Si + Si3N4 wafer 4 inch 525 um (100) SSP B-doped
Prime Si + Si3N4 (0 nm) wafer 525 µm 100
| Anzahl | Stückpreis |
|---|---|
| Bis 4 |
110,00 €
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| Bis 9 |
110,00 €
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| Bis 24 |
90,00 €
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| Ab 25 |
78,00 €
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Lagerbestand:
6
Produktnummer:
WND40525250B1314SNN1
Beschreibung
Produktinformationen "Si + Si3N4 wafer 4 inch 525 um (100) SSP B-doped"
Prime Si + dry/wet/dry SiO2 + Si3N4 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), 1 - 10 Ohm cm, 2000 nm SiO2 + 300 nm stoichiometric LPCVD Si3N4 on both sides