Si + dry SiO2 wafer 1 inch 500 um (100) SSP
Prime Si + SiO2 (dry) (20 nm) wafer 500 µm 100
| Anzahl | Stückpreis |
|---|---|
| Bis 24 |
9,00 €*
|
| Bis 49 |
9,00 €*
|
| Bis 99 |
11,00 €*
|
| Bis 199 |
10,40 €*
|
| Bis 499 |
9,80 €*
|
| Bis 999 |
9,40 €*
|
| Bis 1499 |
9,00 €*
|
| Bis 1999 |
8,70 €*
|
| Ab 2000 |
8,40 €*
|
Schicken Sie uns eine Anfrage bei Fragen zu Artikeln, zur Abnahmemenge, Lieferzeit oder bei einer Musteranfragen!
Lagerbestand:
3424
Produktnummer:
WTD10500250X2418S021
Produktinformationen "Si + dry SiO2 wafer 1 inch 500 um (100) SSP"
Prime FZ-Si + dry SiO2 wafer 1 inch, thickness = 500 ± 25 µm, (100), 1-side polished, TTV < 10 µm, 20 - 100000 Ohm cm, 25 nm thermal SiO2 (+/- 15 %, with +/- 10 % on best effort) on both sides, primary flat 8 mm, intrinsic/undoped