwortgeschützt. Die Zugangsdaten erhalten Sie nach dem Ausfüllen des Formulars. Bei den Zugangsdaten für die Datenblätter handelt es sich nicht um Ihre Login-Daten von unserem Shop! MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® LNR-003 Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® LNR-003 Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® LNR-003 englisch Information AZ® LNR-003 englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung

AZ® LNR-003 diluted Negativlack für Lift-off-Anwendungen   Allgemeine Informationen Der i-line empfindliche Negativlack AZ® LNR 003 ist mit ca. 1 - 2 µm Lackschichtdicke ein durch seinen einstellbar starken Unterschnitt vorrangig für Lift-off Anwendungen optimierter Lack. Produkteigenschaften Der AZ® LNR 003 deckt einen Lackschichtdickenbereich von - je nach Schleuderdrehzahl - ca. 1 - 2. µm ab. Er ist nur i-line empfindlich und benötigt nach dem Belichten einen Post Exposure Bake, um die beim Belichten induzierte Quervernetzung abzuschließen. Die entwickelten Lackstrukturen sind, wie für Lift-off Anwendungen gewünscht, selbst bei geringen Lackschichtdicken deutlich ausgeprägt negativ, da durch die starke Absorption die oberen Lackbereiche beim Belichten eine wesentlich höhere Dosis erhalten und damit stärker quervernetzen als die substratnahen Lackbereiche. Der Unterschnitt lässt sich in einem relativ großen Bereich über die Lichtdosis (geringere Dosis = stärkerer Unterschnitt) sowie die Dauer Überentwicklung einstellen. Damit lassen sich auch kritische Lift-off Anwendungen (zum Beispiel gesputterte oder dickere Schichten) realisieren. Jedoch ist darauf zu achten, dass ein zu starker Unterschnitt dazu führen kann, dass sich schmale Lackstrukturen bereits beim Entwickeln vom Substrat abheben. Werden noch dünnere Lackschichten gewünscht, kann der AZ® LNR 003 mit PGMEA = AZ® EBR Solvent verdünnt werden, wobei bei basierten Lackschichten die Erzielung eines Unterschnitts zunehmend schwierig wird. Für dickere Lackschichten empfiehlt sich die höher viskose Version des AZ® LNR 003 oder für > 3 µm Lackschichtdicke die AZ® nLOF 2000 Serie. Entwickler Zur Entwicklung des AZ® LNR 003 empfehlen sich TMAH-basierte Entwickler wie die ready-to-use AZ® 326 MIF (Tauchentwicklung), AZ® 726 MIF (Puddle-Entwicklung) oder AZ® 2026 MIF (welcher durch ein Additiv gerade bei quervernetzenden Lacken ein rückstandsfreies entwickelt fördert). KOH-oder NaOH-basierte Entwickler wie der AZ® 400K oder AZ® 351B sind für den AZ® LNR 003 grundsätzlich nicht geeignet. Falls keine TMAH-basierten Entwickler eingesetzt werden können, kann ein Versuch mit einem normal oder schärfer angesetzten KOH-basierten Entwickler in Erwägung gezogen werden. Removers Falls die Lackstrukturen durch z. B. die Metallisierung thermisch nicht zu stark quervernetzt wurden, kann ein Strippen bzw. Lift-off mit organischen Lösemitteln (Aceton gespült mit Isopropanol, oder DMSO) zum Erfolg führen. Für stärker quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip NI555 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07. Verdünnung / Randwallentfernung Falls der Lack für die Schleuderbelackung verdünnt werden soll, kommt PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® LNR 003 dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zu Randwallentfernung.     Weitere Informationen Unsere Sicherheitsdatenblätter und manche unserer Technischen Datenblätter sind passwortgeschützt. Die Zugangsdaten erhalten Sie nach dem Ausfüllen des Formulars. Bei den Zugangsdaten für die Datenblätter handelt es sich nicht um Ihre Login-Daten von unserem Shop! MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® LNR-003 Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® LNR-003 Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® LNR-003 englisch Information AZ® LNR-003 englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung