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Si + wet SiO2 wafer 2 inch 279 um (100) SSP B-doped
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WWD20279200B1314S301
Prime Si + dry/wet/dry SiO2 wafer 2 inch, thickness = 279 ± 20 µm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, 300 nm SiO2
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