Zum Hauptinhalt springen Zur Suche springen Zur Hauptnavigation springen
Menü

Si + wet SiO2 wafer 4 inch 525 um (100) DSP B-doped

Prime Si + SiO2 (wet) (0 nm) wafer 525 µm 100

Beschreibung

Produktinformationen "Si + wet SiO2 wafer 4 inch 525 um (100) DSP B-doped"

Prime Si + trocken/nass/trocken SiO2 Wafer 4 Zoll, Dicke = 525 ± 15 µm, (100), 2-seitig poliert, P-Typ (Boron) TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, 300 nm SiO2, Flats:2