ANTI-REFLEXIONS-BESCHICHTUNGEN
Die Stärke dünner Fotolackschichten und deren Homogenität liegt üblicherweise in der Größenordnung der Belichtungswellenlänge. Da Fotolacke üblicherweise mit diskreten Wellenlängen oder monochromatisch belichtet werden, führen Interferenzeffekte zwischen dem einfallenden und an der Lackoberfläche oder Substrat reflektierten Licht zu einer in Einfallsrichtung des Lichts inhomogenen Verteilung der Lichtintensität.
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3 Produkte
AZ AQUATAR-VIII-A 45 - 0.25 l
1008A4502
Bottle size:
0.25 l
AZ Aquatar ®-VIII A 45
Antireflexionsbeschichtung
Allgemeine Informationen
AZ® Aquatar -VIII A45 ist eine Antireflexbeschichtung der obersten Schicht für die Verwendung mit g- und i-line. AZ® Aquatar -VIII A45 wirkt wie eine optische Beschichtung an der Schnittstelle Fotodruck/Luft und verbessert den Bildkontrast.
Auch Mehrfachreflexionen innerhalb der Fotolack werden unterdrückt, das Ergebnis ist in der Regel eine Reduzierung der Amplitude der Schwingungskurve auf 1/3. Die Anwendung ist sehr einfach: Sie wird einfach auf die Fotolack aufgeschleudert, es ist kein zusätzlicher Bake-Zyklus erforderlich und der Standard-Entwicklungszyklus entfernt sie.
Dieses einfache Verfahren reduziert die Schwankungen der Linienbreite über die Topografie erheblich, unterdrückt jedoch keine reflektierenden Kerben.
Produkteigenschaften
AZ® Aquatar -VIII A45 Top-Antireflexbeschichtung ist ein wässriges Material zur Verwendung mit Positiv-Fotoresists in der Halbleiterindustrie. Die Antireflexbeschichtung bewirkt, dass die Amplitude der Resist Schwingungskurve drastisch reduziert wird. Wenn sie optimiert wird, kann die Amplitude der Schwingungskurve um bis zu einem Faktor drei reduziert werden. Die optimale Schichtdicke kann mit der folgenden Funktion berechnet werden:
Filmdicke=lambda : 4n
lambda=Wellenlänge des Belichtungslichts
n=Brechungsindex von AZ® Aquatar
Nach der Belichtung wird die obere Antireflexbeschichtung von AZ® Aquatar entweder mit Wasser oder mit dem wässrigen Positiv Resist Developer selbst entfernt. Sobald die Antireflexbeschichtung entfernt ist, entwickelt sich die Resist wie gewohnt. Ein optimierter Prozess wird bestätigt, wenn die ursprüngliche Resist Schwingungskurve genau um 180° phasenverschoben zu der veränderten Schwingungskurve ist, die sich aus der Verwendung der AZ® Aquatar Top-Antireflexionsschicht ergibt. Wenn dies nicht der Fall ist, wird die Schwingungskurve zwar immer noch deutlich reduziert, aber nicht in demselben Ausmaß wie bei einem vollständig optimierten Verfahren. Bei Verwendung von AZ® i-Linien-Fotoresists wird die Bildverzerrung, die sich normalerweise als Größenunterschied zwischen dichten und isolierten Linien zeigt, drastisch auf Werte nahe 0 % reduziert. Eine obere Antireflexbeschichtung kann die reflektierende Kerbe, die durch das vom Substrat reflektierte Licht entsteht, nicht verringern. Für diese Prozesssituation wird eine untere Antireflexionsbeschichtung, AZ® Aquatar, AZ® Barli, wird empfohlen.
Developer
Alle wässrigen alkalischen Developer.
Entferner
Nicht erforderlich, wasserlöslich.
Ausdünnen/Randwulstentfernung
Nicht erforderlich, wasserlöslich.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® Aquatar -VIII A45 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® Aquatar -VIII A45 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® Aquatar Fotolack englisch
Technisches Datenblatt AZ® Aquatar TARC deutsch
Info AZ® Aquatar DE
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ Barli II 200- 1.00 l
1A220001000
Bottle size:
1.00 l
AZ ® BARLiTM II 200
Antireflective Coating
General Information
AZ® BARLiTM II is a bottom antireflective layer coating for use on highly reflective surfaces in the semiconductor industry. It is designed to work with as antireflective layer between photoresist and substrate and is optimized for i-line exposure tools. Upon completion of the lithographic process, AZ® BARLiTM II is patterned in a dry-etch process.
Product Properties
AZ®BARLiTM II coating material is formulated in photoresist-compatible solvents to simplify the EBR process and to be both environmental and user friendly. AZ®BARLiTM II is tailor-made to yield the near-optimum values for refractive indices (n and k) for i-line lithography, which ensures minimum reflectivity and maximum swing reduction for photoresist layers. Composed of highly absorptive polymer-bound dyes, this material provides excellent coating uniformity and step coverage.
AZ®BARLiTM II shows high etch selectivity (comparable to AZ®BARLiTM) and high thermal stability up to 230°C. It does not show intermixing with photoresist when the bake temperature is higher than 180°C.
AZ®BARLiTM II is available in two thickness grades, 900 A and 2000 A, in order to provide optimum film thickness for the first and the second swing minimum respectively at about 3000 rpm spin speed.
Developers
No restriction.
Removers
Dry Etching.
Edge Bead Removal
We recommend AZ® EBR 70/30 for edge bead removal for best performance.
Further Information
MSDS:
Safety Data Sheet AZ®BARLiTM II 200 Photoresist english
Sicherheitsdatenblatt AZ®BARLiTM II 200 Fotolack german
TDS:
Technical Data Sheet AZ®BARLiTM II Photoresist english
Info AZ®BARLiTM II Photoresist english
Info AZ®BARLiTM II Processing english
Application Notes:
Further Information about Photoresist Processing
AZ Barli II 90- 3.785 l
1A209003785
AZ ® BARLiTM II 90
Antireflective Coating
General Information
AZ® BARLiTM II is a bottom antireflective layer coating for use on highly reflective surfaces in the semiconductor industry. It is designed to work with as antireflective layer between photoresist and substrate and is optimized for i-line exposure tools. Upon completion of the lithographic process, AZ® BARLiTM II is patterned in a dry-etch process.
Product Properties
AZ®BARLiTM II coating material is formulated in photoresist-compatible solvents to simplify the EBR process and to be both environmental and user friendly. AZ®BARLiTM II is tailor-made to yield the near-optimum values for refractive indices (n and k) for i-line lithography, which ensures minimum reflectivity and maximum swing reduction for photoresist layers. Composed of highly absorptive polymer-bound dyes, this material provides excellent coating uniformity and step coverage.
AZ®BARLiTM II shows high etch selectivity (comparable to AZ®BARLiTM) and high thermal stability up to 230°C. It does not show intermixing with photoresist when the bake temperature is higher than 180°C.
AZ®BARLiTM II is available in two thickness grades, 900 A and 2000 A, in order to provide optimum film thickness for the first and the second swing minimum respectively at about 3000 rpm spin speed.
Developers
No restriction.
Removers
Dry Etching.
Edge Bead Removal
We recommend AZ® EBR 70/30 for edge bead removal for best performance.
Further Information
MSDS:
Safety Data Sheet AZ®BARLiTM II 90 Photoresist english
Sicherheitsdatenblatt AZ®BARLiTM II 90 Fotolack german
TDS:
Technical Data Sheet AZ®BARLiTM II Photoresist english
Info AZ®BARLiTM II Photoresist english
Info AZ®BARLiTM II Processing english
Application Notes:
Further Information about Photoresist Processing