Phosphoric Acid MicroChemicals GmbH

240214_TECHNIC_Kunststoffflasche_2,5L_weiss-3.jpg

240214_TECHNIC_Kunststoffflasche_2,5L_weiss-2.jpg

BOE 7:1 (87,5 : 12,5) - 2.50 l - VLSI - EVE/EUD!

TBOV1025

BOE 7:1 Gepufferte Oxidätzung Allgemeine Informationen BOE wird hauptsächlich zum Ätzen von Gläsern, Quarz und SiO2-Filmen verwendet. Wir liefern BOE 7:1=gepufferte Flusssäure (HF : NH4F=12,5 : 87,5%) in VLSI-Qualität, was den üblichen Reinheitsgraden entspricht, die in der Halbleiterverarbeitung und Mikroelektronik verwendet werden. HINWEIS: BOE muss über +12,5°C gelagert und transportiert werden. Unterhalb dieser kritischen Temperatur von 12,5°C bildet das Material Partikel (kleine Kristalle). Da diese Kristalle eine höhere Dichte haben, sammeln sie sich am Boden der Flasche an und werden erst dann wieder vollständig aufgelöst, wenn das Material einige Tage lang bei Temperaturen von 30 - 35°C gelagert wird. Nach dieser Prozedur sollten die Kristalle wieder vollständig aufgelöst sein und die BOE kann dann ohne Einschränkungen verwendet werden. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt BOE 7:1 (VLSI) englisch Sicherheitsdatenblatt BOE 7:1 (VLSI) deutsch Specs: Technische Daten BOE 7:1 (VLSI) Anwendungshinweise: Nasses Ätzen englisch Nasschemisches Ätzen deutsch Weitere Informationen zur Verarbeitung

240214_TECHNIC_Kunststoffflasche_2,5L_weiss-4.jpg

Details

Essigsäure 100 % - 2,50 l - VLSI

TESV1025

Essigsäure CH3COOH Allgemeine Informationen Essigsäure ist als Tensid und Puffer ein häufig verwendetes Additiv für verschiedene Ätzmischungen. Wir liefern Essigsäure (99 %) in VLSI-Qualität, also in den üblichen Reinheitsgraden, die in der Halbleiterverarbeitung und Mikroelektronik verwendet werden. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt Essigsäure (VLSI) 100 % englisch Sicherheitsdatenblatt Essigsäure (VLSI) 100 % deutsch Datenblätter: Specs Essigsäure (VLSI) 100 % Anwendungshinweise: Nasses Ätzen englisch Nasschemisch Ätzen deutsch

Details

Fluorwasserstoffsäure EVE 1% - 2,50 l - VLSI - EVE/EUD!

TAHV0125

Concentration: 1 %

Fluorwasserstoffsäure HF Allgemeine Informationen Flusssäure wird hauptsächlich zum Ätzen von Gläsern, Quarz und SiO2-Filmen sowie (gemischt mit HNO3) zum isotropen Ätzen von Silizium verwendet. Wir liefern Flusssäure (1 %, 10 % und 50 %) in VLSI-Qualität, d.h. in den üblichen Reinheitsgraden, die in der Halbleiterverarbeitung und Mikroelektronik verwendet werden. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt Fluorwasserstoffsäure 1% (VLSI) englisch Sicherheitsdatenblatt Fluorwasserstoffsäure 1% (VLSI) deutsch Sicherheitsdatenblatt Fluorwasserstoffsäure 10% (VLSI) englisch Sicherheitsdatenblatt Hydrofluoric Acid 10% (VLSI) deutsch Sicherheitsdatenblatt Fluorwasserstoffsäure 50% (VLSI) englisch Sicherheitsdatenblatt Hydrofluoric Acid 50% (VLSI) deutsch Technische Daten: Technische Daten Fluorwasserstoffsäure 1% (VLSI) Spezifikationen Flusssäure 10% (VLSI) Specs Flusssäure 50% (VLSI) Anwendungshinweise: Nasses Ätzen englisch Nasschemisches Ätzen deutsch Weitere Informationen zur Verarbeitung

Details

Fluorwasserstoffsäure EVE 10% - 2,50 l - VLSI - EVE/EUD!

TAHV1025

Concentration: 10 %

Fluorwasserstoffsäure HF Allgemeine Informationen Flusssäure wird hauptsächlich zum Ätzen von Gläsern, Quarz und SiO2-Filmen sowie (gemischt mit HNO3) zum isotropen Ätzen von Silizium verwendet. Wir liefern Flusssäure (1 %, 10 % und 50 %) in VLSI-Qualität, d.h. in den üblichen Reinheitsgraden, die in der Halbleiterverarbeitung und Mikroelektronik verwendet werden. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt Fluorwasserstoffsäure 1% (VLSI) englisch Sicherheitsdatenblatt Fluorwasserstoffsäure 1% (VLSI) deutsch Sicherheitsdatenblatt Fluorwasserstoffsäure 10% (VLSI) englisch Sicherheitsdatenblatt Hydrofluoric Acid 10% (VLSI) deutsch Sicherheitsdatenblatt Fluorwasserstoffsäure 50% (VLSI) englisch Sicherheitsdatenblatt Hydrofluoric Acid 50% (VLSI) deutsch Technische Daten: Technische Daten Fluorwasserstoffsäure 1% (VLSI) Spezifikationen Flusssäure 10% (VLSI) Specs Flusssäure 50% (VLSI) Anwendungshinweise: Nasses Ätzen englisch Nasschemisches Ätzen deutsch Weitere Informationen zur Verarbeitung

Details

Fluorwasserstoffsäure EVE 50% - 2,50 l - VLSI - EVE/EUD!

TAHV5025

Concentration: 50 %

Fluorwasserstoffsäure HF Allgemeine Informationen Flusssäure wird hauptsächlich zum Ätzen von Gläsern, Quarz und SiO2-Filmen sowie (gemischt mit HNO3) zum isotropen Ätzen von Silizium verwendet. Wir liefern Flusssäure (1 %, 10 % und 50 %) in VLSI-Qualität, d.h. in den üblichen Reinheitsgraden, die in der Halbleiterverarbeitung und Mikroelektronik verwendet werden. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt Fluorwasserstoffsäure 1% (VLSI) englisch Sicherheitsdatenblatt Fluorwasserstoffsäure 1% (VLSI) deutsch Sicherheitsdatenblatt Fluorwasserstoffsäure 10% (VLSI) englisch Sicherheitsdatenblatt Hydrofluoric Acid 10% (VLSI) deutsch Sicherheitsdatenblatt Fluorwasserstoffsäure 50% (VLSI) englisch Sicherheitsdatenblatt Hydrofluoric Acid 50% (VLSI) deutsch Technische Daten: Technische Daten Fluorwasserstoffsäure 1% (VLSI) Spezifikationen Flusssäure 10% (VLSI) Specs Flusssäure 50% (VLSI) Anwendungshinweise: Nasses Ätzen englisch Nasschemisches Ätzen deutsch Weitere Informationen zur Verarbeitung

Details

Salpetersäure 69,5% - 2,50 l - (VLSI) - PERSO+EVE/EUD!

TSAV1025

Salpetersäure HNO3 Allgemeine Informationen Salpetersäure ist das Oxidationsmittel vieler Ätzmischungen für z.B. Silber, Kupfer, Aluminium, Silizium, Germanium und (zusammen mit HCl als Königswasser) Gold. Wir liefern Salpetersäure (69%) in VLSI-Qualität, den üblichen Reinheitsgraden, die in der Halbleiterverarbeitung und Mikroelektronik verwendet werden. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt Salpetersäure 69,5% (VLSI) englisch Sicherheitsdatenblatt Salpetersäure 69,5% (VLSI) deutsch Technische Daten: Technische Daten Salpetersäure 69,5% (VLSI) Anwendungshinweise: Nasses Ätzen deutsch Nasschemisches Ätzen deutsch Weitere Informationen zur Verarbeitung

Details

Salzsäure 37% - 2,50 l - VLSI - EVE/EUD!

HHCV1025

Salzsäure (Hydrochloric Acid) HCI Allgemeine Informationen Salzsäure ist ein Bestandteil verschiedener Ätzmischungen für z.B. ITO, Silber und (zusammen mit HNO3 als Königswasser) Gold. HCl eignet sich zum Entfernen von Oxidschichten auf vielen Metallen. Unsere Salzsäure (37%) ist in VLSI-Qualität erhältlich, also in den üblichen Reinheitsgraden, die in der Halbleiterverarbeitung und Mikroelektronik verwendet werden. HINWEIS: HCl (Chlorwasserstoff), ist ein Gas, das sich sehr gut in Wasser löst und in gelöster Form Salzsäure bildet. Mit einer molaren Masse von 36 g / mol ist Chlorwasserstoff ein sehr kleines Molekül, was bedeutet, dass es sehr gut durch Polymere diffundieren kann. Aus Gründen der Reinheit wird die Salzsäure in HD-PE-Polymerflaschen abgefüllt. Um die Flaschen vor Partikeln und Verunreinigungen zu schützen, werden diese Flaschen (die für die Verwendung in Reinräumen vorgesehen sind) in Plastikbeutel verpackt. Im Laufe der Lagerung diffundiert der Chlorwasserstoff jedoch durch die Wand der Flasche, die aus Polymer besteht, und sammelt sich in dem Folienbeutel. Dort befindet sich Luft, die nicht nur Kohlendioxid, sondern auch Wasserdampf enthält und mit dem Chlorwasserstoff reagieren kann, wodurch sich entweder ein weißer Staub oder feine Tröpfchen im Folienbeutel befinden können. Das passiert während der Lagerung, auch wenn die Flaschen nicht das geringste Leck haben. Dieser weiße Staub oder die möglichen feinen Tröpfchen sind der Grund dafür, dass die 37%ige Chlorwasserstoffsäure, anders als z.B. Schwefelsäure desselben Reinheitsgrades, nicht 3 Jahre, sondern nur 1 Jahr "haltbar" ist. Es ist also nicht der Grund, dass die Säure ihre Reinheit oder ihre Eigenschaften nicht beibehalten würde, sondern das Etikett und auch die Flaschen oder Folienbeutel werden im Laufe der Lagerung zunehmend von dem oben beschriebenen Problem betroffen. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt Salzsäure 37% (VLSI) englisch Sicherheitsdatenblatt Salzsäure 37% (VLSI) deutsch Specs: Technische Daten Salzsäure 37% (VLSI) Anwendungshinweise: Nasses Ätzen englisch Nasschemisches Ätzen deutsch Weitere Informationen zur Verarbeitung

240214_TECHNIC_Kunststoffflasche_2,5L_weiss-0.jpg

240214_TECHNIC_Kunststoffflasche_2,5L_weiss-1.jpg

Details

Schwefelsäure 96% - 2,50 l - VLSI - PERSO+EVE/EUD!

TSWV1025

Schwefelsäure H2SO4 Allgemeine Informationen Ein Gemisch aus Schwefelsäure und H2O2 ist ein leistungsfähiges Stripper für organische Verunreinigungen oder Rückstände auf Substraten. Wir liefern Schwefelsäure (96%) in VLSI-Qualität, das sind die üblichen Reinheitsgrade, die in der Halbleiterverarbeitung und Mikroelektronik verwendet werden. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt Sulfuric Acid 96% (VLSI) englisch Sicherheitsdatenblatt Sulfuric Acid 96% (VLSI) deutsch Specs: Technische Daten Sulfuric Acid 96% (VLSI) Anwendungshinweise: Nasses Ätzen deutsch Nasschemisches Ätzen deutsch Weitere Informationen zur Verarbeitung

Details

Hydrogen peroxide 30% - 2.50 l - VLSI - PERSO+EVE/EUD!

THOV1025

Wasserstoffperoxid H2O2 Allgemeine Informationen H2O2 ist ein Bestandteil der Piranha-etch, RCA-1 und RCA-2 Ätzlösungen, sowie Ätzlösungen für verschiedene III/V-Halbleiter. H2O2 (30%) ist in VLSI-Qualität erhältlich, was den üblichen Reinheitsgraden entspricht, die in der Halbleiterverarbeitung und Mikroelektronik verwendet werden. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt Hydrogen Peroxide 30% (VLSI) englisch Sicherheitsdatenblatt Wasserstoffperoxid 30% (VLSI) deutsch Technische Daten: Technische Daten Wasserstoffperoxid 30 % (VLSI) Anwendungshinweise: Nasses Ätzen englisch Nasschemisches Ätzen deutsch Weitere Informationen zur Verarbeitung

Phosphorsäure 85% - 2,50 l - (VLSI)

Produktinformationen "Phosphorsäure 85% - 2,50 l - (VLSI)"

Phosphorsäure

H3PO4

Allgemeine Informationen

Weitere Informationen