Si + wet SiO2 wafer 6 inch 675 um (100) SSP P-doped
Prime Si + SiO2 (wet) (0 nm) wafer 675 µm 100
| Anzahl | Stückpreis |
|---|---|
| Bis 4 |
54,00 €*
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| Bis 9 |
45,00 €*
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| Bis 24 |
38,40 €*
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| Bis 49 |
32,00 €*
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| Bis 99 |
30,50 €*
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| Ab 100 |
29,00 €*
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Lagerbestand:
33
Produktnummer:
WWD6067525XP1314SXX1
Produktinformationen "Si + wet SiO2 wafer 6 inch 675 um (100) SSP P-doped"
Prime Si + wet SiO2 wafer 6 inch, thickness = 675 ± 25 µm, (100), 1-side polished, n-type (Phosphor), 1 - 10 Ohm cm, 1000 nm +/- 10 % thermally grown SiO2 on both sides, no second flat