Ti-beschichtet
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CZ-Si wafer 4 inch 525 um (100) SSP B-doped
MWCTI100BBYYYCCZZZ01
Prime CZ-Si Wafer 4 Zoll, Dicke = 525 ± 15 µm, (100), 1-seitig poliert, P-Typ (Boron), TTV < 5 µm, 10 - 20 Ohm cm, Flats: 2, einseitige Metallisierung mit Ti 500nm +/- 5%
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Si + dry SiO2 wafer 4 inch 525 um (100) SSP B-doped
MWCTI002PT020CCZZZ01
Prime Si + SiO2 (trocken) Wafer 4 Zoll, Dicke = 525 ± 20 µm, (100), 1-seitig poliert, P-Typ (Boron), TTV < 5 µm, 0.001 - 0.005 Ohm cm, 290 nm SiO2, einseitige Metallisierung mit Ti: 10 nm und Pt: 100 nm, vereinzelt kleine Defekte in der Beschichtung möglich, aber nicht zwingend vorhanden
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