Si + dry SiO2 wafer 6 inch 675 um (100) SSP B-doped
Prime Si + SiO2 (dry) (100 nm) wafer 675 µm 100
| Anzahl | Stückpreis |
|---|---|
| Bis 4 |
56,00 €
|
| Bis 9 |
43,00 €
|
| Bis 24 |
36,40 €
|
| Bis 49 |
30,00 €
|
| Bis 99 |
29,00 €
|
| Bis 199 |
28,50 €
|
| Ab 200 |
28,00 €
|
Nicht mehr verfügbar - Wiederbeschaffung prüfen auf Anfrage
Schicken Sie uns eine Anfrage bei Fragen zu Artikeln, zur Abnahmemenge, Lieferzeit oder bei einer Musteranfragen!
Lagerbestand:
0
Produktnummer:
WTD60675250B1314S101
Beschreibung
Produktinformationen "Si + dry SiO2 wafer 6 inch 675 um (100) SSP B-doped"
Prime Si + trockenes SiO2 Wafer 6 Zoll, Dicke = 675 ± 25 µm, (100), 1-seitig poliert, P-Typ (Boron), 1 - 10 Ohm cm, 100 nm thermisches SiO2 auf beiden Seiten, 1 Flat/57.5mm