Si + dry SiO2 wafer 2 inch 0279 µm (100), SSP,B-doped
Prime Si + SiO2 (dry) (100 nm) wafer 279 µm 100
| Anzahl | Stückpreis |
|---|---|
| Bis 4 |
29,40 €
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| Bis 9 |
20,40 €
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| Bis 24 |
15,80 €
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| Bis 49 |
11,00 €
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| Bis 149 |
10,00 €
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| Ab 150 |
8,00 €
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Lagerbestand:
107
Produktnummer:
WTD20279200B1314S101
Beschreibung
Produktinformationen "Si + dry SiO2 wafer 2 inch 0279 µm (100), SSP,B-doped"
Prime Si + SiO2 (dry)-Wafer 2 inch, thickness = 279 ± 20 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, 100 nm SiO2