Si + dry SiO2 wafer 3 inch 380 um (100) SSP B-doped
Prime Si + SiO2 (dry) (100 nm) wafer 380 µm 100
| Anzahl | Stückpreis |
|---|---|
| Bis 4 |
34,50 €
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| Bis 9 |
24,80 €
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| Bis 24 |
20,00 €
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| Bis 49 |
15,00 €
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| Bis 99 |
14,00 €
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| Bis 199 |
13,50 €
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| Bis 399 |
13,00 €
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| Ab 400 |
12,50 €
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Lagerbestand:
140
Produktnummer:
WTD30380250B1314S101
Beschreibung
Produktinformationen "Si + dry SiO2 wafer 3 inch 380 um (100) SSP B-doped"
Prime Si + trockenes SiO2 Wafer 3 Zoll, Dicke = 380 ± 25 µm, (100), 1-seitig poliert, P-Typ (Boron) TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, 100 nm SiO2, Flat:1