Si + dry SiO2 wafer 4 inch 525 um (100) SSP B-doped
Prime Si + SiO2 (dry) (290 nm) wafer 525 µm 100
| Anzahl | Stückpreis |
|---|---|
| Bis 4 |
91,00 €
|
| Bis 9 |
86,00 €
|
| Bis 24 |
83,60 €
|
| Bis 49 |
77,60 €
|
| Ab 50 |
76,90 €
|
Schicken Sie uns eine Anfrage bei Fragen zu Artikeln, zur Abnahmemenge, Lieferzeit oder bei einer Musteranfragen!
Lagerbestand:
8
Produktnummer:
MWCTI002PT020CCZZZ01
Beschreibung
Produktinformationen "Si + dry SiO2 wafer 4 inch 525 um (100) SSP B-doped"
Prime Si + SiO2 (trocken) Wafer 4 Zoll, Dicke = 525 ± 20 µm, (100), 1-seitig poliert, P-Typ (Boron), TTV < 5 µm, 0.001 - 0.005 Ohm cm, 290 nm SiO2, einseitige Metallisierung mit Ti: 10 nm und Pt: 100 nm, vereinzelt kleine Defekte in der Beschichtung möglich, aber nicht zwingend vorhanden