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AZ 10XT Photoresist (220cP) - 3.785 l
1A10XT220
AZ® 10XT (220CPS)
Dicklack für hohe Auflösung
Allgemeine Informationen
Der AZ® 10XT ist ein i-und h-line (nicht g-line!) empfindlicher positiver Dicklack, als Nachfolger des AZ® 9260 mit diesem weitgehend baugleich, jedoch mit anderem Tensid. Der AZ® 10XT ist im Gegensatz zum ähnlich lautenden AZ® 12XT nicht chemisch verstärkt.
3.0 µm lines in 12 µm thick AZ® 10XT Ultratech 1500 Exposure, AZ® 400K Developer 1:4 (260s spray)
Produkteigenschaften
Der AZ® 10XT weist nicht nur eine optimierte Lackhaftung auf gängigen Substratmaterialien, sondern auch das Potenzial sehr steiler Lackflanken und hoher Aspektverhältnisse auf. Entsprechend wird der AZ® 10XT häufig in der Galvanik, der Ionenimplantation oder zum Trockenätzen/RIE eingesetzt. Der AZ® 10XT erzielt bei 4000 U/min Schleuderdrehzahl ca. 6 µm Lackschichtdicke, mit entsprechend angepasstem Schleuderprofil lässt sich der Lackschichtdickenbereich von ca. 4.5 - 20 µm abdecken. Falls dünnere Lackschichten gewünscht sind, kann der AZ® 10XT mit PGMEA verdünnt werden, alternativ kommt für viele Prozesse auch der dünnere AZ® 4533 in Frage. Ab ca. 10 - 15 µm Lackschichtdicke gestaltet sich die Prozessierung des AZ® 10XT zunehmend zeitaufwendig: Der Softbake und die spätere Entwicklung dauern länger, für die Rehydrierung zwischen Softbake und Belichtung wird immer mehr Zeit benötigt, und die Gefahr der Bildung von Stickstoffbläschen beim Belichten nimmt zu. Für Lackschichtdicken größer 10 µm empfiehlt es sich, die Verwendung eines chemisch verstärkten Dicklacks wie dem AZ® 12XT (5 - 20 µm Lackschichtdicke) oder AZ®IPS 6090 (> 20 µm Lackschichtdicke) in Erwägung zu ziehen, welche bei entsprechender Lackdicke deutlich kürzere Softbake- und Entwicklungsdauern aufweisen, keine Rehydrierung sowie deutlich geringere Lichtdosen benötigen, und keinen Stickstoff beim Belichten freisetzen.
Entwickler
Zur Entwicklung empfehlen sich entweder TMAH-basierte Entwickler wie die ready-to-use AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF, oder der KOH-basierte AZ® 400K 1:4 (typ. 1 : 4 verdünnt mit Wasser, für schnellere Entwicklung auch mit 1 : 3.5 oder 1 : 3 etwas schärfer angesetzt). Auf alkalisch empfindlichen Substratmaterialien wie Aluminium empfiehlt sich der Aluminium-kompatible, unverdünnte AZ® Developer.
Remover
Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140 °C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07.
Verdünnung / Randwallentfernung
Falls der Lack für die Schleuderbelackung verdünnt werden soll, käme grundsätzlich PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® 10 XT dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zur Randwallentfernung.
Weitere Informationen
Unsere Sicherheitsdatenblätter und manche unserer Technischen Datenblätter sind passwortgeschützt.
Die Zugangsdaten erhalten Sie nach dem Ausfüllen des Formulars.
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MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 10XT (220cps) englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 10XT (220cps) deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 10XT (220cps) englisch
Anwendungshinweis:
Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung
AZ 10XT Photoresist (520cP) - 3.785 l
1A010XT00
Gebindegröße:
3.785 l
AZ® 10XT (520CPS)
Dicklack für hohe Auflösung
Allgemeine Informationen
Der AZ® 10XT ist ein i-und h-line (nicht g-line!) empfindlicher positiver Dicklack, als Nachfolger des AZ® 9260 mit diesem weitgehend baugleich, jedoch mit anderem Tensid. Der AZ® 10XT ist im Gegensatz zum ähnlich lautenden AZ® 12XT nicht chemisch verstärkt.
3.0 µm lines in 12 µm thick AZ® 10XT Ultratech 1500 Exposure, AZ® 400K Developer 1:4 (260s spray)
Produkteigenschaften
Der AZ® 10XT weist nicht nur eine optimierte Lackhaftung auf gängigen Substratmaterialien, sondern auch das Potenzial sehr steiler Lackflanken und hoher Aspektverhältnisse auf. Entsprechend wird der AZ® 10XT häufig in der Galvanik, der Ionenimplantation oder zum Trockenätzen/RIE eingesetzt. Der AZ® 10XT erzielt bei 4000 U/min Schleuderdrehzahl ca. 6 µm Lackschichtdicke, mit entsprechend angepasstem Schleuderprofil lässt sich der Lackschichtdickenbereich von ca. 4.5 - 20 µm abdecken. Falls dünnere Lackschichten gewünscht sind, kann der AZ® 10XT mit PGMEA verdünnt werden, alternativ kommt für viele Prozesse auch der dünnere AZ® 4533 in Frage. Ab ca. 10 - 15 µm Lackschichtdicke gestaltet sich die Prozessierung des AZ® 10XT zunehmend zeitaufwendig: Der Softbake und die spätere Entwicklung dauern länger, für die Rehydrierung zwischen Softbake und Belichtung wird immer mehr Zeit benötigt, und die Gefahr der Bildung von Stickstoffbläschen beim Belichten nimmt zu. Für Lackschichtdicken größer 10 µm empfiehlt es sich, die Verwendung eines chemisch verstärkten Dicklacks wie dem AZ® 12XT (5 - 20 µm Lackschichtdicke) oder AZ® IPS 6090 (> 20 µm Lackschichtdicke) in Erwägung zu ziehen, welche bei entsprechender Lackdicke deutlich kürzere Softbake- und Entwicklungsdauern aufweisen, keine Rehydrierung sowie deutlich geringere Lichtdosen benötigen, und keinen Stickstoff beim Belichten freisetzen.
Entwickler
Zur Entwicklung empfehlen sich entweder TMAH-basierte Entwickler wie die ready-to-use AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF, oder der KOH-basierte AZ® 400K 1:4 (typ. 1 : 4 verdünnt mit Wasser, für schnellere Entwicklung auch mit 1 : 3.5 oder 1 : 3 etwas schärfer angesetzt). Auf alkalisch empfindlichen Substratmaterialien wie Aluminium empfiehlt sich der Aluminium-kompatible, unverdünnte AZ® Developer.
Remover
Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140 °C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07.
Verdünnung / Randwallentfernung
Falls der Lack für die Schleuderbelackung verdünnt werden soll, käme grundsätzlich PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® 10 XT dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zur Randwallentfernung.
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MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 10XT (520cps) englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 10XT (520cps) deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 10XT (520cps) englisch
Anwendungshinweis:
Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung
AZ 12XT-20PL-10 Photoresist - 3.785 l
1A012XT1000
Gebindegröße:
3.785 l
AZ® 12XT-20PL-10
Chemisch verstärkter Positivlack
Allgemeine Informationen
Der AZ® 12XT ist ein chemisch verstärkter, i-line empfindlicher Dicklack für hohe Aspektverhältnisse und mit erhöhtem thermischen Erweichungspunkt.
AZ® 12XT - 2.4mm lines at 10mm film thickness
Produkteigenschaften
Der AZ® 12XT deckt einen Lackschichtdickenbereich von ca. 5 - 20 µm ab. Als chemisch verstärkter Lack benötigt der AZ® 12XT keine Rehydrierung zwischen Softbake und Belichtung, braucht verglichen mit nicht chemisch verstärkten Lacken vergleichbarer Dicke deutlich geringere Lichtdosen, setzt beim Belichten keinen Stickstoff frei (keine Bläschenbildung in der Lackschicht beim Belichten), und weist für einen Dicklack sehr hohe Entwicklungsraten auf. Diese Eigenschaften tragen dazu bei, die gesamte Prozessführung deutlich schneller und weniger problemanfällig zu gestalten als mit nicht-chemisch verstärkten Dicklacken. Seine gute Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien sowie sein Potenzial steiler Lackflanken machen ihn für die galvanische Abformung geeignet, sein hoher thermischer Erweichungspunkt (ca. 130 °C) empfiehlt ihn auch für das Trockenätzen bzw. DRIE. Grundsätzlich ist der AZ® 12XT nur i-line empfindlich, bei entsprechend hohen Lichtdosen und Lackschichtdicken kann auch mit der h-Linie (405 nm) gearbeitet werden. Falls dünnere Lackschichtdicken als ca. 5 µm erwünscht sind, kann der AZ® 12XT problemlos mit PGMEA = AZ® EBR Solvent verdünnt werden. Für Lackschichtdicken größer 15 µm sollte der ebenfalls chemisch verstärkte AZ® IPS 6090 in Erwägung gezogen werden.
Entwickler
Zur Entwicklung dieses chemisch verstärkten Lacks empfehlen sich TMAH-basierte Entwickler wie die ready-to-use AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF. KOH-oder NaOH-basierte Entwickler wie der AZ® 400 K oder AZ® 351B sind für den AZ® 12XT weniger geeignet.
Remover
Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140 °C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07.
Verdünnung / Randwallentfernung
Falls der Lack für die Schleuderbelackung verdünnt werden soll, kommt PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® 12XT dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zur Randwallentfernung.
Weitere Informationen
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MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 12XT 20PL-10 englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 12XT 20PL-10 deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 12XT 20PL-10 englisch
Anwendungshinweis:
Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung
AZ 12XT-20PL-15 Photoresist - 3.785 l
1A012XT1500
AZ® 12XT-20PL-15
Chemisch verstärkter Positivlack
Allgemeine Informationen
Der AZ® 12XT ist ein chemisch verstärkter, i-line empfindlicher Dicklack für hohe Aspektverhältnisse und mit erhöhtem thermischen Erweichungspunkt.
AZ® 12XT - 2.4mm lines at 10mm film thickness
Produkteigenschaften
Der AZ® 12XT deckt einen Lackschichtdickenbereich von ca. 5 - 20 µm ab. Als chemisch verstärkter Lack benötigt der AZ® 12XT keine Rehydrierung zwischen Softbake und Belichtung, braucht verglichen mit nicht chemisch verstärkten Lacken vergleichbarer Dicke deutlich geringere Lichtdosen, setzt beim Belichten keinen Stickstoff frei (keine Bläschenbildung in der Lackschicht beim Belichten), und weist für einen Dicklack sehr hohe Entwicklungsraten auf. Diese Eigenschaften tragen dazu bei, die gesamte Prozessführung deutlich schneller und weniger problemanfällig zu gestalten als mit nicht-chemisch verstärkten Dicklacken. Seine gute Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien sowie sein Potenzial steiler Lackflanken machen ihn für die galvanische Abformung geeignet, sein hoher thermischer Erweichungspunkt (ca. 130 °C) empfiehlt ihn auch für das Trockenätzen bzw. DRIE. Grundsätzlich ist der AZ® 12XT nur i-line empfindlich, bei entsprechend hohen Lichtdosen und Lackschichtdicken kann auch mit der h-Linie (405 nm) gearbeitet werden. Falls dünnere Lackschichtdicken als ca. 5 µm erwünscht sind, kann der AZ® 12XT problemlos mit PGMEA = AZ® EBR Solvent verdünnt werden. Für Lackschichtdicken größer 15 µm sollte der ebenfalls chemisch verstärkte AZ® IPS 6090 in Erwägung gezogen werden.
Entwickler
Zur Entwicklung dieses chemisch verstärkten Lacks empfehlen sich TMAH-basierte Entwickler wie die ready-to-use AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF. KOH-oder NaOH-basierte Entwickler wie der AZ® 400 K oder AZ® 351B sind für den AZ® 12XT weniger geeignet.
Remover
Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140 °C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07.
Verdünnung / Randwallentfernung
Falls der Lack für die Schleuderbelackung verdünnt werden soll, kommt PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® 12XT dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zur Randwallentfernung.
Weitere Informationen
Unsere Sicherheitsdatenblätter und manche unserer Technischen Datenblätter sind passwortgeschützt.
Die Zugangsdaten erhalten Sie nach dem Ausfüllen des Formulars.
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MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 12XT 20PL-15 englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 12XT 20PL-15 deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 12XT 20PL-15 englisch
Anwendungshinweis:
Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung
AZ 1505 Photoresist - 3.785 l
1A001505
Bottle size:
3.785 l
AZ® 1505
Positive Dünnlacke für Nassätzung
Allgemeine Informationen
Die AZ® 1500 Fotolack Serie bietet eine verbesserte Haftung für alle gängigen Nassätzverfahren. Die laterale Auflösung hängt von der Resist Schichtdicke ab und reicht bis in den sub-µm-Bereich. Die hohe Auflösung und Haftung der AZ® 1505 machen diese Resist zu einer häufig verwendeten Resist Maske für das Cr-Ätzen in der Fotomaskenproduktion.
Bei 4000 U/min kann eine Schichtdicke von ca. 500 nm erreicht werden. Eine Schichtdicke von ca. 400 - 800 nm kann auch durch Variation der Schleuderdrehzahl erreicht werden.
Produkteigenschaften
Verbesserte Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien
Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse
Hohe Entwicklungsrate
Kompatibel mit allen gängigen Developer (NaOH-, KOH- oder TMAH-basiert)
Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien)
g-, h- und i-line empfindlich (ca. 320 - 440 nm)
Resist schichtdickenbereich ca. 0,4 - 0,8 µm
Developer
Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich die NaOH-basierte AZ® 351B in einer 1:4-Verdünnung (für eine erforderliche Auflösung < 1 µm wird eine 1:5 - 1:6-Verdünnung empfohlen) Developer. Das KOH-basierte **AZ® 400K (ebenfalls 1:4 - 1:6 verdünnt) ist möglich, aber aufgrund seiner geringeren Selektivität nicht zu empfehlen, wenn eine hohe Auflösung oder steile Resist Seitenwände erforderlich sind.
Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierten AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF Developer, entweder unverdünnt oder - für maximale Auflösung - mäßig 3:1 - 2:1 (3 Teile Developer:1 Teil DI-Wasser) mit Wasser verdünnt.
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können die AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt.
Ausdünnen/Randwulstentfernung
Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten das AZ® EBR Solvent.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 1505 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 1505 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 1505 Fotolack englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ 1512 HS Photoresist - 3.785 l
1A001512
Bottle size:
3.785 l
AZ® 1512 HS
Positive Dünnlacke für Nassätzung
Allgemeine Informationen
Die AZ® 1500 Fotolack Serie bietet eine verbesserte Haftung für alle gängigen Nassätzverfahren. Die laterale Auflösung hängt von der Resist Schichtdicke ab und reicht bis in den sub-µm-Bereich.
Die sehr hohe photoaktive Wirkstoffkonzentration des AZ® 1512 HS maximiert den Resist Kontrast (sehr hohe Entwicklungsrate, minimierter Dunkelabtrag).
Bei 4000 U/min kann eine Schichtdicke von ca. 1,2 µm erreicht werden. Eine Schichtdicke von ca. 1,0 - 1,8 µm kann auch durch Variation der Schleuderdrehzahl erreicht werden.
Produkteigenschaften
Verbesserte Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien
Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse
Hohe Entwicklungsrate
Kompatibel mit allen gängigen Developer (NaOH-, KOH- oder TMAH-basiert)
Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien)
g-, h- und i-line empfindlich (ca. 320 - 440 nm)
Resist schichtdickenbereich ca. 1,0 - 1,8 µm
Developer
Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich die NaOH-basierte AZ® 351B in einer 1:4-Verdünnung (für eine erforderliche Auflösung < 1 µm wird eine 1:5 - 1:6-Verdünnung empfohlen) Developer. Das KOH-basierte AZ® 400K (ebenfalls 1:4 - 1:6 verdünnt) ist möglich, aber aufgrund seiner geringeren Selektivität nicht zu empfehlen, wenn eine hohe Auflösung oder steile Resist Seitenwände erforderlich sind.
Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir das TMAH-basierte AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF Developer, entweder unverdünnt oder - für maximale Auflösung - mäßig 3:1 - 2:1 (3 Teile Developer:1 Teil DI-Wasser) mit Wasser verdünnt.
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können die AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt.
Ausdünnen/Randwulstentfernung
Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten das AZ® EBR Solvent.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 1512 HS Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 1512 HS Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 1512 HS Fotolack englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ 1514 H Photoresist - 3.785 l
1A001514
Bottle size:
3.785 l
AZ® 1514H
Positive Dünnlacke für Nassätzung
Allgemeine Informationen
Die AZ® 1500 Fotolack Serie bietet eine verbesserte Haftung für alle gängigen Nassätzverfahren. Die laterale Auflösung hängt von der Resist Schichtdicke ab und reicht bis in den sub-µm-Bereich.
Ein spezielles Harz verbessert die Resist Haftung auf den meisten gängigen (metallischen) Substraten weiter. Resist Schichtdicke bei 4000 U/min ca. 1,4 µm, über Variationen der Schleuderdrehzahl sind ca. 1,1 - 2 µm erreichbar.
Produkteigenschaften
Verbesserte Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien
Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse
Hohe Entwicklungsrate
Kompatibel mit allen gängigen Developer (NaOH-, KOH- oder TMAH-basiert)
Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien)
g-, h- und i-Linien empfindlich (ca. 320 - 440 nm)
Resist schichtdickenbereich ca. 1,1 µm - 2,0 µm
Developer
Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich die NaOH-basierte AZ® 351B in einer 1:4-Verdünnung (für eine erforderliche Auflösung < 1 µm wird eine 1:5 - 1:6-Verdünnung empfohlen) Developer. Das KOH-basierte **AZ® 400K (ebenfalls 1:4 - 1:6 verdünnt) ist möglich, aber aufgrund seiner geringeren Selektivität nicht zu empfehlen, wenn eine hohe Auflösung oder steile Resist Seitenwände erforderlich sind.
Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierten AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF Developer, entweder unverdünnt oder - für maximale Auflösung - mäßig 3:1 - 2:1 (3 Teile Developer:1 Teil DI-Wasser) mit Wasser verdünnt.
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können die AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt.
Ausdünnen/Randwulstentfernung
Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten das AZ® EBR Solvent.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 1514 H Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 1514 H Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 1514 H Fotolack englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ 1518 Photoresist - 3.785 l
1A001518
Bottle size:
3.785 l
AZ® 1518
Positive Dünnlacke für Nassätzung
Allgemeine Informationen
Die AZ® 1500 Fotolack Serie bietet eine verbesserte Haftung für alle gängigen Nassätzverfahren. Die laterale Auflösung hängt von der Resist Schichtdicke ab und reicht bis in den sub-µm-Bereich.
Die erhöhte Resist Schichtdicke des AZ® 1518 verbessert die Stabilität der Resist Maske für Nassätzprozesse.
Bei 4000 U/min kann eine Schichtdicke von ca. 1,8 µm erreicht werden. Eine Schichtdicke von ca. 1,5 - 3,0 µm kann auch durch Variation der Schleuderdrehzahl erreicht werden.
Produkteigenschaften
Verbesserte Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien
Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse
Hohe Entwicklungsrate
Kompatibel mit allen gängigen Developer (NaOH-, KOH- oder TMAH-basiert)
Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien)
g-, h- und i-line empfindlich (ca. 320 - 440 nm)
Resist schichtdickenbereich ca. 1,5 µm - 3,0 µm
Developer
Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich die NaOH-basierte AZ® 351B in einer 1:4-Verdünnung (für eine erforderliche Auflösung < 1 µm wird eine 1:5 - 1:6-Verdünnung empfohlen) Developer. Die KOH-basierte AZ® 400K (ebenfalls 1:4 - 1:6 verdünnt) ist möglich, aber aufgrund ihrer geringeren Selektivität nicht zu empfehlen, wenn eine hohe Auflösung oder steile Resist Seitenwände erforderlich sind.
Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierten AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF Developer, entweder unverdünnt oder - für maximale Auflösung - mäßig 3:1 - 2:1 (3 Teile Developer:1 Teil DI-Wasser) mit Wasser verdünnt.
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können die AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt.
Ausdünnen/Randwulstentfernung
Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten das AZ® EBR Solvent.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 1518 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 1518 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 1518 Fotolack englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ 3DT-102M-15 - 3,785 l
13DT102153
AZ® 3DT-102M-15
Chemisch verstärktes Positiv Fotolack
Allgemeine Informationen
AZ® 3DT-102M-15 ist ein chemisch verstärkter Positivton Fotolack mit einem sehr hohen Aspektverhältnis. Er ist für die Verwendung als Maske für Trockenätz-, Ionenimplantations-, RDL- und Galvanikanwendungen (Cu-kompatibel) vorgesehen. Sie kann sowohl mit i-line Steppern als auch mit herkömmlichen Mask Alignern verwendet werden. Die AZ® 3DT-102M-15 ist für einen Schichtdickenbereich von 8 - 20 µm vorgesehen.
Produkt-Eigenschaften
Steile Seitenwände
Kompatibel mit Kupferplattierungs-Verfahren
Für TSV, Implantation, RDL, Galvanik, Trockenätzung
Chemisch verstärkt à PEB obligatorisch
Kompatibel mit den meisten Fotolack Stripper (z. B. AZ® 100 Remover, auf Basis organischer Lösungsmittel oder alkalisch)
i-line empfindlich (kann auch für Breitbandbelichtung verwendet werden)
Resist schichtdickenbereich ca. 8 - 20 µm
Developer
Die empfohlenen Developer sind AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF für den Fotolack AZ® 3DT-102M-15.
Ablöser
Die empfohlenen Abisoliermittel für den AZ® 3DT-102M-15 sind AZ® 920 Remover, AZ® 100 Remover, TechniStrip P1316, TechniStrip P1331 und TechniStrip MLO07.
Ausdünnen/Randwulstentfernung
Wir empfehlen zum Verdünnen das AZ® EBR Solvent.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 3DT-102M-15 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 3DT-102M-15 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 3DT-102M-15 Fotolack englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ 40XT-11D Photoresist - 3.785 l
10040XT
Gebindegröße:
3.785 l
AZ® 40XT
Chemisch verstärkter Dicklack
General Information
Der AZ® 40XT ist ein chemisch verstärkter, i-line empfindlicher Ultradicklack für hohe Aspektverhältnisse.
Lines and spaces varying from 100 to 10 µm with a 40 µm thick AZ® 40XT at 400 mJ/cm2 exposure dose
Produkteigenschaften
Der AZ® 40XT deckt einen Lackschichtdickenbereich von ca. 15 - 50 µm ab. Als chemisch verstärkter Lack benötigt der AZ® 40XT keine Rehydrierung zwischen Softbake und Belichtung, braucht verglichen mit nicht chemisch verstärkten Lacken vergleichbarer Dicke deutlich geringere Lichtdosen, setzt beim Belichten keinen Stickstoff frei (keine Bläschenbildung in der Lackschicht beim Belichten), und weist für einen Dicklack sehr hohe Entwicklungsraten auf. Diese Eigenschaften tragen dazu bei, die gesamte Prozessführung deutlich schneller und weniger problemanfällig zu gestalten als mit nicht chemisch verstärkten Dicklacken. Seine gute Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien sowie sein Potenzial steiler Lackflanken machen ihn vor allem für die galvanische Abformung für z. B. Cu. Ni oder Au geeignet. Grundsätzlich ist der AZ® 40XT nur i-line empfindlich, bei entsprechend hohen Lichtdosen und Lackschichtdicken kann auch mit der h-Linie (405 nm) gearbeitet werden. Zu beachten ist, dass bei diesen chemisch verstärkten Lacken der Post Exposure Bake nicht optional, sondern zwingend notwendig ist, um die beim Belichten induzierte Fotoreaktion abzuschließen uns die spätere Entwicklung zu ermöglichen. Falls dünnere Lackschichtdicken als ca. 15 µm erwünscht sind, kann der AZ® 40XT problemlos mit PGMEA = AZ® EBR Solvent verdünnt werden. Falls es beim Softbake oder Post Exposure Bake zu Bläschen in der Lackschicht kommt, was vor allem hin zu größeren Lackschichtdicken auftreten kann, helfen entweder eine langsame Temperaturrampe bei diesen Backprozessen, oder eine mehrstufiger Backprozess mit jeweils ansteigender Temperatur. Kommen diese Maßnahmen nicht infrage, oder lässt sich die Bläschenbildung trotz dieser Maßnahme nicht vermeiden, empfiehlt sich die Verwendung des ebenfalls chemisch verstärkten Ultradicklacks AZ® IPS 6090.
Entwickler
Zur Entwicklung dieses chemisch verstärkten Lacks empfehlen sich TMAH-basierte Entwickler wie die ready-to-use AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF. KOH-oder NaOH-basierte Entwickler wie der AZ® 400K oder AZ® 351B sind für den AZ® 40XT weniger geeignet.
Remover
Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140 °C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07.
Verdünnung/ Randwallentfernung
Falls der Lack für die Schleuderbelackung verdünnt werden soll, kommt PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® 40 XT dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zu Randwallentfernung.
Weitere Informationen
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MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 40XT Photoresist englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 40XT Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 40XT Photoresist englisch
Anwendungshinweis:
Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung
AZ 4533 Photoresist - 3.785 l
1A004533
Bottle size:
3.785 l
AZ® 4533
Dicke Resists mit optimierter Haftung
Allgemeine Informationen
Die AZ® 4500 Serie (AZ® 4533 und AZ® 4562) sind Positiv-Dicklacke mit optimierter Haftung für gängige Nassätz- und Galvanisierungsprozesse. Die AZ® 4500 Serie folgt der AZ® 1500 Serie im Bereich der erreichbaren und verarbeitbaren Resist Schichtdicken. AZ® 4533 (3,3 µm Resist Schichtdicke bei 4000 U/min) und AZ® 4562 (6,2 µm) haben im Vergleich zu dünnen Resisten eine geringere Fotoinitiator-Konzentration. Dadurch ist es möglich, dicke Resist Filme über 10 µm ohne N2-Blasenbildung zu verarbeiten, allerdings auf Kosten einer deutlich niedrigeren Entwicklungsrate.
Produkteigenschaften
Optimierte Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien
Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse
Kompatibel mit allen gängigen Developer (KOH- oder TMAH-basiert)
Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien)
g-, h- und i-linienempfindlich (ca. 320 - 440 nm)
Resist schichtdickenbereich ca. 2,5 - 5 µm
Developer
Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich die KOH-basierte AZ® 400K in einer 1:4 Verdünnung oder die fertig verdünnte Version AZ® 400K 1:4 (für höhere Resist Schichtdicken 1:3,5 - 1:3 verdünnt möglich) Developer.
Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierte AZ® 2026 MIF Developer (unverdünnt).
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 4533 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 4533 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 4533 Fotolack englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ 4562 Photoresist - 3.785 l
1A004562
Bottle size:
3.785 l
AZ® 4562
Dicke Resists mit optimierter Haftung
Allgemeine Informationen
Die AZ® 4500 Serie (AZ® 4533 und AZ® 4562) sind Positiv-Dicklacke mit optimierter Haftung für gängige Nassätz- und Galvanisierungsprozesse. Die AZ® 4500 Serie folgt der AZ® 1500 Serie im Bereich der erreichbaren und verarbeitbaren Resist Schichtdicken. AZ® 4533 (3,3 µm Resist Schichtdicke bei 4000 U/min) und AZ® 4562 (6,2 µm) haben im Vergleich zu dünnen Resisten eine geringere Fotoinitiator-Konzentration. Dadurch ist es möglich, dicke Resist Schichten über 10 µm ohne N2-Blasenbildung zu verarbeiten, allerdings auf Kosten einer deutlich niedrigeren Entwicklungsrate.
Eine Resist Schichtdicke bis zu 30 µm kann durch Einfachbeschichtung mit angepassten Schleuderprofilen (kurze Schleuderzeiten bei mittlerer Schleudergeschwindigkeit) erreicht werden. Höhere Schichtdicken können durch Mehrfachbeschichtung erreicht werden. Höhere Schichtdicken können durch Mehrfachbeschichtung erreicht werden.
Bitte beachten: Resist Schichtdicken > 30 µm Generell kann AZ® 4562 bis zu 30 µm und darüber hinaus beschichtet und verarbeitet werden. Allerdings werden Softbake, Rehydrierung, Belichtung und Entwicklung in diesem Dickenbereich sehr zeitaufwändig. Außerdem kann selbst die recht transparente AZ® 4562 Fotolack bei der Belichtung N2-Blasen bilden, wenn sie zu dick aufgetragen wird. Deshalb empfehlen wir für Resist Schichtdicken > 20 µm dringend das chemisch verstärkte AZ® 40XT.
Produkteigenschaften
Optimierte Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien
Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse
Kompatibel mit allen gängigen Developer (KOH- oder TMAH-basiert)
Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien)
g-, h- und i-linienempfindlich (ca. 320 - 440 nm)
Resist schichtdickenbereich ca. 5 - 30 µm
Developer
Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich die KOH-basierte AZ® 400K in einer 1:4 Verdünnung oder die fertig verdünnte Version AZ® 400K 1:4 (für höhere Resist Schichtdicken 1:3,5 - 1:3 verdünnt möglich) Developer.
Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierte AZ® 2026 MIF Developer (unverdünnt).
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt.
Ausdünnen/Randwulstentfernung
Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten AZ® EBR Solvent.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 4562 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 4562 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 4562 Fotolack englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ 4999 Fotolack - 3.785 l - EUD/EVE!
1A004999
Bottle size:
3.785 l
AZ® 4999
Sprühlack
Allgemeine Informationen
AZ® 4999 ist eine hochtransparente Fotolack Sprühbeschichtung, die speziell für spezielle Sprühbeschichtungsanlagen (z. B. SÜSS Delta AltaSpray) entwickelt wurde, um fehlerfreie und gleichmäßige Beschichtungen auf Geräten mit schwieriger Topografie zu erzielen. Dicke (einige bis mehrere zehn Mikrometer) und gleichmäßige Resist Beschichtungen werden auf Topografien wie V-Nuten und Gräben mit optimaler Abdeckung von scharfen Kanten erzielt. Es gibt keine Anhäufung von Resist in Gräben. Die Verwendung von AZ® 4999 Fotolack ermöglicht eine hohe Reproduzierbarkeit in der Massenproduktion.
Produkteigenschaften
Viskosität (bei 25°C): 0.52 cSt
Feststoffgehalt: 4%
Absorptionsvermögen bei 398 nm: 0.1 l/(g*cm)
Spektrale Empfindlichkeit: 310 nm - 440 nm
Developer
Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich das KOH-basierte AZ® 400K in einer 1:4 Verdünnung (für höhere Resist Schichtdicken 1:3,5 - 1:3 verdünnt möglich) Developer.
Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir das TMAH-basierte AZ® 2026 MIF Developer (unverdünnt).
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt.
Ausdünnen/Randwulstentfernung
Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten die Produkte AZ® EBR Solvent oder PGMEA.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 4999 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 4999 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 4999 Fotolack englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ ECI 3007 Photoresist - 3.785 l
1A003007
Bottle size:
3.785 l
AZ® ECI 3007
Hohe Auflösung mit breitem Prozessfenster
Allgemeine Informationen
Die AZ® ECI 3000 Serie ist eine moderne, hochmoderne Positivserie Resist. Sowohl das Auflösungspotenzial als auch die Prozessstabilität ermöglichen Strukturgrößen, die nahe am theoretischen Minimum liegen, das mit breitbandigen (nicht-DUV) Resists erreicht werden kann.
AZ® ECI 3000 Resists sind aufgrund ihrer guten Haftung und thermischen Stabilität sowohl für nass- als auch für trockenchemische Prozesse geeignet. Die Resist sind in den drei Viskositätsklassen AZ® ECI 3007 (0,7 µm Resist Schichtdicke bei 4000 U/min), AZ® ECI 3012 (1,2 µm) und AZ® ECI 3027 (2,7 µm) erhältlich.
Das sehr hohe Auflösungspotenzial ermöglicht laterale Strukturgrößen bis hinunter zu 300 nm und eröffnet ein vergleichsweise großes und stabiles Prozessfenster bei niedrigeren Auflösungsanforderungen. Diese Resists können mit NaOH, KOH oder TMAH entwickelt werden Developer.
Produkteigenschaften
Sehr hohe Auflösung
Optimierte Resist -Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien
Steile Resist-Seitenwände und hohes Aspektverhältnis für Trockenätzung oder Ionenimplantation
Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse
Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien)
g-, h- und i-line empfindlich (ca. 320 - 440 nm)
Resist schichtdickenbereich ca. 0,5 - 1 µm
Developer
Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich der AZ® 351B auf NaOH-Basis in einer 1:4-Verdünnung (für eine erforderliche Auflösung < 1 µm wird eine 1:5 - 1:6-Verdünnung empfohlen) Developer. Die KOH-basierte AZ® 400K (ebenfalls 1:4 - 1:6 verdünnt) ist möglich, aber aufgrund ihrer geringeren Selektivität nicht zu empfehlen, wenn eine hohe Auflösung oder steile Resist Seitenwände erforderlich sind.
Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierten AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF Developer, entweder unverdünnt oder - für maximale Auflösung - mäßig 3:1 - 2:1 (3 Teile Developer:1 Teil DI-Wasser) mit Wasser verdünnt.
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können die AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover.
Ausdünnen/Entfernen von Randwülsten
Zum Ausdünnen und Entfernen von Randwülsten empfehlen wir das AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR Solvent 70/30 ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® ECI 3007 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® ECI 3007 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® ECI 3000 Serie englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ ECI 3012 Photoresist - 3.785 l
1A003012
Bottle size:
3.785 l
AZ® ECI 3012
Hohe Auflösung mit breitem Prozessfenster
Allgemeine Informationen
Die AZ® ECI 3000 Serie ist eine moderne, hochmoderne Positivserie Resist. Sowohl das Auflösungspotenzial als auch die Prozessstabilität ermöglichen Strukturgrößen, die nahe am theoretischen Minimum liegen, das mit breitbandigen (nicht-DUV) Resists erreicht werden kann.
AZ® ECI 3000 Resists sind aufgrund ihrer guten Haftung und thermischen Stabilität sowohl für nass- als auch für trockenchemische Prozesse geeignet. Die Resist sind in den drei Viskositätsklassen AZ® ECI 3007 (0,7 µm Resist Schichtdicke bei 4000 U/min), AZ® ECI 3012 (1,2 µm) und AZ® ECI 3027 (2,7 µm) erhältlich.
Das sehr hohe Auflösungspotenzial ermöglicht laterale Strukturgrößen bis hinunter zu 300 nm und eröffnet ein vergleichsweise großes und stabiles Prozessfenster bei niedrigeren Auflösungsanforderungen. Diese Resists können mit NaOH, KOH oder TMAH entwickelt werden Developer.
*450 nm Resist Linien mit dem AZ® ECI 3012 bei einer Schichtdicke von ca. 1,2 µm.
Produkt-Eigenschaften
Sehr hohe Auflösung
Optimierte Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien
Steile Resist Seitenwände und hohes Aspektverhältnis für Trockenätzung oder Ionenimplantation
-Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse
Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrig-alkalisch)
g-, h- und i-line empfindlich (ca. 320 - 440 nm)
Resist schichtdickenbereich ca. 0,9 - 1,5 µm
Developer
Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich die NaOH-basierte AZ® 351B in einer 1:4-Verdünnung (für eine erforderliche Auflösung < 1 µm wird eine 1:5 - 1:6-Verdünnung empfohlen) Developer. Die KOH-basierte AZ® 400K (ebenfalls 1:4 - 1:6 verdünnt) ist möglich, aber aufgrund ihrer geringeren Selektivität nicht zu empfehlen, wenn eine hohe Auflösung oder steile Resist Seitenwände erforderlich sind.
Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierten AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF Developer, entweder unverdünnt oder - für maximale Auflösung - mäßig 3:1 - 2:1 (3 Teile Developer:1 Teil DI-Wasser) mit Wasser verdünnt.
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können die AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover.
Ausdünnen/Entfernen von Randwülsten
Zum Ausdünnen und Entfernen von Randwülsten empfehlen wir das AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR Solvent 70/30 ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® ECI 3012 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® ECI 3012 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® ECI 3012 Fotolack englisch
Technisches Datenblatt AZ® ECI 3000 Serie deutsch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ ECI 3027 Photoresist - 3.785 l
1A003027
Bottle size:
3.785 l
AZ® ECI 3027
Hohe Auflösung mit breitem Prozessfenster
Allgemeine Informationen
Die AZ® ECI 3000 Serie ist eine moderne, hochmoderne Positivserie Resist. Sowohl das Auflösungspotenzial als auch die Prozessstabilität ermöglichen Strukturgrößen, die nahe am theoretischen Minimum liegen, das mit breitbandigen (nicht-DUV) Resists erreicht werden kann.
AZ® ECI 3000 Resists sind aufgrund ihrer guten Haftung und thermischen Stabilität sowohl für nass- als auch für trockenchemische Prozesse geeignet. Die Resist sind in den drei Viskositätsklassen AZ® ECI 3007 (0,7 µm Resist Schichtdicke bei 4000 U/min), AZ® ECI 3012 (1,2 µm) und AZ® ECI 3027 (2,7 µm) erhältlich.
Das sehr hohe Auflösungspotenzial ermöglicht laterale Strukturgrößen bis hinunter zu 300 nm und eröffnet ein vergleichsweise großes und stabiles Prozessfenster bei niedrigeren Auflösungsanforderungen. Diese Resists können mit NaOH, KOH oder TMAH entwickelt werden Developer.
900 nm Resist Linien mit dem AZ® ECI 3027 bei ca. 2,7 µm Resist Schichtdicke.
Produkt-Eigenschaften
Sehr hohe Auflösung
Optimierte Resist -Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien
Steile Resist-Seitenwände und hohes Aspektverhältnis für Trockenätzung oder Ionenimplantation
Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse
Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien)
g-, h- und i-line empfindlich (ca. 320 - 440 nm)
Resist schichtdickenbereich ca. 2 - 3,5 µm
Developer
Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich der AZ® 351B auf NaOH-Basis in einer 1:4-Verdünnung (für eine erforderliche Auflösung < 1 µm wird eine 1:5 - 1:6-Verdünnung empfohlen) Developer. Die KOH-basierte AZ® 400K (ebenfalls 1:4 - 1:6 verdünnt) ist möglich, aber aufgrund ihrer geringeren Selektivität nicht zu empfehlen, wenn eine hohe Auflösung oder steile Resist Seitenwände erforderlich sind.
Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierten AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF Developer, entweder unverdünnt oder - für maximale Auflösung - mäßig 3:1 - 2:1 (3 Teile Developer:1 Teil DI-Wasser) mit Wasser verdünnt.
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können die AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover.
Ausdünnen/Entfernen von Randwülsten
Zum Ausdünnen und Entfernen von Randwülsten empfehlen wir das AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR Solvent 70/30 ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® ECI 3027 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® ECI 3027 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® ECI 3000 Serie englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ IPS-6090 Photoresist - 3.785 l
1006090
Bottle size:
3.785 l
AZ® IPS-6090
Positiv Dick Resist
Allgemeine Informationen
AZ® IPS-6090 für 30 - 150 µm Resist Filmdicke (i-line) Das chemisch verstärkte AZ® IPS-6090 ist, vergleichbar mit dem AZ® 40XT, ein ultradicker Resist Film, dessen hohe Viskosität sehr große Resist Filmdicken durch eine einzige Beschichtung ermöglicht. Sie muss nicht rehydriert werden, benötigt eine geringe Lichtdosis, setzt bei der Belichtung keinen Stickstoff frei und entwickelt sich sehr schnell, was im Vergleich zu herkömmlichen dicken Resist Filmen deutlich kürzere Prozesszeiten ermöglicht. Die AZ® IPS-6090 muss jedoch zwangsläufig nach der Belichtung gebacken werden, um entwickelt zu werden. Sie wurde für die Strukturierung von Halbleitern in fortschrittlichen Packaging-Anwendungen (3DIC/TSV, CU Pillar, WLCSP, MEMS) entwickelt.
IPS 6050 (80 µm Resist Schichtdicke)
Produkt-Eigenschaften
Sehr hohe Auflösung
Hohes Aspektverhältnis
Niedrige Belichtungsdosis für die Dicke der Folie
Gerades Musterprofil und fußfrei
i-line empfindlich, 330 - 390 nm
Filmdickenbereich: 30 - 150 µm
Geeignet für Anwendungen wie die elektrochemische Abscheidung / Beschichtung von Cu RDL im WLCSP-Prozess
Elektrochemische Abscheidung / Beschichtung von Cu, Ni, Sn, SnAg, Au für 3DIC, FO und Flipchip-Verfahren
Opferschicht für den Ätzprozess von Si in TSV
Opferschicht für den SiO2- oder SiN-Ätzprozess in der CMOS-Sensorverarbeitung
Developer
Wir empfehlen AZ® 326 MIF Developer oder AZ® 726 MIF Developer (diese enthält Tenside) für die Fotolack AZ® IPS-6090.
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können die AZ® 100 Remover, DMSO oder andere gängige organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie dem Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover oder das TechniStrip P1331.
Ausdünnung/Randstreifenentfernung
Wir empfehlen für das Ausdünnen und Entfernen von Randwülsten AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR70/30 Solvent ist ebenfalls für die Randwulstentfernung geeignet.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® IPS-6090 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® IPS-6090 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® IPS-6090 englisch
Informationen AZ® IPS-6090 englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ MIR 701 Fotolack (11 CPS) - 3.785 l
1007011
AZ® MIR 701 (11CPS)
Hohe Auflösung und Temperaturstabilität
Allgemeine Informationen
AZ® 701 MIR Serie für 0,7 - 3,0 µm Resist Schichtdicke (g-, h- und I-Linie) Als thermisch stabiles (Erweichungspunkt > 130°C), hochauflösendes Positiv Resist ist das AZ® 701 MIR (11CPS) besonders für das trockenchemische Ätzen von feinen bis sehr feinen Strukturen optimiert. Dieses Resist kann leicht weiter verdünnt werden, um noch bessere Auflösungen zu erreichen, zum Beispiel bei Anwendungen der Laser-Interferenz-Lithografie. Wir verkaufen dieses Resist in zwei verschiedenen Viskositäten von 11CPS, 14CPS und 29CPS. Es kann mit herkömmlichem NaOH, KOH oder TMAH verwendet werden Developer.
300 nm Resist Linien, die mit dem AZ® 701 MIR
1.2µm Struktur nach 130°C Hardbake
Produkteigenschaften
Sehr hohe Auflösung, für 0,5 µm und 0,35 µm Technologieknoten
Hohe thermische Stabilität
Hervorragender Prozessspielraum sowohl für Linien-/Raum- als auch für Ganzkontaktanwendungen
Steile Resist-Seitenwände und hohes Aspektverhältnis für Trockenätzung oder Ionenimplantation
Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse
Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien)
g-, h- und i-Linien empfindlich (ca. 320 - 440 nm)
Resist schichtdickenbereich AZ® MIR 701 (11CPS): ca. 0,6 - 1,0 µm
Developer
Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, ist die NaOH-basierte AZ® 351B in einer 1:4-Verdünnung (für Resist Filmdicken und Auflösungen < 1 µm wird eine 1:5 - 1:6-Verdünnung empfohlen) eine geeignete Developer.
Die KOH-basierte AZ® 400K (ebenfalls 1:4 - 1:6 verdünnt) ist möglich, aber aufgrund ihrer geringeren Selektivität nicht zu empfehlen, wenn eine hohe Auflösung oder steile Resist Seitenwände erforderlich sind.
Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierten AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF Developer, entweder unverdünnt oder - für maximale Auflösung und sehr dünne Resist Schichten - mäßig 3:1 - 2:1 (3 Teile Developer:1 Teil DI-Wasser) mit Wasser verdünnt.
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können die AZ® 100 Remover, DMSO oder andere gängige organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 oder AZ® Remover 920.
Ausdünnung/Randstreifenentfernung
Zum Ausdünnen und Entfernen von Randwülsten empfehlen wir das AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR Solvent 70/30 ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® MIR 701 (11CPS) Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® MIR 701 (11CPS) Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® MIR 701 Serie englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ MIR 701 Photoresist (14 CPS) - 3.785 l
10070114
Bottle size:
3.785 l
AZ® MIR 701 (14CPS)
Hohe Auflösung und Temperaturstabilität
Allgemeine Informationen
AZ® 701 MIR Serie für 0,7 - 3,0 µm Resist Schichtdicke (g-, h- und I-Linie)
Als thermisch stabiles (Erweichungspunkt > 130°C), hochauflösendes Positiv Resist ist das AZ® 701 MIR (14CPS) besonders für das trockenchemische Ätzen von feinen bis sehr feinen Strukturen optimiert. Dieses Resist kann leicht weiter verdünnt werden, um noch bessere Auflösungen zu erreichen, zum Beispiel bei Anwendungen der Laser-Interferenz-Lithografie. Wir verkaufen dieses Resist in drei verschiedenen Viskositäten von 11CPS, 14CPS und 29CPS. Es kann mit herkömmlichem NaOH, KOH oder TMAH verwendet werden Developer.
300 nm Resist Linien, die mit dem AZ® 701 MIR
1.2µm Struktur nach 130°C Hardbake
Produkteigenschaften
Sehr hohe Auflösung, für 0,5 µm und 0,35 µm Technologieknoten
Hohe thermische Stabilität
Hervorragender Prozessspielraum sowohl für Linien-/Raum- als auch für Ganzkontaktanwendungen
Steile Resist-Seitenwände und hohes Aspektverhältnis für Trockenätzung oder Ionenimplantation
Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse
Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien)
g-, h- und i-Linien empfindlich (ca. 320 - 440 nm)
Resist schichtdickenbereich AZ® MIR 701 (14CPS): ca. 0,6 - 1,1 µm
Developer
Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, ist die NaOH-basierte AZ® 351B in einer 1:4-Verdünnung (für Resist Filmdicken und Auflösungen < 1 µm wird eine 1:5 - 1:6-Verdünnung empfohlen) eine geeignete Developer.
Die KOH-basierte AZ® 400K (ebenfalls 1:4 - 1:6 verdünnt) ist möglich, aber aufgrund ihrer geringeren Selektivität nicht zu empfehlen, wenn eine hohe Auflösung oder steile Resist Seitenwände erforderlich sind.
Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierten AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF Developer, entweder unverdünnt oder - für maximale Auflösung und sehr dünne Resist Schichten - mäßig 3:1 - 2:1 (3 Teile Developer:1 Teil DI-Wasser) mit Wasser verdünnt.
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können die AZ® 100 Remover, DMSO oder andere gängige organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 oder AZ® Remover 920.
Ausdünnung/Randstreifenentfernung
Zum Ausdünnen und Entfernen von Randwülsten empfehlen wir das AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR Solvent 70/30 ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® MIR 701 (14CPS) Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® MIR 701 (14CPS) Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® MIR 701 Serie englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ MIR 701 Photoresist (29 CPS) - 3.785 l
10070129
Bottle size:
3.785 l
AZ® MIR 701 (29CPS)
Hohe Auflösung und Temperaturstabilität
Allgemeine Informationen
AZ® 701 MIR Serie für 0,7 - 3,0 µm Resist Schichtdicke (g-, h- und I-Linie) Als thermisch stabiles (Erweichungspunkt > 130°C), hochauflösendes Positiv Resist ist das AZ® 701 MIR (29CPS) besonders für das trockenchemische Ätzen von feinen bis sehr feinen Strukturen optimiert. Dieses Resist kann leicht weiter verdünnt werden, um noch bessere Auflösungen zu erreichen, zum Beispiel bei Anwendungen der Laser-Interferenz-Lithografie. Wir verkaufen dieses Resist in zwei verschiedenen Viskositäten von 11CPS, 14CPS und 29CPS. Es kann mit herkömmlichem NaOH, KOH oder TMAH verwendet werden Developer.
300 nm Resist Linien, die mit dem AZ® 701 MIR
1.2µm Struktur nach 130°C Hardbake
Produkteigenschaften
Sehr hohe Auflösung, für 0,5 µm und 0,35 µm Technologieknoten
Hohe thermische Stabilität
Hervorragender Prozessspielraum sowohl für Linien-/Raum- als auch für Ganzkontaktanwendungen
Steile Resist-Seitenwände und hohes Aspektverhältnis für Trockenätzung oder Ionenimplantation
Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse
Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien)
g-, h- und i-Linien empfindlich (ca. 320 - 440 nm)
Resist schichtdickenbereich AZ® MIR 701 (29CPS): ca. 1,2 - 2,5 µm
Developer
Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, ist die NaOH-basierte AZ® 351B in einer 1:4-Verdünnung (für Resist Filmdicken und Auflösungen < 1 µm wird eine 1:5 - 1:6-Verdünnung empfohlen) eine geeignete Developer.
Die KOH-basierte AZ® 400K (ebenfalls 1:4 - 1:6 verdünnt) ist möglich, aber aufgrund ihrer geringeren Selektivität nicht zu empfehlen, wenn eine hohe Auflösung oder steile Resist Seitenwände erforderlich sind.
Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierten AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF Developer, entweder unverdünnt oder - für maximale Auflösung und sehr dünne Resist Schichten - mäßig 3:1 - 2:1 (3 Teile Developer:1 Teil DI-Wasser) mit Wasser verdünnt.
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können die AZ® 100 Remover, DMSO oder andere gängige organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 oder AZ® Remover 920.
Ausdünnung/Randstreifenentfernung
Zum Ausdünnen und Entfernen von Randwülsten empfehlen wir das AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR Solvent 70/30 ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® MIR 701 (29CPS) Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® MIR 701 (29CPS) Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Merkblatt AZ® MIR 701 (29CPS) englisch
Technisches Datenblatt AZ® MIR 701 Serie englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ P4110 Fotolack - 3,785 l
1A0P4110
AZ® P4110
Positive Dicke Resist - AZ® P4110, AZ® P4330, AZ® P4903, AZ® P4620
Allgemeine Informationen
Die AZ® P4000 positive Resist Serie mit ihren Mitgliedern AZ® P4110, AZ® P4330, AZ® P4620 und AZ® P4903 hat zwei Hauptmerkmale:
Eine verbesserte Haftung auf allen gängigen Substraten für eine höhere Stabilität z.B. beim Nassätzen oder Galvanisieren und eine niedrigere photoaktive Substanzkonzentration, die das Auftragen von dicken und sehr dicken Resist Schichten (ca. 1 - 30 µm) ermöglicht. Diese Resist Serie hat eine mittlere thermische Stabilität und kann mit herkömmlichen KOH- oder TMAH-basierten Developer entwickelt werden.
Produkteigenschaften
Resist schichtdicke: 0,9 - 1,3 µm
Steile Wandprofile, hohe Aspektverhältnisse
Empfindlich für g-, h- und i-Linie
Empfohlen Developer: KOH-basiert (z. B. AZ® 400K) oder auf TMAH-Basis (z. B. AZ® 2026 MIF)
Standardabisolierer (z. B. AZ® 100 Remover, TechniStrip P1316)
Verdünner und Kantenwulst Remover: AZ® EBR Lösungsmittel oder PGMEA
Developer
Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich der KOH-basierte AZ® 400K in einer Verdünnung von 1:4 oder die fertig verdünnte Version AZ® 400K 1:4 (für höhere Resist Schichtdicken 1:3,5 - 1:3 verdünnt möglich) Developer.
Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir den TMAH-basierten AZ® 2026 MIF Developer (unverdünnt).
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z.B. durch Hochtemperaturschritte > 140°C, während Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder während der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover.
AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte oder schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt.
Ausdünnung/Randwulstentfernung
Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR70/30 Solvent ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® P4110 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® P4110 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® P4000 Serie englisch
Informationen AZ® P400 Serie englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ P4620 Photoresist - 3.785 l
1A0P4620
Bottle size:
3.785 l
AZ® P4620
Positive Dicke Resist - AZ® P4110, AZ® P4330, AZ® P4903, AZ® P4620
Allgemeine Informationen
Die AZ® P4000 positive Resist Serie mit ihren Mitgliedern AZ® P4110, AZ® P4330, AZ® P4620 und AZ® P4903 hat zwei Hauptmerkmale:
Eine verbesserte Haftung auf allen gängigen Substraten für eine höhere Stabilität z.B. beim Nassätzen oder Galvanisieren und eine niedrigere photoaktive Substanzkonzentration, die das Auftragen von dicken und sehr dicken Resist Schichten (ca. 1 - 30 µm) ermöglicht. Diese Resist Serie hat eine mittlere thermische Stabilität und kann mit herkömmlichen KOH- oder TMAH-basierten Developer entwickelt werden.
AZ® P4620 (15µm Löcher bei 24µm Schichtdicke für die Au-Beschichtung)
Produkt-Eigenschaften
Optimierte Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien
Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse
Kompatibel mit allen gängigen Developer (KOH- oder TMAH-basiert)
Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z. B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien)
g-, h- und i-linienempfindlich (ca. 320 - 440 nm)
Resist schichtdickenbereich ca. 5 - 30 µm
Developer
Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich die KOH-basierte AZ® 400K in einer 1:4 Verdünnung oder die fertig verdünnte Version AZ® 400K 1:4 (für höhere Resist Schichtdicken 1:3,5 - 1:3 verdünnt möglich) Developer.
Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierte AZ® 2026 MIF Developer (unverdünnt).
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z.B. durch Hochtemperaturschritte > 140°C, während Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder während der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover.
AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte oder schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt.
Ausdünnung/Randwulstentfernung
Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR 70/30 Solvent ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® P4620 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® P4620 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® P4620 Fotolack englisch
Technisches Datenblatt AZ® P4000 Serie englisch
Informationen AZ® P400 Serie englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ P4903 Fotolack - 3,785 l
1A0P4903
AZ® P4903
Positive Dicke Resist - AZ® P4110, AZ® P4330, AZ® P4903, AZ® P4620
Allgemeine Informationen
Die AZ® P4000 positive Resist Serie mit ihren Mitgliedern AZ® P4110, AZ® P4330, AZ® P4620 und AZ® P4903 hat zwei Hauptmerkmale:
Eine verbesserte Haftung auf allen gängigen Substraten für eine höhere Stabilität z.B. beim Nassätzen oder Galvanisieren und eine niedrigere photoaktive Substanzkonzentration, die das Auftragen von dicken und sehr dicken Resist Schichten (ca. 1 - 30 µm) ermöglicht. Diese Resist Serie hat eine mittlere thermische Stabilität und kann mit herkömmlichen KOH- oder TMAH-basierten Developer entwickelt werden.
Produkteigenschaften
Optimierte Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien
Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse
Kompatibel mit allen gängigen Developer (KOH- oder TMAH-basiert)
Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien)
g-, h- und i-linienempfindlich (ca. 320 - 440 nm)
Resist schichtdickenbereich ca. 10 - 35 µm
Developer
Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich die KOH-basierte AZ® 400K in einer 1:4 Verdünnung oder die fertig verdünnte Version AZ® 400K 1:4 (für höhere Resist Schichtdicken 1:3,5 - 1:3 verdünnt möglich) Developer.
Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierte AZ® 2026 MIF Developer (unverdünnt).
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z.B. durch Hochtemperaturschritte > 140°C, während Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder während der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover.
AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte oder schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt.
Ausdünnung/Randwulstentfernung
Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR70/30 Solvent ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® P4903 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® P4903 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® P4000 Serie englisch
Informationen AZ® P400 Serie englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ TFP-650F5 (15CP) Photoresist - 3.785 l
34000511
AZ® TFP 650
Flat Panel Display Fotolack
Allgemeine Informationen
Die AZ® TFP 650 F5 Resist eignet sich für Spin-Coat- und Extrusions-Coat-Anwendungen mit hervorragenden Haftungsanforderungen und/oder rauen Ätzbedingungen. Sie wurde entwickelt, um die Anforderungen der Flachbildschirmindustrie zu erfüllen. Sie sind speziell für eine Vielzahl von Anwendungen optimiert, darunter Spin Coat, Extrusion Coat und Roller Coat. Diese produktionserprobten Photoresists können mit einer Vielzahl von Developer und Entfernern verwendet werden und sind so formuliert, dass sie mit den darunter liegenden Schichten kompatibel sind.
Produkt-Eigenschaften
Sehr hohe Fotogeschwindigkeit
Geringer Verlust des dunklen Films
Optimierte Resist Haftung
Leichtes Entfernen nach dem Hardbake
Hohe Beständigkeit gegen scharfe Ätzmittel
Kompatibel mit allen gängigen Abbeizmitteln (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien)
g-, h- und i-linienempfindlich (ca. 320 - 440 nm)
Resist schichtdickenbereich ca. 1 - 2 µm
Developer
Wir empfehlen den TMAH-basierten AZ® 726 MIF oder AZ® 326 MIF (dieser enthält Tenside).
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Folien können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir NMP-freie wie AZ® 920 Remover oder TechniStrip P1316 als Remover.
Ausdünnen/Entfernen von Randwülsten
Wir empfehlen für das Ausdünnen und Entfernen von Randwülsten die Produkte AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR Solvent 70/30 ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® TFP 650 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® TFP 650 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® TFP 650 englisch
Informationen AZ® TFP 650 englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung