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Si + wet SiO2 wafer 4 inch 525 um (100) SSP As-doped

Prime Si + SiO2 (wet) (300 nm) wafer 525 µm 100

Beschreibung

Produktinformationen "Si + wet SiO2 wafer 4 inch 525 um (100) SSP As-doped"

Prime Si + trocken/nass/trocken SiO2 Wafer 4 Zoll, Dicke = 525 ± 25 µm, (100), 1-seitig poliert, N-Typ (Arsen), 0.001 - 0.005 Ohm cm, 300 nm SiO2, 2 SEMI Flats