Si + dry SiO2 wafer 3 inch 200 um (100) SSP B-doped
Prime Si + SiO2 (dry) (300 nm) wafer 200 µm 100
| Anzahl | Stückpreis |
|---|---|
| Bis 4 |
35,50 €
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| Bis 9 |
25,80 €
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| Bis 24 |
21,00 €
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| Bis 49 |
16,00 €
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| Bis 99 |
15,00 €
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| Ab 100 |
14,00 €
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Lagerbestand:
98
Produktnummer:
WTD30200250B1314S301
Beschreibung
Produktinformationen "Si + dry SiO2 wafer 3 inch 200 um (100) SSP B-doped"
Prime Si + trockenes SiO2 Wafer 3 Zoll, Dicke = 200 ± 25 µm, (100), 1-seitig poliert, P-Typ (Boron), 1 - 10 Ohm cm, 300 nm SiO2, 2 SEMI Flats