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CZ-Si wafer 4 inch 525 um (100) SSP P-doped
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WSD40525250P1314XNN1
Prime CZ-Si wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 µm, (100), 1-side polished, n-type (Phosphor) TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, ! no flat !
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