Si + wet SiO2 wafer 2 inch 279 um (100) SSP B-doped
Prime Si + SiO2 (wet) (500 nm) wafer 279 µm 100
| Anzahl | Stückpreis |
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| Bis 4 |
30,40 €*
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| Bis 9 |
21,40 €*
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| Bis 24 |
16,80 €*
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| Bis 49 |
12,00 €*
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| Bis 99 |
11,00 €*
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| Bis 199 |
10,50 €*
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| Ab 200 |
10,00 €*
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Lagerbestand:
270
Produktnummer:
WWD20279250B1314S501
Produktinformationen "Si + wet SiO2 wafer 2 inch 279 um (100) SSP B-doped"
Prime Si + wet SiO2 wafer 2 inch, thickness = 279 ± 25 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, 500 nm dry/wet/dry thermally grown SiO2