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Si + wet SiO2 wafer 6 inch 675 um (100) SSP B-doped

Prime Si + SiO2 (wet) (300 nm) wafer 675 µm 100

Beschreibung

Produktinformationen "Si + wet SiO2 wafer 6 inch 675 um (100) SSP B-doped"

Prime Si + trocken/nass/trocken SiO2 Wafer 6 Zoll, Dicke = 675 ± 25 µm, (100), 1-seitig poliert, P-Typ (Boron), 1 - 10 Ohm cm, 300 nm trocken/nass/trocken SiO2 (auf beiden Seiten thermisch gewachsen), Flats: 1 Flat/57.5mm