Zum Hauptinhalt springen Zur Suche springen Zur Hauptnavigation springen
Menü

CZ-Si wafer 4 inch 525 um (100) SSP B-doped

Prime CZ-Si wafer 525 µm 100

Beschreibung

Produktinformationen "CZ-Si wafer 4 inch 525 um (100) SSP B-doped"

Prime CZ-Si Wafer 4 Zoll, Dicke = 525 ± 15 µm, (100), 1-seitig poliert, P-Typ (Boron), TTV < 5 µm, 10 - 20 Ohm cm, Flats: 2, einseitige Metallisierung mit Ti 500nm +/- 5%