Si + Si3N4 wafer 3 inch 381 um (100) DSP B-doped
Prime Si + Si3N4 (0 nm) wafer 381 µm 100
| Anzahl | Stückpreis |
|---|---|
| Bis 4 |
83,50 €*
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| Bis 9 |
73,80 €*
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| Bis 24 |
69,00 €*
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| Bis 49 |
64,00 €*
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| Bis 99 |
62,50 €*
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| Ab 100 |
61,00 €*
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Lagerbestand:
19
Produktnummer:
WNA30381250B1314SXX2
Produktinformationen "Si + Si3N4 wafer 3 inch 381 um (100) DSP B-doped"
Prime Si + Si3N4 (low-stress) wafer 3 inch, thickness = 381 ± 25 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, 1000 nm low-stress Si3N4