beschichtete Wafer
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Borosilicate glass wafer 2 inch metallized Cr 10 nm, Au 100 nm
MWGCR002AU020CCZZZ01
Borosilikatglas-Wafer 2 Zoll, Dicke = 500 ± 25 µm, 2-seitig poliert, primärer Flat 16 mm, einseitige Metallisierung mit Cr: 10 nm und Au: 100 nm
Lagerbestand:
16
Ab
45,70 €*
CZ-Si wafer 4 inch 525 um (100) SSP B-doped
MWCTI100BBYYYCCZZZ01
Prime CZ-Si Wafer 4 Zoll, Dicke = 525 ± 15 µm, (100), 1-seitig poliert, P-Typ (Boron), TTV < 5 µm, 10 - 20 Ohm cm, Flats: 2, einseitige Metallisierung mit Ti 500nm +/- 5%
Lagerbestand:
1
Ab
54,70 €*
CZ-Si wafer 8 inch 725 um (100) SSP B-doped
MWCCUBBCC020YYYZZZ01
Test CZ-Si Wafer 8 Zoll, Dicke = 725 ± 25 µm, (100), 1-seitig poliert, P-Typ (Boron), TTV < 10 µm, 1 - 100 Ohm cm, Bow/Warp < 40 µm, V Notch, einseitige Metallisierung mit Cu: 100 nm
Lagerbestand:
1
349,00 €*
FZ Si + wet SiO2 wafer 4 inch 525 um (100) SSP
WWD40525250X1618S301
Prime FZ Si + nasses SiO2 Wafer 4 Zoll, Dicke = 525 ± 25 µm, (100), 1-seitig poliert, TTV < 10 µm, intrinsisch (undotiert)1000 - 100000 Ohm cm, 300 nm thermisches SiO2 trocken/nass/trocken, 1 SEMI Flat
Lagerbestand:
78
Ab
50,00 €*
Si + dry SiO2 wafer 100x100 mm 525 um (100) SSP
W9TD10010005250200B2
Prime quadratisches Si + trockenes SiO2 Waferstück (100 x 100 mm), Dicke = 525 ± 25 µm, (100), 1-seitig poliert, P-Typ (Boron), 1 - 10 Ohm cm, 200 nm trockenes SiO2 (auf beiden Seiten thermisch gewachsen) Einheit von 10 Wafern
Lagerbestand:
4
Ab
21,00 €*
Si + dry SiO2 wafer 2 inch 0279 µm (100), SSP,B-doped
WTD20279200B1314S101
Prime Si + SiO2 (trocken)-Wafer 2 Zoll, Dicke = 279 ± 20 µm, (100), 1-seitig poliert, P-Typ (Boron) TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, 100±10% nm SiO2, 2 SEMI Flats
Lagerbestand:
207
Ab
8,00 €*
Si + dry SiO2 wafer 3 inch 380 um (100) SSP
WTD30380100X5617S201
Prime Si + trockenes SiO2 Wafer 3 Zoll, Dicke = 380 ± 10 µm, (100), 1-seitig poliert, intrinsisch (undotiert), 5000 - 50000 Ohm cm, 200 nm thermisches trockenes SiO2, 2 SEMI Flats
Lagerbestand:
216
Ab
32,00 €*
Si + dry SiO2 wafer 3 inch 380 um (100) SSP B-doped
WTD30380250B1314S101
Prime Si + trockenes SiO2 Wafer 3 Zoll, Dicke = 380 ± 25 µm, (100), 1-seitig poliert, P-Typ (Boron) TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, 100 nm SiO2, Flat:1
Lagerbestand:
140
Ab
12,50 €*
Si + dry SiO2 wafer 4 inch 525 um (100) SSP B-doped
WTD40525250B1050S281
Prime Si + trockenes SiO2 Wafer 4 Zoll, Dicke = 525 ± 25 µm, (100), 1-seitig poliert, P-Typ (Boron) TTV < 10 µm, 0.001 - 0.005 Ohm cm, 285 nm SiO2 +/- 5 %, Laser-Markierung auf polierter Seite (MCPHD008-XXX, XXX = 001-999), 2 SEMI Flats
Lagerbestand:
1052
Ab
19,00 €*
Si + dry SiO2 wafer 4 inch 525 um (100) SSP B-doped
WTD40525250B1314S102
Prime Si + trockenes SiO2 Wafer 4 Zoll, Dicke = 525 ± 25 µm, (100), 1-seitig poliert, P-Typ (Boron) TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, 100 nm SiO2, 2 SEMI Flats
Lagerbestand:
125
Ab
19,00 €*
Si + dry SiO2 wafer 4 inch 525 um (100) SSP B-doped
WTD40525250B1314S201
Prime Si + trockenes SiO2 Wafer 4 Zoll, Dicke = 525 ± 25 µm, (100), 1-seitig poliert, P-Typ (Boron) TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, 200 nm SiO2, 2 SEMI Flats
Lagerbestand:
218
Ab
17,00 €*
Si + dry SiO2 wafer 4 inch 525 um (100) SSP B-doped
MWCTI002PT020CCZZZ01
Prime Si + SiO2 (trocken) Wafer 4 Zoll, Dicke = 525 ± 20 µm, (100), 1-seitig poliert, P-Typ (Boron), TTV < 5 µm, 0.001 - 0.005 Ohm cm, 290 nm SiO2, einseitige Metallisierung mit Ti: 10 nm und Pt: 100 nm, vereinzelt kleine Defekte in der Beschichtung möglich, aber nicht zwingend vorhanden
Lagerbestand:
8
Ab
76,90 €*
Si + dry SiO2 wafer 4 inch 525 um (100) SSP P-doped
WTD40525250P1314S101
Prime Si + trockenes SiO2 Wafer 4 Zoll, Dicke = 525 ± 25 µm, (100), 1-seitig poliert, N-Typ (Phosphor) TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, 100 nm SiO2, 2 SEMI Flats
Lagerbestand:
194
Ab
17,00 €*
Si + dry SiO2 wafer 6 inch 675 um (100) SSP B-doped
WTD60675250B1314S101
Prime Si + trockenes SiO2 Wafer 6 Zoll, Dicke = 675 ± 25 µm, (100), 1-seitig poliert, P-Typ (Boron), 1 - 10 Ohm cm, 100 nm thermisches SiO2 auf beiden Seiten, 1 Flat/57.5mm
Lagerbestand:
25
Ab
28,00 €*
Si + Si3N4 wafer 4 inch 500 um (100) DSP
WNS40500250X0000S051
Quarzglas JGS2 + Si3N4 Wafer 4 Zoll, Dicke = 500 ± 25 µm, (100), 2-seitig poliert, + 50 nm low-stress LPCVD Si3N4 auf beiden Seiten, 1 SEMI Flat
Lagerbestand:
0
Ab
44,00 €*
Si + Si3N4 wafer 4 inch 525 um (100) DSP B-doped
WNA40525155B1314S102
WNA40525155B1314S102 Prime Si + Si3N4 Wafer 4 Zoll, Dicke = 525 ± 15 µm, (100), 2-seitig poliert, P-Typ (Boron), TTV < 5 µm, 1 - 10 Ohm cm, 100 nm low-stress LPCVD Si3N4 auf beiden Seiten, Flats: 2
Lagerbestand:
63
Ab
34,00 €*
Si + Si3N4 wafer 4 inch 525 um (100) DSP B-doped
WNA40525255B1314S301
Prime Si + Si3N4 Wafer 4 Zoll, Dicke = 525 ± 25 µm, (100), 2-seitig poliert, P-Typ (Boron) TTV < 5 µm, 1 - 10 Ohm cm, 300 nm LPCVD Si3N4 auf beiden Seiten, 2 SEMI Flats
Lagerbestand:
45
Ab
39,00 €*
Si + wet SiO2 wafer 3 inch 380 um (100) SSP B-doped
WWD30380250B1314S301
Prime Si + nasses SiO2 Wafer 3 Zoll, Dicke = 380 ± 25 µm, (100), 1-seitig poliert, P-Typ (Boron), 1 - 10 Ohm cm, 2 SEMI Flats, 300±5% nm SiO2
Lagerbestand:
679
Ab
12,80 €*
Si + wet SiO2 wafer 4 inch 525 um (100) SSP B-doped
WWD40525250B1314SXX8
Prime Si + nasses SiO2 Wafer 4 Zoll, Dicke = 525 ± 25 µm, (100), 1-seitig poliert, P-Typ (Boron), TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, 5000 nm SiO2, 2 SEMI Flats
Lagerbestand:
33
Ab
58,00 €*
Si + wet SiO2 wafer 6 inch 675 um (100) SSP B-doped
WWD60675250B1314SXX1
Prime Si + nasses SiO2 Wafer 6 Zoll, Dicke = 675 ± 25 µm, (100), 1-seitig poliert, P-Typ (Boron), 1 - 10 Ohm cm, 1000 nm +/- 10 % beidseitig thermisch gewachsenes SiO2, mit Laser-Markierung auf der nicht-polierten Seite, code: MCN-XXX (XXX = 001 - 999), 1 SEMI Flat
Lagerbestand:
35
Ab
30,00 €*
Square Si + dry SiO2 wafer 10 x 10 mm 525 um (100) SSP
W9TD01001005250200B1
Prime Square Si + trockenes SiO2 Wafer piece (10 x 10 mm), Dicke = 525 ± 25 µm, (100), 1-seitig poliert, P-Typ (Boron) TTV, 1 - 10 Ohm cm, 200 nm trockenes SiO2, Einheiten von 30 Stück
Lagerbestand:
558
Ab
2,00 €*
Square Si + dry SiO2 wafer 25 x 25 mm 525 um (100) SSP
W9TD02502505250200B1
Prime Square Si + trockenes SiO2 Wafer piece (25 x 25 mm), Dicke = 525 ± 25 µm, (100), 1-seitig poliert, P-Typ (Boron), 1 - 10 Ohm cm, 200 nm SiO2, Einheiten von 25 Stück
Lagerbestand:
375
Ab
4,00 €*