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Si + wet SiO2 wafer 3 inch 381 um (100) SSP B-doped

Prime Si + SiO2 (wet) (0 nm) wafer 381 µm 100

Beschreibung

Produktinformationen "Si + wet SiO2 wafer 3 inch 381 um (100) SSP B-doped"

Prime Si + nasses SiO2 Wafer 3 Zoll, Dicke = 381 ± 25 µm, (100), 1-seitig poliert, P-Typ (Boron), TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, 3000 nm SiO2, 2 SEMI Flats