Si + Si3N4 wafer 4 inch 525 um (100) DSP B-doped
Prime Si + Si3N4 (300 nm) wafer 525 µm 100
| Anzahl | Stückpreis |
|---|---|
| Bis 4 |
66,00 €
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| Bis 9 |
56,00 €
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| Bis 24 |
50,00 €
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| Bis 49 |
44,00 €
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| Bis 99 |
42,00 €
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| Ab 100 |
39,00 €
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Lagerbestand:
35
Produktnummer:
WNA40525255B1314S301
Beschreibung
Produktinformationen "Si + Si3N4 wafer 4 inch 525 um (100) DSP B-doped"
Prime Si + Si3N4 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100), 2-side polished, p-type (Boron) TTV < 5 µm, 1 - 10 Ohm cm, 300 nm LPCVD Si3N4 on both sides