WEITERE FOTOLACKE
Neben den Standard Fotolacken führen wir auch ein paar Resiste mit besonderen Eigenschaften, die für spezielle Anwendungen und Prozesse entwickelt wurden.
Sprühlacke |
AZ® 4999 Photoresist |
TI Spray |
Lacke für E-Beam |
AZ® nLOF2070 Photoresist dil. |
Schutzlacke |
AZ® P4K-AP Coating |
Tauchlack |
MC Dip Coating |
Leiterplattenlack |
AZ® PL177 Photoresist |
Fotolack für Lift-Off |
AZ® nLOF2020 Photoresist |
AZ® nLOF 2035 Photoresist |
AZ® nLOF 2070 Photoresist
|
AZ® 5215-E Photoresist |
TI 35 ESX
|
Antireflexionsbeschichtung |
AZ® Aquatar-VIII-A45 |
AZ® Barli II 200 |
AZ® Barli II 90
|
Technische Informationen:
> Anwendungsbereiche und Kompatibilität
> Kritische Haltbarkeiten von AZ Produkten
Filter
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AZ 10XT Fotolack (220cP) - 3,785 l
1A10XT220
AZ® 10XT (220CPS)
Dickere Lacke für hohe Auflösung
Allgemeine Informationen
Im Vergleich zur AZ® 4500 Serie haben die AZ® 10XT Fotolacke eine geringere optische Absorption. Das vereinfacht die Belichtung von (auch sehr) dicken Resist Filmen. In Kombination mit der fehlenden g-Linien-Empfindlichkeit benötigt die AZ® 10XT Serie daher unter Breitbandbedingungen eine längere Belichtungszeit und weist eine geringere Entwicklungsrate auf als AZ® 4500 Filme, die unter den gleichen Bedingungen verarbeitet werden. Auf der anderen Seite zeigt der AZ® 10XT ein sehr hohes Seitenverhältnis und eine hohe Auflösung.
Für geringere Resist Filmdicken empfehlen wir eine Verdünnung mit PGMEA=AZ® EBR Solvent. Die folgenden Resist Schichtdicken beziehen sich auf 4000 U/min unter Standardbedingungen:
4.0 µm: 100g AZ® 10XT + 13g PGMEA
3.0 µm: 100g AZ® 10XT + 23g PGMEA
2.0 µm: 100g AZ® 10XT + 42g PGMEA
1.5 µm: 100g AZ® 10XT + 55g PGMEA
1.0 µm: 100g AZ® 10XT + 88g PGMEA
Das AZ® 10XT ist eine PFOS-freie Alternative zum AZ® 9260, die im Jahr 2019 eingestellt wurde. Viskosität und Prozessparameter sind identisch mit denen des früheren AZ® 9260.
3.0 µm Linien in 12 µm dicken AZ® 10XT Ultratech 1500 Belichtung, AZ® 400K Developer 1:4 (260s Spray)
Produkteigenschaften
Gute Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien
Kompatibel mit allen gängigen Developer (KOH- oder TMAH-basiert)
Verträglich mit allen gängigen Abbeizmitteln (z.B. mit AZ® 100 Remover, organischen Lösungsmitteln oder wässrigen Alkalien)
h- und i-linienempfindlich (ca. 320 - 410 nm)
Resist schichtdickenbereich ca. 5 - 30 µm
Developer
Die empfohlenen Developer für die AZ® 10XT Fotolack sind AZ® 400K 1:4 oder AZ® 726 MIF. Bei sehr dicken Resist Filmen kann eine eher starke Developer Konzentration wie AZ® 400K 1:3,5 - 1:3,0 für die erforderlichen kurzen Entwicklungszeiten sinnvoll sein.
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z.B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt.
Ausdünnen/ Randwulstentfernung
Wir empfehlen zum Verdünnen das AZ® EBR Solvent.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 10XT (220cps) englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 10XT (220cps) deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 10XT (220cps) englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ 10XT Photoresist (520cP) - 3.785 l
1A010XT00
Gebindegröße:
3.785 l
AZ® 10XT (520CPS)
Dicklack für hohe Auflösung
Allgemeine Informationen
Der AZ® 10XT ist ein i-und h-line (nicht g-line!) empfindlicher positiver Dicklack, als Nachfolger des AZ® 9260 mit diesem weitgehend baugleich, jedoch mit anderem Tensid. Der AZ® 10XT ist im Gegensatz zum ähnlich lautenden AZ® 12XT nicht chemisch verstärkt.
Produkteigenschaften
Der AZ® 10XT weist nicht nur eine optimierte Lackhaftung auf gängigen Substratmaterialien, sondern auch das Potenzial sehr steiler Lackflanken und hoher Aspektverhältnisse auf. Entsprechend wird der AZ® 10XT häufig in der Galvanik, der Ionenimplantation oder zum Trockenätzen/RIE eingesetzt. Der AZ® 10XT erzielt bei 4000 U/min Schleuderdrehzahl ca. 6 µm Lackschichtdicke, mit entsprechend angepasstem Schleuderprofil lässt sich der Lackschichtdickenbereich von ca. 4.5 - 20 µm abdecken. Falls dünnere Lackschichten gewünscht sind, kann der AZ® 10XT mit PGMEA verdünnt werden, alternativ kommt für viele Prozesse auch der dünnere AZ® 4533 in Frage. Ab ca. 10 - 15 µm Lackschichtdicke gestaltet sich die Prozessierung des AZ® 10XT zunehmend zeitaufwendig: Der Softbake und die spätere Entwicklung dauern länger, für die Rehydrierung zwischen Softbake und Belichtung wird immer mehr Zeit benötigt, und die Gefahr der Bildung von Stickstoffbläschen beim Belichten nimmt zu. Für Lackschichtdicken größer 10 µm empfiehlt es sich, die Verwendung eines chemisch verstärkten Dicklacks wie dem AZ® 12XT (5 - 20 µm Lackschichtdicke) oder AZ®IPS 6090 (> 20 µm Lackschichtdicke) in Erwägung zu ziehen, welche bei entsprechender Lackdicke deutlich kürzere Softbake- und Entwicklungsdauern aufweisen, keine Rehydrierung sowie deutlich geringere Lichtdosen benötigen, und keinen Stickstoff beim Belichten freisetzen.
Entwickler
Zur Entwicklung empfehlen sich entweder TMAH-basierte Entwickler wie die ready-to-use AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF, oder der KOH-basierte AZ® 400K 1:4 (typ. 1 : 4 verdünnt mit Wasser, für schnellere Entwicklung auch mit 1 : 3.5 oder 1 : 3 etwas schärfer angesetzt). Auf alkalisch empfindlichen Substratmaterialien wie Aluminium empfiehlt sich der Aluminium-kompatible, unverdünnte AZ® Developer.
Removers
Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140 °C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07.
Verdünnung / Randwallentfernung
Falls der Lack für die Schleuderbelackung verdünnt werden soll, käme grundsätzlich PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® 10 XT dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zur Randwallentfernung.
Further Information
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MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 10XT (520cps) englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 10XT (520cps) deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 10XT (520cps) englisch
Anwendungshinweis:
Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung
AZ 125nXT-10B Photoresist - 3.785 l
1125nXT10B
Bottle size:
3.785 l
AZ® 125nXT-10B
Ultradickes Negativ Resist für die Beschichtung
Allgemeine Informationen
AZ® 125nXT-10B für 25 - 200 µm Resist Schichtdicke (i-line)
Das AZ® 125nXT-10B ist ein Negativ Resist für Schichtdicken bis zu über 100 µm bei gleichzeitig sehr hoher Seitenwandsteilheit. Und sogar noch mehr (1 mm Resist Schichtdicke realisiert!) mit sehr steilen Seitenwänden und speziellen Beschichtungstechniken. Seine Vernetzung und sehr gute Resist Haftung machen es stabil in allen konventionellen Galvanikanwendungen. Dieses Resist muss nicht nachbelichtet werden.
20 µm Linien bei 60 µm Resist Schichtdicke.
15 µm Löcher bei 60 µm Resist Schichtdicke.
80 µm plattiertes CuNi-Bild.
Produkteigenschaften
30 - 100 µm Resist Schichtdicke durch Einfachbeschichtung
Bis zu 1 mm Resist Schichtdicke möglich
Wässrig alkalisch Developer (z. B. AZ® 326/726/2026 MIF)
Kein Bake nach der Belichtung, Fotopolymerisation während der Belichtung
Keine Rehydrierung erforderlich, keine N2-Bildung während der Belichtung
Sehr gute Haftung, kein Underplating
Nassabziehverfahren (z. B. TechniStrip P1316)
Optimiert für Galvanik, Nass- und Trockenätzung
Developer
Wir empfehlen die TMAH-basierte, gebrauchsfertige AZ® 2026 MIF Developer. AZ® 326 MIF und AZ® 726 MIF sind ebenfalls möglich.
Entferner
Der empfohlene Stripper für den AZ® 125nXT-10B ist der NMP-freie TechniStrip P1316, bei alkaliempfindlichen Trägermaterialien der TechniStrip P1331 oder TechniStrip MLO07.
Lösungsmittel wie NMP oder der Untoxik-Ersatzstoff DMSO sind geeignete Entferner, wenn die Resist Filmdicke und der Vernetzungsgrad nicht zu hoch sind. Im Allgemeinen kann bei sehr dicken Resist Filmen ein Erhitzen der Entferner auf 60 - 80°C oder/und eine Ultraschallbehandlung erforderlich sein, um die Resist Entfernung zu beschleunigen.
Resist muster und plattierte Strukturen, die mit einer 60 und 120 µm dicken AZ® 125nXT.
Ausdünnung/Randwulstentfernung
Wir empfehlen für das Verdünnen und Entfernen von Randwülsten die Produkte AZ® EBR Solvent oder AZ® EBR Solvent 70/30.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 125nXT-10B englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 125nXT-10B deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 125nXT-10B englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ 15nXT Photoresist (450cps) - 3.785 l
15nXT3
Bottle size:
3.785 l
AZ® 15nXT (450CPS)
Dickes Negativ Resist für die Beschichtung
Allgemeine Informationen
AZ® 15nXT (450CPS) für 5 - 20 µm Resist Schichtdicke (i-line)
Die AZ® 15nXT (450CPS) ist ein Negativ Resist für Schichtdicken bis zu ca. 20 µm, mit einer Resist Schichtdicke von ~ 6 µm bei 4000 U/min. Durch seinen vernetzenden Charakter und seine sehr gute Resist Haftung ist es z. B. für alle herkömmlichen Galvanikanwendungen stabil. Bis zu einer Schichtdicke von etwa 10 µm Resist sind die Resist Seitenwände senkrecht, bei größeren Schichtdicken zunehmend negativ (unterschnitten), so dass sich die geformten Metallstrukturen nach oben hin verjüngen. Eine Nachbelichtung ist obligatorisch, um die während der Belichtung eingeleitete Vernetzung auszuführen.
5 µm Linien bei 10 µm Resist Schichtdicke.
5 µm Löcher bei 10 µm Resist Schichtdicke.
5 µm plattiertes CuNi-Bild.
3.6 µm plattiertes CuNi-Bild.
Produkteigenschaften
5 - 20 µm Resist Schichtdicke durch Einfachbeschichtung
Wässrig alkalisch Developer, vorzugsweise AZ® 2026 MIF
Ausgezeichnete Haftung, keine Unterbeschichtung
Breite Substratkompatibilität: Cu, Au, Ti, NiFe, ..
Breite Beschichtungskompatibilität: Cu, Ni, Au, ..
Standard-Nassentschichtungsverfahren
Nahezu vertikale Seitenwandwinkel
Developer
Wir empfehlen die TMAH-basierte, gebrauchsfertige AZ® 2026 MIF Developer. AZ® 326 MIF und AZ® 726 MIF sind ebenfalls möglich.
Entferner
Das empfohlene Stripper für AZ® 15nXT ist das NMP-freie, ungiftige TechniStrip NI555 oder das AZ® 910 Remover, das mit allen gängigen (auch alkaliempfindlichen) Untergrundmaterialien verträglich ist und sogar vernetzte AZ® 15nXT Resist Filme auflösen (nicht nur vom Untergrund abziehen) kann.
Lösungsmittel wie NMP oder der ungiftige Ersatzstoff DMSO sind geeignete Entferner, wenn die Resist Foliendicke und der Vernetzungsgrad nicht zu hoch sind.
Im Allgemeinen kann bei sehr dicken oder stark vernetzten Resist Folien ein Erhitzen dieser Entferner auf 60 - 80°C oder/und eine Ultraschallbehandlung erforderlich sein, um die Resist Entfernung zu beschleunigen.
Ausdünnung/Randwulstentfernung
Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten die Produkte AZ® EBR Solvent oder PGMEA.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 15nXT (450CPS) Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 15nXT (450CPS) Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 15nXT (450CPS) Fotolack englisch
Technisches Datenblatt AZ® 15nXT Serie englisch
Informationen AZ® 15nXT (450CPS) Fotolack english
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ 40XT-11D Photoresist - 3.785 l
10040XT
Bottle size:
3.785 l
AZ® 40XT
Chemisch verstärkte dicke Fotolack
Allgemeine Informationen
AZ® 40XT für 15 - 100 µm Resist Filmdicke (i-line)
Die chemisch verstärkte AZ® 40 XT ist eine ultradicke Resist, deren hohe Viskosität sehr große Resist Filmdicken durch eine einzige Beschichtung ermöglicht. Sie muss nicht rehydriert werden, benötigt eine geringe Lichtdosis, setzt bei der Belichtung keinen Stickstoff frei und entwickelt sich sehr schnell, was im Vergleich zu herkömmlichen dicken Resist Filmen deutlich kürzere Prozesszeiten ermöglicht. Allerdings muss die AZ® 40XT zwingend mit einem Post Exposure Bake entwickelt werden.
Hinweis: Die maximale Soft-Bake-Temperatur darf nicht abrupt angewendet werden, um die Bildung von Blasen in der Resist Folie zu verhindern. Wir empfehlen entweder die Verwendung einer Annäherungsheizplatte oder eine Temperaturrampe auf einer Kontaktheizplatte. Die richtigen Temperaturrampen sind entscheidend für eine blasenfreie Resist Verarbeitung mit dieser Resist.
Linien und Zwischenräume von 100 bis 10 µm mit einer 40 µm dicken AZ® 40XT bei 400 mJ/cm2 Belichtungsdosis
Produkteigenschaften
15 - 100 µm Resist Schichtdicke durch Einfachbeschichtung
Wässrig alkalisch Developer (z.B. AZ® 326/726/2026 MIF)
Keine Rehydrierung erforderlich, keine N2-Bildung während der Belichtung
Sehr gute Haftung, sehr steile Resist Seitenwände
Kann nass- und trocken-chemisch entlackt werden
Optimiert für Galvanik, Nass- und Trockenätzung
i-Linien-empfindlich (ca. 330 - 390 nm)
Developer
Wir empfehlen gängige TMAH-basierte Developer wie die AZ® 326 MIF, AZ® 726 MIF oder AZ® 2026 MIF Developer.
Entferner
AZ® 40XT Fotolack ist mit branchenüblichen lösungsmittelbasierten Entfernern kompatibel (z. B. NMP, DMSO, AZ® 920 Remover oder Technistrip MLO07).
Verdünnen/Entfernen von Randwülsten
Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR70/30 Solvent ist ebenfalls für die Randwulstentfernung geeignet.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 40XT Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 40XT Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 40XT Fotolack englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ 4999 Fotolack - 3.785 l - EUD/EVE!
1A004999
Bottle size:
3.785 l
AZ® 4999
Sprühlack
Allgemeine Informationen
AZ® 4999 ist eine hochtransparente Fotolack Sprühbeschichtung, die speziell für spezielle Sprühbeschichtungsanlagen (z. B. SÜSS Delta AltaSpray) entwickelt wurde, um fehlerfreie und gleichmäßige Beschichtungen auf Geräten mit schwieriger Topografie zu erzielen. Dicke (einige bis mehrere zehn Mikrometer) und gleichmäßige Resist Beschichtungen werden auf Topografien wie V-Nuten und Gräben mit optimaler Abdeckung von scharfen Kanten erzielt. Es gibt keine Anhäufung von Resist in Gräben. Die Verwendung von AZ® 4999 Fotolack ermöglicht eine hohe Reproduzierbarkeit in der Massenproduktion.
Produkteigenschaften
Viskosität (bei 25°C): 0.52 cSt
Feststoffgehalt: 4%
Absorptionsvermögen bei 398 nm: 0.1 l/(g*cm)
Spektrale Empfindlichkeit: 310 nm - 440 nm
Developer
Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich das KOH-basierte AZ® 400K in einer 1:4 Verdünnung (für höhere Resist Schichtdicken 1:3,5 - 1:3 verdünnt möglich) Developer.
Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir das TMAH-basierte AZ® 2026 MIF Developer (unverdünnt).
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt.
Ausdünnen/Randwulstentfernung
Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten die Produkte AZ® EBR Solvent oder PGMEA.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 4999 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 4999 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 4999 Fotolack englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ 5214-E Photoresist - 3.785 l
1005214EJP
Bottle size:
3.785 l
AZ® 5214E
Image Reversal Resist für hohe Auflösung
Allgemeine Informationen
Dieses spezielle Fotolack ist für Lift-off-Techniken gedacht, die ein negatives Seitenwandprofil erfordern. Das Umkehrbacken vernetzt die belichteten Resist mäßig und macht die entwickelten Strukturen bis zu ca. 130°C thermisch stabil. Aufgrund der vergleichsweise geringen Schichtdicke von Resist von ~1,4 µm ist das Prozessparameterfenster für einen Unterschnitt eher klein, so dass einige Optimierungen bei der Belichtungsdosis und den Reversal-Bake-Parametern erforderlich sind. Wenn die benötigte Auflösung nicht im sub-µm-Bereich liegt, ist ein dickerer Resist wie der AZ® LNR-003 (nächster Abschnitt) oder der AZ® nLOF 2000 Negativresist eine gute Alternative.
Der Unterschnitt von AZ® 5214E wurde mit optimierten Prozessparametern erreicht.
Produkteigenschaften
Sehr hohe Auflösung sowohl als Positiv- Resist als auch als Negativlack Resist
Mögliches negatives Seitenwandprofil im Bildumkehrmodus
Kompatibel mit allen gängigen Developer (NaOH-, KOH- oder TMAH-basiert)
Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z. B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien)
h- und i-Linien empfindlich (ca. 320 - 405 nm)
Resist schichtdickenbereich ca. 1,0 - 1,8 µm
Hohe thermische Stabilität, besonders im Umkehrbildmodus
Developer
Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich die NaOH-basierte AZ® 351B in einer 1:4 Verdünnung (für eine geforderte Auflösung < 1 µm wird eine 1:5 Verdünnung empfohlen) Developer.
Die KOH-basierte AZ® 400K (ebenfalls 1:4 - 1:5 verdünnt) ist ebenfalls möglich.
Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierte AZ® 726 MIF oder AZ® 326 MIF Developer, normalerweise unverdünnt, oder - für maximale Auflösung - mäßig 3:1 - 2:1 ( 3 Teile Developer:1 Teil DI-Wasser) mit Wasser verdünnt.
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können die AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt.
Ausdünnen/Randwulstentfernung
Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten die Produkte AZ® EBR Solvent oder PGMEA.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 5214E Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 5214E Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 5214E Fotolack englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ IPS-6090 Photoresist - 3.785 l
1006090
Bottle size:
3.785 l
AZ® IPS-6090
Positiv Dick Resist
Allgemeine Informationen
AZ® IPS-6090 für 30 - 150 µm Resist Filmdicke (i-line) Das chemisch verstärkte AZ® IPS-6090 ist, vergleichbar mit dem AZ® 40XT, ein ultradicker Resist Film, dessen hohe Viskosität sehr große Resist Filmdicken durch eine einzige Beschichtung ermöglicht. Sie muss nicht rehydriert werden, benötigt eine geringe Lichtdosis, setzt bei der Belichtung keinen Stickstoff frei und entwickelt sich sehr schnell, was im Vergleich zu herkömmlichen dicken Resist Filmen deutlich kürzere Prozesszeiten ermöglicht. Die AZ® IPS-6090 muss jedoch zwangsläufig nach der Belichtung gebacken werden, um entwickelt zu werden. Sie wurde für die Strukturierung von Halbleitern in fortschrittlichen Packaging-Anwendungen (3DIC/TSV, CU Pillar, WLCSP, MEMS) entwickelt.
IPS 6050 (80 µm Resist Schichtdicke)
Produkt-Eigenschaften
Sehr hohe Auflösung
Hohes Aspektverhältnis
Niedrige Belichtungsdosis für die Dicke der Folie
Gerades Musterprofil und fußfrei
i-line empfindlich, 330 - 390 nm
Filmdickenbereich: 30 - 150 µm
Geeignet für Anwendungen wie die elektrochemische Abscheidung / Beschichtung von Cu RDL im WLCSP-Prozess
Elektrochemische Abscheidung / Beschichtung von Cu, Ni, Sn, SnAg, Au für 3DIC, FO und Flipchip-Verfahren
Opferschicht für den Ätzprozess von Si in TSV
Opferschicht für den SiO2- oder SiN-Ätzprozess in der CMOS-Sensorverarbeitung
Developer
Wir empfehlen AZ® 326 MIF Developer oder AZ® 726 MIF Developer (diese enthält Tenside) für die Fotolack AZ® IPS-6090.
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können die AZ® 100 Remover, DMSO oder andere gängige organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie dem Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover oder das TechniStrip P1331.
Ausdünnung/Randstreifenentfernung
Wir empfehlen für das Ausdünnen und Entfernen von Randwülsten AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR70/30 Solvent ist ebenfalls für die Randwulstentfernung geeignet.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® IPS-6090 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® IPS-6090 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® IPS-6090 englisch
Informationen AZ® IPS-6090 englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ NLOF 2020 Photoresist - 3.785 l
1A002020
Bottle size:
3.785 l
AZ® nLOF 2020
Dickes Negativ Resist für Lift Off
Allgemeine Informationen
AZ® nLOF 2020 Fotolack für 2-10 µm Resist Schichtdicke (i-line)
Die AZ® nLOF 2000 Serie ist mit unterschnittenen Resist Profilen und hohem Widerstand gegen thermischen Fluss für Lift-Off-Anwendungen optimiert. Die drei Viskositätsklassen AZ® nLOF 2020 (2,0 µm Resist Schichtdicke bei 4000 U/min), AZ® nLOF 2035 (3,5 µm) und AZ® nLOF 2070 (7,0 µm) decken einen großen Resist Schichtdickenbereich mit einem hohen möglichen Aspektverhältnis ab. Eine Nachbelichtung ist obligatorisch, um die während der Belichtung eingeleitete Vernetzung durchzuführen.
Neben den oben genannten Resist Typen verdünnt MicroChemicals die AZ® nLOF 2000 Serie auf verschiedene Schichtdicken.
700 nm Resist Linien, die mit dem 2,0 µm dicken AZ® nLOF 2020.
Produkteigenschaften
AZ® nLOF 2020 für Schichtdicke 2,0 µm @ 3000 rpm
i-Linien empfindlich (365 nm), nicht g- oder h-Linien empfindlich
Sehr hohe thermische Stabilität: Fast keine Abrundung der vernetzten Resist Muster bis zu Temperaturen von 250°C und mehr.
Hohe chemische Stabilität: Abhängig von den Prozessparametern ist die AZ® nLOF 2000 Serie gegen viele organische Lösungsmittel sowie gegen stark alkalische Medien stabil (jedoch nicht gegen KOH-Ätzungen!).
Die E-Beam-Empfindlichkeit der AZ® nLOF 2000-Serie ermöglicht die Kombination von schneller UV- und hochauflösender E-Beam-Lithografie. (Bitte kontaktiere uns für weitere Informationen!)
Reproduzierbarer Unterschnitt für hervorragende Abhebergebnisse
Hohe Ausbeute in industriellen Prozessen aufgrund des großen Prozessfensters
Developer
Die empfohlene Developer ist die AZ® 2026 MIF, die am besten mit der AZ® nLof 2000 Serie funktioniert. AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF sind ebenfalls möglich. KOH- oder NaOH-basierte Developer oder AZ® Developer werden keine vernünftigen Ergebnisse liefern. Nur AZ® 303 Developer kann in Fällen verwendet werden, in denen TMAH-basierte Developer keine Option sind.
Entferner
Das empfohlene Stripper für die AZ® nLOF 2000 Serie ist das NMP-freie TechniStrip NI555 oder AZ® 910 Remover, das mit allen gängigen (auch alkaliempfindlichen) Trägermaterialien verträglich ist und sogar vernetzte AZ® nLOF 2070 Resist Filme auflösen (nicht nur vom Trägermaterial abziehen) kann.
Lösungsmittel wie NMP oder der untoxische Ersatzstoff DMSO sind geeignete Entferner, wenn die Resist Filmdicke und der Vernetzungsgrad nicht zu hoch sind.
Im Allgemeinen kann bei sehr dicken oder stark vernetzten Resist Filmen ein Erhitzen dieser Entferner auf 60 - 80°C oder/und eine Ultraschallbehandlung erforderlich sein, um die Resist Entfernung zu beschleunigen.
Ausdünnung/Randwulstentfernung
Wir empfehlen für das Verdünnen und Entfernen von Randwülsten das AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR Solvent 70/30 ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® nLOF2020 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® nLOF2020 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® nLOF2000 Serie englisch
Informationen AZ® nLOF2000 Serie englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ NLOF 2035 Photoresist - 3.785 l
1A002035
Bottle size:
3.785 l
AZ® nLOF 2035
Dickes Negativ Resist für Lift Off
Allgemeine Informationen
AZ® nLOF 2035 Fotolack für 3-5 µm Resist Schichtdicke (i-line)
Die AZ® nLOF 2000 Serie ist mit unterschnittenen Resist Profilen und hohem Widerstand gegen thermischen Fluss für Lift-Off-Anwendungen optimiert. Die drei Viskositätsklassen AZ® nLOF 2020 (2,0 µm Resist Schichtdicke bei 4000 U/min), AZ® nLOF 2035 (3,5 µm) und AZ® nLOF 2070 (7,0 µm) decken einen großen Resist Schichtdickenbereich mit einem hohen möglichen Aspektverhältnis ab. Eine Nachbelichtung ist obligatorisch, um die während der Belichtung eingeleitete Vernetzung durchzuführen.
Neben den oben genannten Resist Typen verdünnt MicroChemicals die AZ® nLOF 2000 Serie auf verschiedene Schichtdicken.
700 nm Resist Linien, die mit dem 3,5 µm dicken AZ® nLOF 2035.*
Produkteigenschaften
AZ® nLOF 2035 für Schichtdicke 3,5 µm @ 3000 rpm
i-Linien empfindlich (365 nm), nicht g- oder h-Linien empfindlich
Sehr hohe thermische Stabilität: Fast keine Abrundung der vernetzten Resist Muster bis zu Temperaturen von 250°C und mehr.
Hohe chemische Stabilität: Abhängig von den Prozessparametern ist die AZ® nLOF 2000 Serie gegen viele organische Lösungsmittel sowie gegen stark alkalische Medien stabil (jedoch nicht gegen KOH-Ätzungen!).
Die E-Beam-Empfindlichkeit der AZ® nLOF 2000-Serie ermöglicht die Kombination von schneller UV- und hochauflösender E-Beam-Lithografie. (Bitte kontaktiere uns für weitere Informationen!)
Reproduzierbarer Unterschnitt für hervorragende Abhebergebnisse
Hohe Ausbeute in industriellen Prozessen aufgrund des großen Prozessfensters
Developer
Die empfohlene Developer ist die AZ® 2026 MIF, die am besten mit der AZ® nLof 2000 Serie funktioniert. AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF sind ebenfalls möglich. KOH- oder NaOH-basierte Developer oder AZ® Developer werden keine vernünftigen Ergebnisse liefern. Nur AZ® 303 Developer kann in Fällen verwendet werden, in denen TMAH-basierte Developer keine Option sind.
Entferner
Das empfohlene Stripper für die AZ® nLOF 2000 Serie ist das NMP-freie TechniStrip NI555 oder AZ® 910 Remover, das mit allen gängigen (auch alkaliempfindlichen) Trägermaterialien verträglich ist und sogar vernetzte AZ® nLOF 2070 Resist Filme auflösen (nicht nur vom Trägermaterial abziehen) kann.
Lösungsmittel wie NMP oder der untoxische Ersatzstoff DMSO sind geeignete Entferner, wenn die Resist Filmdicke und der Vernetzungsgrad nicht zu hoch sind.
Im Allgemeinen kann bei sehr dicken oder stark vernetzten Resist Filmen ein Erhitzen dieser Entferner auf 60 - 80°C oder/und eine Ultraschallbehandlung erforderlich sein, um die Resist Entfernung zu beschleunigen.
Ausdünnung/Randwulstentfernung
Wir empfehlen für das Verdünnen und Entfernen von Randwülsten das AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR Solvent 70/30 ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® nLOF2035 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® nLOF2035 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® nLOF2000 Serie englisch
Informationen AZ® nLOF2000 Serie englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ NLOF 2070 Photoresist - 3.785 l
1A002070
Gebindegröße:
3.785 l
AZ® nLOF 2070
Dickes Negativ Resist für Lift Off
Allgemeine Informationen
AZ® nLOF 2070 Fotolack für 5-15 µm Resist Schichtdicke (i-line)
Die AZ® nLOF 2000 Serie ist mit unterschnittenen Resist Profilen und hohem Widerstand gegen thermischen Fluss für Lift-Off-Anwendungen optimiert. Die drei Viskositätsklassen AZ® nLOF 2020 (2,0 µm Resist Schichtdicke bei 4000 U/min), AZ® nLOF 2035 (3,5 µm) und AZ® nLOF 2070 (7,0 µm) decken einen großen Resist Schichtdickenbereich mit einem hohen möglichen Aspektverhältnis ab. Ein Backvorgang nach der Belichtung ist obligatorisch, um die während der Belichtung eingeleitete Vernetzung zu vollenden.
Neben den oben genannten Resist Typen verdünnt MicroChemicals die AZ® nLOF 2000 Serie auf verschiedene Schichtdicken.
Ein ausgeprägter Unterschnitt, der mit dem AZ® nLOF 2070 in einer Dicke von 22 µm.
Produkteigenschaften
AZ® nLOF 2070 für Schichtdicke 7,0 µm @ 3000 U/min
i-Linien-empfindlich (365 nm), nicht g- oder h-Linien-empfindlich
Sehr hohe thermische Stabilität: Fast keine Abrundung der vernetzten Resist Muster bis zu Temperaturen von 250°C und mehr.
Hohe chemische Stabilität: Abhängig von den Prozessparametern ist die AZ® nLOF 2000 Serie gegen viele organische Lösungsmittel sowie gegen stark alkalische Medien stabil (jedoch nicht gegen KOH-Ätzungen!).
Die E-Beam-Empfindlichkeit der AZ® nLOF 2000-Serie ermöglicht die Kombination von schneller UV- und hochauflösender E-Beam-Lithografie. (Bitte kontaktiere uns für weitere Informationen!)
Reproduzierbarer Unterschnitt für hervorragende Abhebergebnisse
Hohe Ausbeute in industriellen Prozessen aufgrund des großen Prozessfensters
Developer
Die empfohlene Developer ist die AZ® 2026 MIF, die am besten mit der AZ® nLof 2000 Serie funktioniert. AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF sind ebenfalls möglich. KOH- oder NaOH-basierte Developer oder AZ® Developer werden keine vernünftigen Ergebnisse liefern. Nur AZ® 303 Developer kann in Fällen verwendet werden, in denen TMAH-basierte Developer keine Option sind.
Entferner
Das empfohlene Stripper für die AZ® nLOF 2000 Serie ist das NMP-freie TechniStrip NI555 oder AZ® 910 Remover, das mit allen gängigen (auch alkaliempfindlichen) Trägermaterialien verträglich ist und sogar vernetzte AZ® nLOF 2070 Resist Filme auflösen (nicht nur vom Trägermaterial abziehen) kann.
Lösungsmittel wie NMP oder der untoxische Ersatzstoff DMSO sind geeignete Entferner, wenn die Resist Filmdicke und der Vernetzungsgrad nicht zu hoch sind.
Im Allgemeinen kann bei sehr dicken oder stark vernetzten Resist Filmen ein Erhitzen dieser Entferner auf 60 - 80°C oder/und eine Ultraschallbehandlung erforderlich sein, um die Resist Entfernung zu beschleunigen.
Ausdünnung/Randwulstentfernung
Wir empfehlen für das Verdünnen und Entfernen von Randwülsten das AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR Solvent 70/30 ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® nLOF2070 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® nLOF2070 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® nLOF2000 Serie englisch
Informationen AZ® nLOF2000 Serie englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
MC-Dip-Coating Resist - 0,50 l
1dip005
Bottle size:
0.50 l
MC-Dip-Coating Resist
Resist für Tauchbeschichtung
Allgemeine Informationen
Das MC Dip Coating Resist ist ein positiv getöntes, gebrauchsfertiges (fertig verdünntes), kostengünstiges Resist, das für die Tauchbeschichtung mit verbesserter großflächiger Resist Schichtdickenhomogenität optimiert ist.
Produkt-Eigenschaften
MC Dip Coating Resist ist ein kostengünstiger, gebrauchsfertiger (fertig verdünnter) Positivton Resist, der für die Tauchbeschichtung mit verbesserter großflächiger Resist Schichtdickenhomogenität optimiert ist. Sein Farbstoff ermöglicht eine schnelle und einfache visuelle Überprüfung der Beschichtungsleistung. Der erreichbare Resist Schichtdickenbereich liegt bei ca. 2 - 10 µm bei einer Zuggeschwindigkeit von 3 - 15 mm/s.
MC Dip Coating Resist enthält zwei Lösungsmittel: Das niedrig siedende MEK bewirkt eine schnelle Vortrocknung des Resist Films und verhindert so, dass Resist zum Boden des zu beschichtenden Substrats (Platten) fließt. Das hochsiedende (= langsam verdampfende) PGMEA sorgt für eine sehr glatte Resist Filmoberfläche.
Tauchbeschichtung
Für eine hohe Homogenität der Beschichtung wird eine Zuggeschwindigkeit von 5 - 8 mm/s empfohlen. Zwischen den Tauchbeschichtungsschritten empfiehlt es sich, den Tank abzudecken, um die Verdunstung von MEK und die Einbindung von Partikeln in die Flüssigkeit zu verhindern Resist. Nach der Beschichtung sollte der Resist Film einige Minuten bei Raumtemperatur ruhen, damit er sich glätten kann.
Developer
Wir empfehlen die Developer AZ® Developer , AZ® 400K und AZ® 351B. Möglich sind auch einfache NaOH, KOH und TMAH Lösungen.
Resist Ablösen
Alkalische Abbeizmittel wie AZ® 100 Remover, oder eine ca. 3 %ige wässrige KOH- oder NaOH-Lösung sind geeignet. Viele organische Lösungsmittel eignen sich auch für die Entfernung Fotolack.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt MC Dip Coating Resist englisch
Sicherheitsdatenblatt MC Dip Coating Resist deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt MC Dip Coating Resist englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
PL 177 Photoresist - 3.785 l
1A000177
Bottle size:
3.785 l
AZ® PL 177
Positiv Dick Resist
Allgemeine Informationen
AZ® PL 177 ist eine positiv gefärbte Flüssigkeit Fotolack für die Anwendung in verschiedenen Beschichtungstechniken, insbesondere für die Leiterplattenherstellung. AZ® PL 177 ist mit einer blau/violetten Farbe eingefärbt, um eine einfache Kontrolle nach der Beschichtung zu ermöglichen. Sie kann sowohl für die Schleuderbeschichtung als auch für die Tauchbeschichtung oder für die Spritz- und Walzenbeschichtung verwendet werden. Aufgrund seiner hervorragenden Haftungseigenschaften und seiner chemischen Stabilität eignet es sich besonders für das nasschemische Ätzen. Es ist ein Allzweckmittel Resist und eignet sich für alle Anwendungen, bei denen eine hohe Auflösung und eine hohe thermische Stabilität nicht wichtig sind.
Das AZ® PL 177 ist ein preiswerteres Resist für geringere Anforderungen an Auflösung und Seitenwandsteilheit. Mit einer Resist Schichtdicke von ca. 5 µm bei 4000 U/min ist eine Auflösung von ca. 4 - 5 µm möglich.
Produkt-Eigenschaften
Gutes Trocknungsverhalten
Wässrig-alkalische Prozessfähigkeit
PGMEA-basierte Formulierung
Sehr gute Hafteigenschaften auf vielen Arten von Substraten
Blau/violett gefärbt für eine einfache Inspektion
Kompatibel mit allen gängigen Abbeizmitteln (z.B. mit AZ® 100 Remover, organischen Lösungsmitteln oder wässrigen Alkalien)
g-, h- und i-linienempfindlich (ca. 320 - 440 nm)
Resist schichtdickenbereich ca. 4 - 8 µm
Developer
Als Developer empfehlen wir den NaOH-basierten AZ® 351B, den KOH-basierten AZ® 400K oder einen TMAH-basierten Entwickler wie den AZ® 2026 MIF. AZ Developer und sogar einfache wässrige KOH- oder NaOH-Lösungen können verwendet werden.
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z.B. durch Hochtemperaturschritte > 140°C, während Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder während der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover.
AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte oder schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt.
Ausdünnung/Randwulstentfernung
Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten AZ® EBR Solvent, PGMEA oder MEK. AZ® EBR 70/30 Solvent ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® PL177 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® PL177 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® PL177 Fotolack englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
TI 35 ESX - 5.00 l
1035005X
Bottle size:
5.00 l
TI 35ESX Fotolack
Image Reversal Resist
Allgemeine Informationen
Die TI 35 ESX Resist ist speziell für den Einsatz in der so genannten "Image Reversal Technologie" konzipiert für:
Nachträgliches Abheben von abgeschiedenen Schichten mit einer Dicke von bis zu 4 µm
Plasma-Ätzen
Die Viskosität der Resist führt zu einem Dickenbereich je nach Schleudergeschwindigkeit von 2,5 - 3,5 µm. Das typische Aspektverhältnis der erreichbaren strukturierten Merkmale liegt im Bereich von 1,0 - 2,0. Dieses technische Datenblatt soll dir einen Leitfaden für Prozessparameter für verschiedene Anwendungen geben. Die optimalen Werte für z. B. das Schleuderprofil, die Belichtungsdosis oder die Entwicklung hängen jedoch von der jeweiligen Ausrüstung ab und müssen für jede einzelne Anforderung angepasst werden.
Aufgrund der erforderlichen zweiten Belichtung wird der Prozessablauf mit einem negativen Resist wie der **AZ® nLof 20xx Serie und könnte eine gute Alternative sein.
Produkteigenschaften
Mögliches negatives Seitenwandprofil im Bildumkehrmodus
Kompatibel mit allen gängigen Developer (NaOH-, KOH- oder TMAH-basiert)
Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z. B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien)
g-, h- und i-linienempfindlich (ca. 320 - 440 nm)
Resist schichtdickenbereich ca. 2,5 - 3,5 µm
Developer
Wir empfehlen die TMAH-basierten Developer AZ® 726 MIF, AZ® 2026 MIF oder AZ® 400K 1:4 auf Basis von gepuffertem KOH.
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt.
Ausdünnen/Randwulstentfernung
Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten die Produkte AZ® EBR Solvent oder PGMEA.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt TI 35ESX Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt TI 35ESX Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt TI 35ESX Fotolack englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
TI Spray - 0.25 l
1030010
Bottle size:
0.25 l
TI-Spray
Image Reversal Resist
Allgemeine Informationen
TI Spray für 1 - 20 µm Resist Schichtdicke (g-, H- und I-Linie)
TI Spray ist ein gebrauchsfertiges Spray Resist, dessen geringer Gehalt an niedrig siedendem Lösungsmittel eine glatte Resist Oberfläche auf Kosten einer etwas geringeren Kantenabdeckung durch langsames Trocknen der gebildeten Resist Schicht ermöglicht (Wenn Kantenabdeckung von höchster Bedeutung ist, sollte die Verwendung von AZ® 4999 als gute Alternative in Betracht gezogen werden).
Es kann im Positiv- oder im Bildumkehrmodus (negativ) verwendet werden. Es kann sowohl für nasschemische Ätzverfahren als auch für Lift-off-Anwendungen verwendet werden.
Produkt-Eigenschaften
Optimierte Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien
Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse
Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z. B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrig-alkalisch)
g-, h- und i-line empfindlich (ca. 320 - 440 nm)
Resist schichtdickenbereich ca. 1 - 20 µm
Sehr glatte Resist Schichten nach der Sprühbeschichtung um den Preis eines geringeren Kantenbedeckungspotenzials
Developer
Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, ist der KOH-basierte AZ® 400K in einer 1:4 Verdünnung (für höhere Resist Schichtdicken 1:3,5 - 1:3 verdünnt möglich) ein geeignetes Developer.
Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir den TMAH-basierten AZ® 2026 MIF Developer (unverdünnt).
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt.
Ausdünnen/Randwulstentfernung
Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten die Produkte AZ® EBR Solvent oder PGMEA.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt TI Spray english
Sicherheitsdatenblatt TI Spray deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt TI Spray englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung