Positivlacke
Filter
–
AZ 10XT Photoresist (220cP) - 3.785 l
1A10XT220
AZ® 10XT (220CPS)
Dicklack für hohe Auflösung
Allgemeine Informationen
Der AZ® 10XT ist ein i-und h-line (nicht g-line!) empfindlicher positiver Dicklack, als Nachfolger des AZ® 9260 mit diesem weitgehend baugleich, jedoch mit anderem Tensid. Der AZ® 10XT ist im Gegensatz zum ähnlich lautenden AZ® 12XT nicht chemisch verstärkt.
3.0 µm lines in 12 µm thick AZ® 10XT Ultratech 1500 Exposure, AZ® 400K Developer 1:4 (260s spray)
Produkteigenschaften
Der AZ® 10XT weist nicht nur eine optimierte Lackhaftung auf gängigen Substratmaterialien, sondern auch das Potenzial sehr steiler Lackflanken und hoher Aspektverhältnisse auf. Entsprechend wird der AZ® 10XT häufig in der Galvanik, der Ionenimplantation oder zum Trockenätzen/RIE eingesetzt. Der AZ® 10XT erzielt bei 4000 U/min Schleuderdrehzahl ca. 6 µm Lackschichtdicke, mit entsprechend angepasstem Schleuderprofil lässt sich der Lackschichtdickenbereich von ca. 4.5 - 20 µm abdecken. Falls dünnere Lackschichten gewünscht sind, kann der AZ® 10XT mit PGMEA verdünnt werden, alternativ kommt für viele Prozesse auch der dünnere AZ® 4533 in Frage. Ab ca. 10 - 15 µm Lackschichtdicke gestaltet sich die Prozessierung des AZ® 10XT zunehmend zeitaufwendig: Der Softbake und die spätere Entwicklung dauern länger, für die Rehydrierung zwischen Softbake und Belichtung wird immer mehr Zeit benötigt, und die Gefahr der Bildung von Stickstoffbläschen beim Belichten nimmt zu. Für Lackschichtdicken größer 10 µm empfiehlt es sich, die Verwendung eines chemisch verstärkten Dicklacks wie dem AZ® 12XT (5 - 20 µm Lackschichtdicke) oder AZ®IPS 6090 (> 20 µm Lackschichtdicke) in Erwägung zu ziehen, welche bei entsprechender Lackdicke deutlich kürzere Softbake- und Entwicklungsdauern aufweisen, keine Rehydrierung sowie deutlich geringere Lichtdosen benötigen, und keinen Stickstoff beim Belichten freisetzen.
Entwickler
Zur Entwicklung empfehlen sich entweder TMAH-basierte Entwickler wie die ready-to-use AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF, oder der KOH-basierte AZ® 400K 1:4 (typ. 1 : 4 verdünnt mit Wasser, für schnellere Entwicklung auch mit 1 : 3.5 oder 1 : 3 etwas schärfer angesetzt). Auf alkalisch empfindlichen Substratmaterialien wie Aluminium empfiehlt sich der Aluminium-kompatible, unverdünnte AZ® Developer.
Remover
Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140 °C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07.
Verdünnung / Randwallentfernung
Falls der Lack für die Schleuderbelackung verdünnt werden soll, käme grundsätzlich PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® 10 XT dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zur Randwallentfernung.
Weitere Informationen
Unsere Sicherheitsdatenblätter und manche unserer Technischen Datenblätter sind passwortgeschützt.
Die Zugangsdaten erhalten Sie nach dem Ausfüllen des Formulars.
Bei den Zugangsdaten für die Datenblätter handelt es sich nicht um Ihre Login-Daten von unserem Shop!
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 10XT (220cps) englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 10XT (220cps) deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 10XT (220cps) englisch
Anwendungshinweis:
Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung
AZ 10XT Photoresist (520cP) - 3.785 l
1A010XT00
Gebindegröße:
3.785 l
AZ® 10XT (520CPS)
Dicklack für hohe Auflösung
Allgemeine Informationen
Der AZ® 10XT ist ein i-und h-line (nicht g-line!) empfindlicher positiver Dicklack, als Nachfolger des AZ® 9260 mit diesem weitgehend baugleich, jedoch mit anderem Tensid. Der AZ® 10XT ist im Gegensatz zum ähnlich lautenden AZ® 12XT nicht chemisch verstärkt.
3.0 µm lines in 12 µm thick AZ® 10XT Ultratech 1500 Exposure, AZ® 400K Developer 1:4 (260s spray)
Produkteigenschaften
Der AZ® 10XT weist nicht nur eine optimierte Lackhaftung auf gängigen Substratmaterialien, sondern auch das Potenzial sehr steiler Lackflanken und hoher Aspektverhältnisse auf. Entsprechend wird der AZ® 10XT häufig in der Galvanik, der Ionenimplantation oder zum Trockenätzen/RIE eingesetzt. Der AZ® 10XT erzielt bei 4000 U/min Schleuderdrehzahl ca. 6 µm Lackschichtdicke, mit entsprechend angepasstem Schleuderprofil lässt sich der Lackschichtdickenbereich von ca. 4.5 - 20 µm abdecken. Falls dünnere Lackschichten gewünscht sind, kann der AZ® 10XT mit PGMEA verdünnt werden, alternativ kommt für viele Prozesse auch der dünnere AZ® 4533 in Frage. Ab ca. 10 - 15 µm Lackschichtdicke gestaltet sich die Prozessierung des AZ® 10XT zunehmend zeitaufwendig: Der Softbake und die spätere Entwicklung dauern länger, für die Rehydrierung zwischen Softbake und Belichtung wird immer mehr Zeit benötigt, und die Gefahr der Bildung von Stickstoffbläschen beim Belichten nimmt zu. Für Lackschichtdicken größer 10 µm empfiehlt es sich, die Verwendung eines chemisch verstärkten Dicklacks wie dem AZ® 12XT (5 - 20 µm Lackschichtdicke) oder AZ® IPS 6090 (> 20 µm Lackschichtdicke) in Erwägung zu ziehen, welche bei entsprechender Lackdicke deutlich kürzere Softbake- und Entwicklungsdauern aufweisen, keine Rehydrierung sowie deutlich geringere Lichtdosen benötigen, und keinen Stickstoff beim Belichten freisetzen.
Entwickler
Zur Entwicklung empfehlen sich entweder TMAH-basierte Entwickler wie die ready-to-use AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF, oder der KOH-basierte AZ® 400K 1:4 (typ. 1 : 4 verdünnt mit Wasser, für schnellere Entwicklung auch mit 1 : 3.5 oder 1 : 3 etwas schärfer angesetzt). Auf alkalisch empfindlichen Substratmaterialien wie Aluminium empfiehlt sich der Aluminium-kompatible, unverdünnte AZ® Developer.
Remover
Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140 °C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07.
Verdünnung / Randwallentfernung
Falls der Lack für die Schleuderbelackung verdünnt werden soll, käme grundsätzlich PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® 10 XT dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zur Randwallentfernung.
Weitere Informationen
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MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 10XT (520cps) englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 10XT (520cps) deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 10XT (520cps) englisch
Anwendungshinweis:
Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung
AZ 12XT-20PL-10 Photoresist - 3.785 l
1A012XT1000
Gebindegröße:
3.785 l
AZ® 12XT-20PL-10
Chemisch verstärkter Positivlack
Allgemeine Informationen
Der AZ® 12XT ist ein chemisch verstärkter, i-line empfindlicher Dicklack für hohe Aspektverhältnisse und mit erhöhtem thermischen Erweichungspunkt.
AZ® 12XT - 2.4mm lines at 10mm film thickness
Produkteigenschaften
Der AZ® 12XT deckt einen Lackschichtdickenbereich von ca. 5 - 20 µm ab. Als chemisch verstärkter Lack benötigt der AZ® 12XT keine Rehydrierung zwischen Softbake und Belichtung, braucht verglichen mit nicht chemisch verstärkten Lacken vergleichbarer Dicke deutlich geringere Lichtdosen, setzt beim Belichten keinen Stickstoff frei (keine Bläschenbildung in der Lackschicht beim Belichten), und weist für einen Dicklack sehr hohe Entwicklungsraten auf. Diese Eigenschaften tragen dazu bei, die gesamte Prozessführung deutlich schneller und weniger problemanfällig zu gestalten als mit nicht-chemisch verstärkten Dicklacken. Seine gute Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien sowie sein Potenzial steiler Lackflanken machen ihn für die galvanische Abformung geeignet, sein hoher thermischer Erweichungspunkt (ca. 130 °C) empfiehlt ihn auch für das Trockenätzen bzw. DRIE. Grundsätzlich ist der AZ® 12XT nur i-line empfindlich, bei entsprechend hohen Lichtdosen und Lackschichtdicken kann auch mit der h-Linie (405 nm) gearbeitet werden. Falls dünnere Lackschichtdicken als ca. 5 µm erwünscht sind, kann der AZ® 12XT problemlos mit PGMEA = AZ® EBR Solvent verdünnt werden. Für Lackschichtdicken größer 15 µm sollte der ebenfalls chemisch verstärkte AZ® IPS 6090 in Erwägung gezogen werden.
Entwickler
Zur Entwicklung dieses chemisch verstärkten Lacks empfehlen sich TMAH-basierte Entwickler wie die ready-to-use AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF. KOH-oder NaOH-basierte Entwickler wie der AZ® 400 K oder AZ® 351B sind für den AZ® 12XT weniger geeignet.
Remover
Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140 °C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07.
Verdünnung / Randwallentfernung
Falls der Lack für die Schleuderbelackung verdünnt werden soll, kommt PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® 12XT dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zur Randwallentfernung.
Weitere Informationen
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MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 12XT 20PL-10 englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 12XT 20PL-10 deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 12XT 20PL-10 englisch
Anwendungshinweis:
Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung
AZ 12XT-20PL-15 Photoresist - 3.785 l
1A012XT1500
AZ® 12XT-20PL-15
Chemisch verstärkter Positivlack
Allgemeine Informationen
Der AZ® 12XT ist ein chemisch verstärkter, i-line empfindlicher Dicklack für hohe Aspektverhältnisse und mit erhöhtem thermischen Erweichungspunkt.
AZ® 12XT - 2.4mm lines at 10mm film thickness
Produkteigenschaften
Der AZ® 12XT deckt einen Lackschichtdickenbereich von ca. 5 - 20 µm ab. Als chemisch verstärkter Lack benötigt der AZ® 12XT keine Rehydrierung zwischen Softbake und Belichtung, braucht verglichen mit nicht chemisch verstärkten Lacken vergleichbarer Dicke deutlich geringere Lichtdosen, setzt beim Belichten keinen Stickstoff frei (keine Bläschenbildung in der Lackschicht beim Belichten), und weist für einen Dicklack sehr hohe Entwicklungsraten auf. Diese Eigenschaften tragen dazu bei, die gesamte Prozessführung deutlich schneller und weniger problemanfällig zu gestalten als mit nicht-chemisch verstärkten Dicklacken. Seine gute Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien sowie sein Potenzial steiler Lackflanken machen ihn für die galvanische Abformung geeignet, sein hoher thermischer Erweichungspunkt (ca. 130 °C) empfiehlt ihn auch für das Trockenätzen bzw. DRIE. Grundsätzlich ist der AZ® 12XT nur i-line empfindlich, bei entsprechend hohen Lichtdosen und Lackschichtdicken kann auch mit der h-Linie (405 nm) gearbeitet werden. Falls dünnere Lackschichtdicken als ca. 5 µm erwünscht sind, kann der AZ® 12XT problemlos mit PGMEA = AZ® EBR Solvent verdünnt werden. Für Lackschichtdicken größer 15 µm sollte der ebenfalls chemisch verstärkte AZ® IPS 6090 in Erwägung gezogen werden.
Entwickler
Zur Entwicklung dieses chemisch verstärkten Lacks empfehlen sich TMAH-basierte Entwickler wie die ready-to-use AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF. KOH-oder NaOH-basierte Entwickler wie der AZ® 400 K oder AZ® 351B sind für den AZ® 12XT weniger geeignet.
Remover
Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140 °C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07.
Verdünnung / Randwallentfernung
Falls der Lack für die Schleuderbelackung verdünnt werden soll, kommt PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® 12XT dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zur Randwallentfernung.
Weitere Informationen
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MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 12XT 20PL-15 englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 12XT 20PL-15 deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 12XT 20PL-15 englisch
Anwendungshinweis:
Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung
AZ 1505 Photoresist - 3.785 l
1A001505
Gebindegröße:
3.785 l
AZ® 1505
Positive Dünnlacke für Nassätzung
Allgemeine Informationen
Der AZ® 1505 Fotolack gehört zur AZ® 1500 Fotolack Serie positiver Dünnlacke (g-, h-und i-line empfindlich) mit optimierter Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien, deren Hauptanwendung der Einsatz als Lackmaske für Nasschemisches Ätzen ist.
Produkteigenschaften
Die AZ® 1500 Lackfamilie ist nicht auf möglichst senkrechte Lackflanken oder eine hohe Stabilität gegen thermisches Verrunden (Erweichungstemperatur ca. 100°C), sondern auf eine sehr hohe Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien optimiert. Die verglichen mit Dicklacken hohe Fotoinitiator-Konzentration der AZ® 1500er Serie erlaubt eine sehr schnelle Entwicklung.
Der AZ® 1505 ist mit ca. 500 nm Lackschichtdicke bei 4000 U/min der dünnste Vertreter dieser Lackserie. Dieser Lack wird häufig zum Chromätzen bei der Fotomaskenherstellung eingesetzt, eignet sich aber ebenso als Ätzmaske für andere Materialien. Der AZ® 1505 Fotolack erlaubt hierbei unter optimierten Prozessparametern eine Auflösung im Submikrometerbereich. Falls eine so hohe Auflösung nicht erforderlich ist, kann ein etwas dickerer Lack (zum Beispiel AZ® 1514 H oder AZ® 1518) sinnvoll sein, womit die Gefahr von Pinholes in der Lackschicht durch Partikel auf dem Substrat, und entsprechenden Ätzdefekten, verringert wird. Von einer weiteren Verdünnung des AZ® 1505 Fotolack ist abzuraten, da stark verdünnte, Fotoinitiator-reiche Lacke rasch zu Partikelbildung neigen. Muss der Lack dennoch verdünnt werden, sollten entsprechende Ansätze rasch verbraucht und ein Augenmerk auf eine mögliche Partikelbildung gerichtet werden.
Entwickler
Zur Entwicklung empfehlen sich entweder TMAH-basierte Entwickler wie der AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF, der NaOH-basierte AZ® 351B, und bei nicht zu hohen Anforderungen an die Selektivität auch der KOH-basierte AZ® 400K. Beim AZ® 351B oder AZ® 400K kann es zur Erzielung sehr feiner Lackstrukturen oder besser kontrollierbarer Entwicklungsdauern ratsam sein, statt der üblichen 1:4 Verdünnung mit höher verdünnten Entwickleransätzen (zum Beispiel 1:5 bis 1:6) zu arbeiten. Auf alkalisch empfindlichen Substratmaterialien wie Aluminium empfiehlt sich der Aluminium-kompatible AZ® Developer in einer 1:1 Verdünnung.
Removers
Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140°C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07.
Verdünnung / Randwallentfernung
Auch wenn, wie weiter oben beschrieben, eine weitere Verdünnung des AZ® 1505 Fotolack aufgrund der beschleunigten Partikelbildung nicht empfehlenswert ist, käme grundsätzlich PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® 1505 dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zu Randwallentfernung.
Weitere Informationen
Unsere Sicherheitsdatenblätter und manche unserer Technischen Datenblätter sind passwortgeschützt.
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MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 1505 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 1505 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 1505 Fotolack englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung
AZ 1512 HS Photoresist - 3.785 l
1A001512
Gebindegröße:
3.785 l
AZ® 1512 HS
Positive Dünnlacke für Nassätzung
Allgemeine Informationen
Der AZ® 1512 HS Fotolack gehört zur AZ® 1500 Fotolack Serie positiver Dünnlacke (g-, h-und i-line empfindlich) mit optimierter Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien, deren Hauptanwendung der Einsatz als Lackmaske für Nasschemisches Ätzen ist.
Produkteigenschaften
Die AZ® 1500 Lackfamilie ist nicht auf möglichst senkrechte Lackflanken oder eine hohe Stabilität gegen thermisches Verrunden (Erweichungstemperatur ca. 100°C), sondern auf eine sehr hohe Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien optimiert. Die verglichen mit Dicklacken hohe Fotoinitiator-Konzentration der AZ® 1500er Serie erlaubt eine sehr schnelle Entwicklung.
Der AZ® 1512 HS erzielt bei 4000 U/min ca. 1.3 µm Lackschichtdicke und wird häufig zum Chromätzen bei der Fotomaskenherstellung eingesetzt, eignet sich aber ebenso als Ätzmaske für andere Materialien. Der AZ® 1512 HS Fotolack erlaubt hierbei unter optimierten Prozessparametern eine Auflösung im Submikrometerbereich. Falls eine so hohe Auflösung nicht erforderlich ist, kann ein etwas dickerer Lack (zum Beispiel AZ® 1518) sinnvoll sein, womit die Gefahr von Pinholes in der Lackschicht durch Partikel auf dem Substrat, und entsprechenden Ätzdefekten, verringert wird. Der AZ® 1512 HS besitzt innerhalb der AZ® 1500er Serie die höchste Fotoinitiator-Konzentration, ist entsprechend kontrastreich, und zeigt eine besonders hohe Entwicklungsrate. Von einer Verdünnung des AZ® 1512 HS Fotolack ist abzuraten, da verdünnte, sehr Fotoinitiator-reiche Lacke rasch zu Partikelbildung neigen. Muss der Lack dennoch verdünnt werden, sollten entsprechende Ansätze rasch verbraucht und ein Augenmerk auf eine mögliche Partikelbildung gerichtet werden.
Entwickler
Zur Entwicklung empfehlen sich entweder TMAH-basierte Entwickler wie die ready-to-use AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF, der NaOH-basierte AZ® 351B (typ. 1:4 verdünnt mit Wasser), und bei nicht zu hohen Anforderungen an die Selektivität auch der KOH-basierte AZ® 400K (ebenfalls typ. 1:4 verdünnt mit Wasser). Für sehr feine Lackstrukturen kann eine etwas höhere Verdünnung der Entwickler hilfreich sein. Auf alkalisch empfindlichen Substratmaterialien wie Aluminium empfiehlt sich der Aluminium-kompatible AZ® Developer in einer 2:1 bis 1:1 Verdünnung (Entwickler : Wasser).
Removers
Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140°C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07.
Verdünnung / Randwallentfernung
Auch wenn, wie weiter oben beschrieben, eine weitere Verdünnung des AZ® 1512 HS Fotolack aufgrund der beschleunigten Partikelbildung nicht empfehlenswert ist, käme grundsätzlich PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® 1512 HS dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zu Randwallentfernung.
Weitere Informationen
Unsere Sicherheitsdatenblätter und manche unserer Technischen Datenblätter sind passwortgeschützt.
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MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 1512 HS Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 1512 HS Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 1512 HS Fotolack englisch
Anwendungshinweis:
Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung
AZ 1514 H Photoresist - 3.785 l
1A001514
Gebindegröße:
3.785 l
AZ® 1514 H
Positive Dünnlacke für Nassätzung
Allgemeine Informationen
Der AZ® 1514 H gehört zur AZ® 1500 Fotolack Serie positiver Dünnlacke (g-, h-und i-line empfindlich) mit optimierter Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien, deren Hauptanwendung der Einsatz als Lackmaske für Nasschemisches Ätzen ist.
Produkteigenschaften
Die AZ® 1500 Lackfamilie ist nicht auf möglichst senkrechte Lackflanken oder eine hohe Stabilität gegen thermisches Verrunden (Erweichungstemperatur ca. 100°C), sondern auf eine sehr hohe Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien optimiert. Die verglichen mit Dicklacken hohe Fotoinitiator-Konzentration der AZ® 1500er Serie erlaubt eine sehr schnelle Entwicklung.
Der AZ® 1514 H erzielt bei 4000 U/min ca. 1.5 µm Lackschichtdicke und weist eine besonders gute Haftung auf metallischen Substratmaterialien auf, wodurch er sich als Ätzmaske für zum Beispiel Aluminium, Chrom und andere Metalle, aber auch zum Ätzen nicht metallischer Schichten eignet. Von einer stärkeren Verdünnung des AZ® 1514 H ist abzuraten, da verdünnte, Fotoinitiator-reiche Lacke rasch zu Partikelbildung neigen. Muss der Lack dennoch verdünnt werden, sollten entsprechende Ansätze rasch verbraucht und ein Augenmerk auf eine mögliche Partikelbildung gerichtet werden.
Entwickler
Zur Entwicklung empfehlen sich entweder TMAH-basierte Entwickler wie die ready-to-use AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF, der NaOH-basierte AZ® 351B (typ. 1:4 verdünnt mit Wasser), und bei nicht zu hohen Anforderungen an die Selektivität auch der KOH-basierte AZ® 400K (ebenfalls typ. 1:4 verdünnt mit Wasser). Für sehr feine Lackstrukturen kann eine etwas höhere Verdünnung der Entwickler hilfreich sein. Auf alkalisch empfindlichen Substratmaterialien wie Aluminium empfiehlt sich der Aluminium-kompatible AZ® Developer in einer 2:1 bis 1:1 Verdünnung (Entwickler : Wasser).
Removers
Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140°C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07.
Verdünnung / Randwallentfernung
Auch wenn, wie weiter oben beschrieben, eine weitere Verdünnung des AZ® 1514 H aufgrund der beschleunigten Partikelbildung nicht empfehlenswert ist, käme grundsätzlich PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® 1514 H dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zu Randwallentfernung.
Weitere Informationen
Unsere Sicherheitsdatenblätter und manche unserer Technischen Datenblätter sind passwortgeschützt.
Die Zugangsdaten erhalten Sie nach dem Ausfüllen des Formulars.
Bei den Zugangsdaten für die Datenblätter handelt es sich nicht um Ihre Login-Daten von unserem Shop!
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 1514 H Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 1514 H Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 1514 H Fotolack englisch
Anwendungshinweis:
Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung
AZ 1518 Photoresist - 3.785 l
1A001518
Gebindegröße:
3.785 l
AZ® 1518
Positive Dünnlacke für Nassätzung
Allgemeine Informationen
Der AZ® 1518 gehört zur AZ® 1500er Serie positiver Dünnlacke (g-, h-und i-line empfindlich) mit optimierter Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien, deren Hauptanwendung der Einsatz als Lackmaske für Nasschemisches Ätzen ist.
Produkteigenschaften
Die AZ® 1500 Lackfamilie ist nicht auf möglichst senkrechte Lackflanken oder eine hohe Stabilität gegen thermisches Verrunden (Erweichungstemperatur ca. 100°C), sondern auf eine sehr hohe Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien optimiert. Die verglichen mit Dicklacken hohe Fotoinitiator-Konzentration der AZ® 1500er Serie erlaubt eine sehr schnelle Entwicklung.
Der AZ® 1518 erzielt bei 4000 U/min ca. 1.8 µm Lackschichtdicke und wird häufig zum Ätzen von metallischen oder nicht-metallischen Schichten eingesetzt. Von einer stärkeren Verdünnung des AZ® 1518 unterhalb des Niveaus des AZ® 1505 ist abzuraten, da verdünnte, Fotoinitiator-reiche Lacke rasch zu Partikelbildung neigen. Muss der Lack dennoch verdünnt werden, sollten entsprechende Ansätze rasch verbraucht und ein Augenmerk auf eine mögliche Partikelbildung gerichtet werden. Der AZ® 1518 sollte nicht deutlich dicker als ca. 2 µm Lackschichtdicke prozessiert werden, da es bei zunehmender Lackdicke durch die hohe Fotoinitiator-Konzentration beim Belichten zur Bildung von Stickstoff-Bläschen in der Lackschicht kommen kann. Falls dickere Lackschichten gewünscht sind, empfiehlt sich der deutlich Fotoinitiator-ärmere AZ® 4533.
Entwickler
Zur Entwicklung empfehlen sich entweder TMAH-basierte Entwickler wie die ready-to-use AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF, der NaOH-basierte AZ® 351B (typ. 1:4 verdünnt mit Wasser), und bei nicht zu hohen Anforderungen an die Selektivität auch der KOH-basierte AZ® 400K (ebenfalls typ. 1:4 verdünnt mit Wasser). Auf alkalisch empfindlichen Substratmaterialien wie Aluminium empfiehlt sich der Aluminium-kompatible AZ® Developer in einer 2:1 bis 1:1 Verdünnung (Entwickler : Wasser).
Removers
Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140°C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07.
Verdünnung / Randwallentfernung
Auch wenn, wie weiter oben beschrieben, eine weitere Verdünnung des AZ® 1518 aufgrund der beschleunigten Partikelbildung nicht empfehlenswert ist, käme grundsätzlich PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® 1518 dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zu Randwallentfernung.
Weitere Informationen
Unsere Sicherheitsdatenblätter und manche unserer Technischen Datenblätter sind passwortgeschützt.
Die Zugangsdaten erhalten Sie nach dem Ausfüllen des Formulars.
Bei den Zugangsdaten für die Datenblätter handelt es sich nicht um Ihre Login-Daten von unserem Shop!
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 1518 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 1518 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 1518 Fotolack englisch
Anwendungshinweis:
Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung
AZ 3DT-102M-15 - 3,785 l
13DT102153
AZ® 3DT-102M-15
Chemisch verstärktes Positiv Fotolack
Allgemeine Informationen
AZ® 3DT-102M-15 ist ein chemisch verstärkter Positivton Fotolack mit einem sehr hohen Aspektverhältnis. Er ist für die Verwendung als Maske für Trockenätz-, Ionenimplantations-, RDL- und Galvanikanwendungen (Cu-kompatibel) vorgesehen. Sie kann sowohl mit i-line Steppern als auch mit herkömmlichen Mask Alignern verwendet werden. Die AZ® 3DT-102M-15 ist für einen Schichtdickenbereich von 8 - 20 µm vorgesehen.
Produkt-Eigenschaften
Steile Seitenwände
Kompatibel mit Kupferplattierungs-Verfahren
Für TSV, Implantation, RDL, Galvanik, Trockenätzung
Chemisch verstärkt à PEB obligatorisch
Kompatibel mit den meisten Fotolack Stripper (z. B. AZ® 100 Remover, auf Basis organischer Lösungsmittel oder alkalisch)
i-line empfindlich (kann auch für Breitbandbelichtung verwendet werden)
Resist schichtdickenbereich ca. 8 - 20 µm
Developer
Die empfohlenen Developer sind AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF für den Fotolack AZ® 3DT-102M-15.
Ablöser
Die empfohlenen Abisoliermittel für den AZ® 3DT-102M-15 sind AZ® 920 Remover, AZ® 100 Remover, TechniStrip P1316, TechniStrip P1331 und TechniStrip MLO07.
Ausdünnen/Randwulstentfernung
Wir empfehlen zum Verdünnen das AZ® EBR Solvent.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 3DT-102M-15 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 3DT-102M-15 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 3DT-102M-15 Fotolack englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ 40XT-11D Photoresist - 3.785 l
10040XT
Gebindegröße:
3.785 l
AZ® 40XT
Chemisch verstärkter Dicklack
General Information
Der AZ® 40XT ist ein chemisch verstärkter, i-line empfindlicher Ultradicklack für hohe Aspektverhältnisse.
Lines and spaces varying from 100 to 10 µm with a 40 µm thick AZ® 40XT at 400 mJ/cm2 exposure dose
Produkteigenschaften
Der AZ® 40XT deckt einen Lackschichtdickenbereich von ca. 15 - 50 µm ab. Als chemisch verstärkter Lack benötigt der AZ® 40XT keine Rehydrierung zwischen Softbake und Belichtung, braucht verglichen mit nicht chemisch verstärkten Lacken vergleichbarer Dicke deutlich geringere Lichtdosen, setzt beim Belichten keinen Stickstoff frei (keine Bläschenbildung in der Lackschicht beim Belichten), und weist für einen Dicklack sehr hohe Entwicklungsraten auf. Diese Eigenschaften tragen dazu bei, die gesamte Prozessführung deutlich schneller und weniger problemanfällig zu gestalten als mit nicht chemisch verstärkten Dicklacken. Seine gute Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien sowie sein Potenzial steiler Lackflanken machen ihn vor allem für die galvanische Abformung für z. B. Cu. Ni oder Au geeignet. Grundsätzlich ist der AZ® 40XT nur i-line empfindlich, bei entsprechend hohen Lichtdosen und Lackschichtdicken kann auch mit der h-Linie (405 nm) gearbeitet werden. Zu beachten ist, dass bei diesen chemisch verstärkten Lacken der Post Exposure Bake nicht optional, sondern zwingend notwendig ist, um die beim Belichten induzierte Fotoreaktion abzuschließen uns die spätere Entwicklung zu ermöglichen. Falls dünnere Lackschichtdicken als ca. 15 µm erwünscht sind, kann der AZ® 40XT problemlos mit PGMEA = AZ® EBR Solvent verdünnt werden. Falls es beim Softbake oder Post Exposure Bake zu Bläschen in der Lackschicht kommt, was vor allem hin zu größeren Lackschichtdicken auftreten kann, helfen entweder eine langsame Temperaturrampe bei diesen Backprozessen, oder eine mehrstufiger Backprozess mit jeweils ansteigender Temperatur. Kommen diese Maßnahmen nicht infrage, oder lässt sich die Bläschenbildung trotz dieser Maßnahme nicht vermeiden, empfiehlt sich die Verwendung des ebenfalls chemisch verstärkten Ultradicklacks AZ® IPS 6090.
Entwickler
Zur Entwicklung dieses chemisch verstärkten Lacks empfehlen sich TMAH-basierte Entwickler wie die ready-to-use AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF. KOH-oder NaOH-basierte Entwickler wie der AZ® 400K oder AZ® 351B sind für den AZ® 40XT weniger geeignet.
Remover
Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140 °C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07.
Verdünnung/ Randwallentfernung
Falls der Lack für die Schleuderbelackung verdünnt werden soll, kommt PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® 40XT dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zu Randwallentfernung.
Weitere Informationen
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MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 40XT Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 40XT Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 40XT Fotolack englisch
Anwendungshinweis:
Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung
AZ 4533 Photoresist - 3.785 l
1A004533
Gebindegröße:
3.785 l
AZ® 4533
Dicke Resists mit optimierter Haftung
Allgemeine Informationen
Der AZ® 4533 gehört zur AZ® 4500er Serie an Positivlacken (g-, h-und i-line empfindlich) im mittleren Lackschichtdickenbereich, deren Hauptanwendung der Einsatz als Lackmaske für nasschemisches Ätzen oder die galvanische Abscheidung ist.
Produkteigenschaften
Die AZ® 4500er Lacke sind weniger auf möglichst senkrechte Lackflanken oder eine hohe Stabilität gegen thermisches Verrunden (Erweichungstemperatur ca. 100 °C), sondern auf eine sehr hohe Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien optimiert. Die verglichen mit Dünnlacken (wie z.B. der AZ® 1500er Serie) geringe Fotoinitiator-Konzentration der AZ® 4500er Lacke erlaubt die Belichtung auch dickerer Lackschichten, ohne die Gefahr der Bildung von Stickstoffbläschen in der Lackschicht.
Der AZ® 4533 wird häufig zum Ätzen von metallischen oder nicht-metallischen Schichten eingesetzt. Der AZ® 4533 erzielt bei 4000 U/min Schleuderdrehzahl ca. 3.3 µm Lackschichtdicke, bei entsprechend angepasstem Schleuderprofil lässt sich der Lackschichtdickenbereich von ca. 2.5 - 5 µm abdecken. Falls dünnere Lackschichten gewünscht sind empfiehlt sich der Einsatz der AZ® 1500er Serie, oder eine Verdünnung des AZ® 4533 mit PGMEA = AZ® EBR Solvent. Dickere Lackschichten lassen sich mit dem AZ® 4562 erzielen, der sich vom AZ® 4533 nur im geringeren Lösemittelanteil unterscheidet.
Entwickler
Zur Entwicklung empfehlen sich entweder TMAH-basierte Entwickler wie die ready-to-use AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF, oder der KOH-basierte AZ® 400K (typ. 1:4 verdünnt mit Wasser, für schnellere Entwicklung auch mit 1:3.5 oder 1:3 etwas schärfer angesetzt). Auf alkalisch empfindlichen Substratmaterialien wie Aluminium empfiehlt sich der Aluminium-kompatible, unverdünnte AZ® Developer.
Removers
Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140°C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07.
Verdünnung / Randwallentfernung
Falls der Lack für die Schleuderbelackung verdünnt werden soll, käme grundsätzlich PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® 4533 dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zu Randwallentfernung.
Weitere Informationen
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MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 4533 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 4533 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 4533 Fotolack englisch
Anwendungshinweis:
Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung
AZ 4562 Photoresist - 3.785 l
1A004562
Gebindegröße:
3.785 l
AZ® 4562
Dicke Resists mit optimierter Haftung
Allgemeine Informationen
Der AZ® 4562 gehört zur AZ® 4500er Serie an Positivlacken (g-, h-und i-line empfindlich) im mittleren Lackschichtdickenbereich, deren Hauptanwendung der Einsatz als Lackmaske für nasschemisches Ätzen oder die galvanische Abscheidung ist.
Produkteigenschaften
Die AZ® 4500er Lacke sind weniger auf möglichst senkrechte Lackflanken oder eine hohe Stabilität gegen thermisches Verrunden (Erweichungstemperatur ca. 100 °C), sondern auf eine sehr hohe Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien optimiert. Die verglichen mit Dünnlacken (wie z.B. der AZ® 1500er Serie) geringe Fotoinitiator-Konzentration der AZ® 4500er Lacke erlaubt die Belichtung auch dickerer Lackschichten, ohne die Gefahr der Bildung von Stickstoffbläschen in der Lackschicht.
Der AZ® 4562 wird häufig in der Galbanik oder zum Ätzen von metallischen oder nicht-metallischen Schichten eingesetzt. Der AZ® 4562 erzielt bei 4000 U/min Schleuderdrehzahl ca. 6 µm Lackschichtdicke, bei entsprechend angepasstem Schleuderprofil lässt sich der Lackschichtdickenbereich von ca. 4.5 - 20 µm abdecken. Falls dünnere Lackschichten gewünscht sind empfiehlt sich der AZ® 4533, der sich vom AZ® 4562 nur im höheren Lösemittelanteil unterscheidet. Ab ca. 10 µm gestaltet sich die Prozessierung des AZ® 4562 zunehmend zeitaufwendig: Der Softbake und die spätere Entwicklung dauern länger, für die Rehydrierung zwischen Softbake und Belichtung wird immer mehr Zeit benötigt, und die Gefahr der Bildung von Stickstoffbläschen beim Belichten hinzu. Für Lackschichtdicken größer 10-20 µm empfiehlt es sich, die Verwendung eines chemisch verstärkten Dicklacks wie dem AZ® 12XT (5 -20 µm Lackschichtdicke) oder IPS 6090 (> 20 µm Lackschichtdicke) in Erwägung zu ziehen, welche bei entsprechender Lackdicke deutlich kürzere Softbake- und Entwicklungsdauern aufweisen und keine Rehydrierung sowie deutlich geringere Lichtdosen benötigen.
Entwickler
Zur Entwicklung empfehlen sich entweder TMAH-basierte Entwickler wie die ready-to-use AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF, oder der KOH-basierte AZ® 400K (typ. 1:4 verdünnt mit Wasser, für schnellere Entwicklung auch mit 1:3.5 oder 1:3 etwas schärfer angesetzt). Auf alkalisch empfindlichen Substratmaterialien wie Aluminium empfiehlt sich der Aluminium-kompatible, unverdünnte AZ® Developer.
Removers
Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140°C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07.
Verdünnung / Randwallentfernung
Falls der Lack für die Schleuderbelackung verdünnt werden soll, käme grundsätzlich PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® 4562 dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zu Randwallentfernung.
Weitere Informationen
Unsere Sicherheitsdatenblätter und manche unserer Technischen Datenblätter sind passwortgeschützt.
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MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 4562 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 4562 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 4562 Fotolack englisch
Anwendungshinweis:
Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung
AZ 4999 Fotolack - 3.785 l - EUD/EVE!
1A004999
Bottle size:
3.785 l
AZ® 4999
Sprühlack
Allgemeine Informationen
AZ® 4999 ist eine hochtransparente Fotolack Sprühbeschichtung, die speziell für spezielle Sprühbeschichtungsanlagen (z. B. SÜSS Delta AltaSpray) entwickelt wurde, um fehlerfreie und gleichmäßige Beschichtungen auf Geräten mit schwieriger Topografie zu erzielen. Dicke (einige bis mehrere zehn Mikrometer) und gleichmäßige Resist Beschichtungen werden auf Topografien wie V-Nuten und Gräben mit optimaler Abdeckung von scharfen Kanten erzielt. Es gibt keine Anhäufung von Resist in Gräben. Die Verwendung von AZ® 4999 Fotolack ermöglicht eine hohe Reproduzierbarkeit in der Massenproduktion.
Produkteigenschaften
Viskosität (bei 25°C): 0.52 cSt
Feststoffgehalt: 4%
Absorptionsvermögen bei 398 nm: 0.1 l/(g*cm)
Spektrale Empfindlichkeit: 310 nm - 440 nm
Developer
Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich das KOH-basierte AZ® 400K in einer 1:4 Verdünnung (für höhere Resist Schichtdicken 1:3,5 - 1:3 verdünnt möglich) Developer.
Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir das TMAH-basierte AZ® 2026 MIF Developer (unverdünnt).
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt.
Ausdünnen/Randwulstentfernung
Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten die Produkte AZ® EBR Solvent oder PGMEA.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 4999 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 4999 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 4999 Fotolack englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ ECI 3007 Photoresist - 3.785 l
1A003007
Gebindegröße:
3.785 l
AZ® 3007
Hohe Auflösung mit breitem Prozessfenster
Allgemeine Informationen
Der AZ® ECI 3007 gehört zur AZ® ECI 3000er Serie positiver Dünnlacke (g-, h-und i-line empfindlich), deren Hauptanwendungen der Einsatz als Lackmaske für trockenchemischen Ätzen, RIE, Ionenimplantation oder auch Lift-off Prozesse sind.
Produkteigenschaften
Die AZ® ECI 3000 Lackfamilie ist auf steile Lackflanken sowie eine hohe Stabilität gegen thermisches Verrunden (Erweichungstemperatur ca. 125 °C) optimiert. Die AZ® ECI 3000er Lacke benötigen eine, verglichen mit anderen Positivlacken, deutlich geringere Lichtdosis, entwickeln aber dennoch rasch.
Der AZ® ECI 3007 ist mit ca. 700 nm Lackschichtdicke bei 3000 U/min der dünnste Vertreter dieser Lackserie. Dieser Lack wird häufig zum Trockenätzen, RIE oder Lift-off Prozessen und erlaubt unter optimierten Prozessparametern eine Auflösung deutlich im Submikrometerbereich. Falls eine so hohe Auflösung nicht erforderlich ist, kann ein etwas dickerer Lack dieser Reihe (zum Beispiel AZ® ECI 3012, AZ® ECI 3027) sinnvoll sein. Falls erforderlich, lässt sich der AZ® ECI 3007 problemlos mit PGMEA = AZ® EBR Solvent weiter verdünnen. Für Anwendungen mit hohen Anforderungen an eine sehr gute Lackhaftung wie nasschemisches Ätzen sowie die galvanische Abscheidung empfehlen sich Lacke der AZ® 1500er bzw. 4500er Serie.
Entwickler
Zur Entwicklung empfehlen sich entweder TMAH-basierte Entwickler wie der AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF, der NaOH-basierte AZ® 351B, und bei nicht zu hohen Anforderungen an die Selektivität auch der KOH-basierte AZ® 400K. Beim AZ® 351B oder AZ® 400K kann es zur Erzielung sehr feiner Lackstrukturen oder besser kontrollierbarer Entwicklungsdauern ratsam sein, statt der üblichen 1:4 Verdünnung mit höher verdünnten Entwickleransätzen (zum Beispiel 1:5 bis 1:6) zu arbeiten. Auf alkalisch empfindlichen Substratmaterialien wie Aluminium empfiehlt sich der Aluminium-kompatible AZ® Developer in einer 1:1 Verdünnung.
Removers
Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140°C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07.
Verdünnung / Randwallentfernung
Zur Verdünnung für die Schleuderbelackung kommt grundsätzlich PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage, was sich, falls nötig, auch zur Randwallentfernung eignet.
Weitere Informationen
Unsere Sicherheitsdatenblätter und manche unserer Technischen Datenblätter sind passwortgeschützt.
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MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® ECI 3007 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® ECI 3007 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® ECI 3000 Serie englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung
AZ ECI 3012 Photoresist - 3.785 l
1A003012
Gebindegröße:
3.785 l
AZ® 3012
Hohe Auflösung mit breitem Prozessfenster
Allgemeine Informationen
Der AZ® ECI 3012 gehört zur AZ® ECI 3000er Serie positiver Dünnlacke (g-, h-und i-line empfindlich), deren Hauptanwendungen der Einsatz als Lackmaske für trockenchemischen Ätzen, RIE, Ionenimplantation oder auch Lift-off Prozesse sind.
450 nm resist Linien mit dem AZ® ECI 3012 bei einer Schichtdicke von ca. 1.2 µm.
Produkteigenschaften
Die AZ® ECI 3000 Lackfamilie ist auf steile Lackflanken sowie eine hohe Stabilität gegen thermisches Verrunden (Erweichungstemperatur ca. 125 °C) optimiert. Die AZ® ECI 3000er Lacke benötigen eine, verglichen mit anderen Positivlacken, deutlich geringere Lichtdosis, entwickeln aber dennoch rasch.
Der AZ® ECI 3012 deckt mit ca. 1,3 µm Lackschichtdicke bei 3000 U/min mit angepassten Schleuderprofilen den Lackschichtdickenbereich von ca. 1.0 - 1.8 µm ab. Dieser Lack wird häufig zum Trockenätzen, RIE oder Lift-off Prozessen und erlaubt unter optimierten Prozessparametern eine Auflösung im Submikrometerbereich. Falls eine so hohe Auflösung nicht erforderlich ist, kann ein etwas dickerer Lack dieser Reihe (zum Beispiel AZ® ECI 3027) sinnvoll sein. Falls dünnere Lackschichten erforderlich sind, empfiehlt sich der AZ® ECI 3007, alternativ eine Verdünnung des AZ® ECI 3012 mit PGMEA = AZ® EBR Solvent. Für Anwendungen mit hohen Anforderungen an eine sehr gute Lackhaftung wie nasschemisches Ätzen sowie die galvanische Abscheidung empfehlen sich Lacke der AZ® 1500er bzw. 4500er Serie.
Entwickler
Zur Entwicklung empfehlen sich entweder TMAH-basierte Entwickler wie der AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF, der NaOH-basierte AZ® 351B, und bei nicht zu hohen Anforderungen an die Selektivität auch der KOH-basierte AZ® 400K. Beim AZ® 351B oder AZ® 400K kann es zur Erzielung sehr feiner Lackstrukturen oder besser kontrollierbarer Entwicklungsdauern ratsam sein, statt der üblichen 1:4 Verdünnung mit höher verdünnten Entwickleransätzen (zum Beispiel 1:5 bis 1:6) zu arbeiten. Auf alkalisch empfindlichen Substratmaterialien wie Aluminium empfiehlt sich der Aluminium-kompatible AZ® Developer in einer 1:1 Verdünnung.
Removers
Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140°C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07.
Verdünnung / Randwallentfernung
Zur Verdünnung für die Schleuderbelackung kommt grundsätzlich PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage, was sich, falls nötig, auch zur Randwallentfernung eignet.
Weitere Informationen
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MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® ECI 3012 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® ECI 3012 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® ECI 3012 Fotolack englisch
Technisches Datenblatt AZ® ECI 3000 Serie englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung
AZ ECI 3027 Photoresist - 3.785 l
1A003027
Gebindegröße:
3.785 l
AZ® 3027
Hohe Auflösung mit breitem Prozessfenster
Allgemeine Informationen
Der AZ® ECI 3027 gehört zur AZ® ECI 3000er Serie an Positivlacken (g-, h-und i-line empfindlich), deren Hauptanwendungen der Einsatz als Lackmaske für trockenchemisches Ätzen, RIE, Ionenimplantation oder auch Lift-off Prozesse sind.
900 nm Resist Linien mit dem AZ® ECI 3027 bei ca. 2.7 µm Resist Schichtdicke.
Produkteigenschaften
Die AZ® ECI 3000 Lackfamilie ist auf steile Lackflanken sowie eine hohe Stabilität gegen thermisches Verrunden (Erweichungstemperatur ca. 125 °C) optimiert. Die AZ® ECI 3000er Lacke benötigen eine, verglichen mit anderen Positivlacken, deutlich geringere Lichtdosis, entwickeln aber dennoch rasch.
Der AZ® ECI 3027 deckt mit ca. 2,7 µm Lackschichtdicke bei 3000 U/min mit angepassten Schleuderprofilen den Lackschichtdickenbereich von ca. 2 - 4 µm ab. Dieser Lack wird häufig zum Trockenätzen, RIE oder Lift-off Prozessen eingesetzt. Falls eine Auflösung im Submikrometerbereich erforderlich ist, kann ein etwas dünnerer Lack dieser Reihe (zum Beispiel AZ® ECI 3012 oder AZ® ECI 3007) sinnvoll sein, alternativ eine Verdünnung des AZ® ECI 3027 mit PGMEA = AZ® EBR Solvent. Für Anwendungen mit hohen Anforderungen an eine sehr gute Lackhaftung wie nasschemisches Ätzen sowie die galvanische Abscheidung empfehlen sich Lacke der AZ® 1500er bzw. 4500er Serie.
Entwickler
Zur Entwicklung empfehlen sich entweder TMAH-basierte Entwickler wie der AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF, der NaOH-basierte AZ® 351B, und bei nicht zu hohen Anforderungen an die Selektivität auch der KOH-basierte AZ® 400K. Beim AZ® 351B oder AZ® 400K kann es zur Erzielung sehr feiner Lackstrukturen oder besser kontrollierbarer Entwicklungsdauern ratsam sein, statt der üblichen 1:4 Verdünnung mit höher verdünnten Entwickleransätzen (zum Beispiel 1:5 bis 1:6) zu arbeiten. Auf alkalisch empfindlichen Substratmaterialien wie Aluminium empfiehlt sich der Aluminium-kompatible AZ® Developer in einer 1:1 Verdünnung.
Removers
Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140°C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07.
Verdünnung / Randwallentfernung
Zur Verdünnung für die Schleuderbelackung kommt grundsätzlich PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage, was sich, falls nötig, auch zur Randwallentfernung eignet.
Weitere Informationen
Unsere Sicherheitsdatenblätter und manche unserer Technischen Datenblätter sind passwortgeschützt.
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Bei den Zugangsdaten für die Datenblätter handelt es sich nicht um Ihre Login-Daten von unserem Shop!
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® ECI 3027 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® ECI 3027 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® ECI 3000 Serie englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung
AZ IPS-6090 Photoresist - 3.785 l
1006090
Gebindegröße:
3.785 l
AZ® IPS 6090
Positivlack dick
Allgemeine Informationen
Der AZ® IPS 6090 ist ein chemisch verstärkter, i-line empfindlicher Ultradicklack für hohe Aspektverhältnisse.
AZ® IPS 6050 (80 µm Resist Schichtdicke)
Produkteigenschaften
Der AZ® IPS 6090 deckt einen Lackschichtdickenbereich von ca. 15 - 50 µm ab. Als chemisch verstärkter Lack benötigt der AZ® IPS 6090 keine Rehydrierung zwischen Softbake und Belichtung, braucht verglichen mit nicht chemisch verstärkten Lacken vergleichbarer Dicke deutlich geringere Lichtdosen, setzt beim Belichten keinen Stickstoff frei (keine Bläschenbildung in der Lackschicht beim Belichten), und weist für einen Dicklack sehr hohe Entwicklungsraten auf. Diese Eigenschaften tragen dazu bei, die gesamte Prozessführung deutlich schneller und weniger problemanfällig zu gestalten als mit nicht chemisch verstärkten Dicklacken. Seine gute Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien sowie sein Potenzial steiler Lackflanken machen ihn vor allem für die galvanische Abformung geeignet. Grundsätzlich ist der AZ® IPS 6090 nur i-line empfindlich, bei entsprechend hohen Lichtdosen und Lackschichtdicken kann auch mit der h-Linie (405 nm) gearbeitet werden. Zu beachten ist, dass bei diesen chemisch verstärkten Lacken der Post Exposure Bake nicht nur optional, sondern zwingend notwendig ist, um die beim Belichten induzierte Fotoreaktion abzuschließen uns die spätere Entwicklung zu ermöglichen. Falls dünnere Lackschichtdicken als ca. 15 µm erwünscht sind, kann der AZ® IPS 6090 problemlos mit PGMEA = AZ® EBR Solvent verdünnt werden.
Entwickler
Zur Entwicklung dieses chemisch verstärkten Lacks empfehlen sich TMAH-basierte Entwickler wie die ready-to-use AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF. KOH-oder NaOH-basierte Entwickler wie der AZ® 400K oder AZ® 351B sind für den AZ® IPS 6090 weniger geeignet.
Removers
Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140°C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07.
Verdünnung / Randwallentfernung
Falls der Lack für die Schleuderbelackung verdünnt werden soll, kommt PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® IPS 6090 dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zu Randwallentfernung.
Weitere Informationen
Unsere Sicherheitsdatenblätter und manche unserer Technischen Datenblätter sind passwortgeschützt.
Die Zugangsdaten erhalten Sie nach dem Ausfüllen des Formulars.
Bei den Zugangsdaten für die Datenblätter handelt es sich nicht um Ihre Login-Daten von unserem Shop!
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® IPS-6090 Photoresist englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® IPS-6090 Photoresist deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® IPS-6090 englisch
Information AZ® IPS-6090 englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung
AZ MIR 701 Photoresist (14 CPS) - 3.785 l
10070114
Gebindegröße:
3.785 l
AZ® MIR 701 (14CPS)
Hohe Auflösung und Temperaturstabilität
Allgemeine Informationen
Der AZ® 701 MIR (14CPS) ist ein positiver Dünnlack (g-, h-und i-line empfindlich), deren Hauptanwendung der Einsatz als Lackmaske für trockenchemisches Ätzen, RIE, oder auch Lift-off Prozesse ist.
300 nm resist lines attained with the AZ® 701 MIR
1.2µm structure after 130°C hardbake
Produkteigenschaften
Der AZ® 701 MIR (14CPS) ist auf steile Lackflanken sowie eine hohe Stabilität gegen thermisches Verrunden (Erweichungstemperatur ca. 130°C) optimiert. Der AZ® 701 MIR (14CPS) erzielt ca. 800 nm Lackschichtdicke bei 4000 U/min Schleuderdrehzahl und erlaubt unter optimierten Prozessparametern eine Auflösung deutlich im Submikrometerbereich. Falls eine so hohe Auflösung nicht erforderlich ist und dickere Lackschichten erwünscht, empfiehlt sich der Einsatz der höher-viskosen AZ® 701 MIR (29CPS). Falls erforderlich, lässt sich der AZ® 701 MIR (14CPS) mit PGMEA = AZ® EBR Solvent problemlos auch stark verdünnen. Für nasschemisches Ätzen empfehlen sich in diesem Lackschichtdickenbereich Lacke der AZ® 1500er Serie mit optimierter Lackhaftung.
Entwickler
Zur Entwicklung empfehlen sich entweder TMAH-basierte Entwickler wie der AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF, der NaOH-basierte AZ® 351B, und bei nicht zu hohen Anforderungen an die Selektivität auch der KOH-basierte AZ® 400K. Beim AZ® 351B oder AZ® 400K kann es zur Erzielung sehr feiner Lackstrukturen oder besser kontrollierbarer Entwicklungsdauern ratsam sein, statt der üblichen 1:4 Verdünnung mit höher verdünnten Entwickleransätzen (zum Beispiel 1:5 bis 1:6) zu arbeiten. Auf alkalisch empfindlichen Substratmaterialien wie Aluminium empfiehlt sich der Aluminium-kompatible AZ® Developer in einer 1:1 Verdünnung.
Removers
Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140°C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07.
Verdünnung / Randwallentfernung
Zur Verdünnung für die Schleuderbelackung kommt grundsätzlich PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage, was sich, falls nötig, auch zur Randwallentfernung eignet.
Weitere Informationen
Unsere Sicherheitsdatenblätter und manche unserer Technischen Datenblätter sind passwortgeschützt.
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MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® MIR 701 (14CPS) Photoresist englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® MIR 701 (14CPS) Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® MIR 701 Series englisch
Anwendungshinweis:
Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung
AZ MIR 701 Photoresist (29 CPS) - 3.785 l
10070129
Gebindegröße:
3.785 l
AZ® MIR 701 (29CPS)
Hohe Auflösung und Temperaturstabilität
Allgemeine Informationen
Der AZ® 701 MIR (29CPS) ist ein Positivlack (g-, h-und i-line empfindlich), im mittleren Lackschichtdickenbereich, dessen Hauptanwendungen der Einsatz als Lackmaske für trockenchemischen Ätzen, RIE, oder auch Lift-off Prozesse sind.
300 nm resist lines attained with the AZ® 701 MIR
1.2µm structure after 130°C hardbake
Produkteigenschaften
Der AZ® 701 MIR (29CPS) ist auf steile Lackflanken sowie eine hohe Stabilität gegen thermisches Verrunden (Erweichungstemperatur ca. 130°C) optimiert. Er erzielt ca. 2µm Lackschichtdicke bei 4000 U/min Schleuderdrehzahl. Falls dünnere Schichten bzw. eine höhere Auflösung erwünscht sind, empfiehlt sich der Einsatz der nieder-viskoseren AZ® 701 MIR (14CPS). Alternativ lässt sich der AZ® 701 MIR (14CPS) mit PGMEA = AZ® EBR Solvent problemlos auch stark verdünnen. Für nasschemisches Ätzen empfehlen sich Lacke der AZ® 1500er Serie mit optimierter Lackhaftung.
Entwickler
Zur Entwicklung empfehlen sich entweder TMAH-basierte Entwickler wie der AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF, der NaOH-basierte AZ® 351B, und bei nicht zu hohen Anforderungen an die Selektivität auch der KOH-basierte AZ® 400K. Beim AZ® 351B oder AZ® 400K kann es zur Erzielung sehr feiner Lackstrukturen oder besser kontrollierbarer Entwicklungsdauern ratsam sein, statt der üblichen 1:4 Verdünnung mit höher verdünnten Entwickleransätzen (zum Beispiel 1:5 bis 1:6) zu arbeiten. Auf alkalisch empfindlichen Substratmaterialien wie Aluminium empfiehlt sich der Aluminium-kompatible AZ® Developer in einer 1:1 Verdünnung.
Removers
Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140°C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07.
Verdünnung / Randwallentfernung
Zur Verdünnung für die Schleuderbelackung kommt grundsätzlich PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage, was sich, falls nötig, auch zur Randwallentfernung eignet.
Weitere Informationen
Unsere Sicherheitsdatenblätter und manche unserer Technischen Datenblätter sind passwortgeschützt.
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MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® MIR 701 (29CPS) Photoresist englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® MIR 701 (29CPS) Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® MIR 701 Series englisch
Anwendungshinweis:
Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung
AZ P4110 Fotolack - 3,785 l
1A0P4110
AZ® P4110
Positive Dicke Resist - AZ® P4110, AZ® P4330, AZ® P4903, AZ® P4620
Allgemeine Informationen
Die AZ® P4000 positive Resist Serie mit ihren Mitgliedern AZ® P4110, AZ® P4330, AZ® P4620 und AZ® P4903 hat zwei Hauptmerkmale:
Eine verbesserte Haftung auf allen gängigen Substraten für eine höhere Stabilität z.B. beim Nassätzen oder Galvanisieren und eine niedrigere photoaktive Substanzkonzentration, die das Auftragen von dicken und sehr dicken Resist Schichten (ca. 1 - 30 µm) ermöglicht. Diese Resist Serie hat eine mittlere thermische Stabilität und kann mit herkömmlichen KOH- oder TMAH-basierten Developer entwickelt werden.
Produkteigenschaften
Resist schichtdicke: 0,9 - 1,3 µm
Steile Wandprofile, hohe Aspektverhältnisse
Empfindlich für g-, h- und i-Linie
Empfohlen Developer: KOH-basiert (z. B. AZ® 400K) oder auf TMAH-Basis (z. B. AZ® 2026 MIF)
Standardabisolierer (z. B. AZ® 100 Remover, TechniStrip P1316)
Verdünner und Kantenwulst Remover: AZ® EBR Lösungsmittel oder PGMEA
Developer
Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich der KOH-basierte AZ® 400K in einer Verdünnung von 1:4 oder die fertig verdünnte Version AZ® 400K 1:4 (für höhere Resist Schichtdicken 1:3,5 - 1:3 verdünnt möglich) Developer.
Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir den TMAH-basierten AZ® 2026 MIF Developer (unverdünnt).
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z.B. durch Hochtemperaturschritte > 140°C, während Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder während der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover.
AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte oder schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt.
Ausdünnung/Randwulstentfernung
Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR70/30 Solvent ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® P4110 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® P4110 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® P4000 Serie englisch
Informationen AZ® P400 Serie englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ P4620 Photoresist - 3.785 l
1A0P4620
Bottle size:
3.785 l
AZ® P4620
Positive Dicke Resist - AZ® P4110, AZ® P4330, AZ® P4903, AZ® P4620
Allgemeine Informationen
Die AZ® P4000 positive Resist Serie mit ihren Mitgliedern AZ® P4110, AZ® P4330, AZ® P4620 und AZ® P4903 hat zwei Hauptmerkmale:
Eine verbesserte Haftung auf allen gängigen Substraten für eine höhere Stabilität z.B. beim Nassätzen oder Galvanisieren und eine niedrigere photoaktive Substanzkonzentration, die das Auftragen von dicken und sehr dicken Resist Schichten (ca. 1 - 30 µm) ermöglicht. Diese Resist Serie hat eine mittlere thermische Stabilität und kann mit herkömmlichen KOH- oder TMAH-basierten Developer entwickelt werden.
AZ® P4620 (15µm Löcher bei 24µm Schichtdicke für die Au-Beschichtung)
Produkt-Eigenschaften
Optimierte Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien
Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse
Kompatibel mit allen gängigen Developer (KOH- oder TMAH-basiert)
Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z. B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien)
g-, h- und i-linienempfindlich (ca. 320 - 440 nm)
Resist schichtdickenbereich ca. 5 - 30 µm
Developer
Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich die KOH-basierte AZ® 400K in einer 1:4 Verdünnung oder die fertig verdünnte Version AZ® 400K 1:4 (für höhere Resist Schichtdicken 1:3,5 - 1:3 verdünnt möglich) Developer.
Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierte AZ® 2026 MIF Developer (unverdünnt).
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z.B. durch Hochtemperaturschritte > 140°C, während Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder während der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover.
AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte oder schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt.
Ausdünnung/Randwulstentfernung
Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR 70/30 Solvent ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® P4620 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® P4620 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® P4620 Fotolack englisch
Technisches Datenblatt AZ® P4000 Serie englisch
Informationen AZ® P400 Serie englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ P4903 Fotolack - 3,785 l
1A0P4903
AZ® P4903
Positive Dicke Resist - AZ® P4110, AZ® P4330, AZ® P4903, AZ® P4620
Allgemeine Informationen
Die AZ® P4000 positive Resist Serie mit ihren Mitgliedern AZ® P4110, AZ® P4330, AZ® P4620 und AZ® P4903 hat zwei Hauptmerkmale:
Eine verbesserte Haftung auf allen gängigen Substraten für eine höhere Stabilität z.B. beim Nassätzen oder Galvanisieren und eine niedrigere photoaktive Substanzkonzentration, die das Auftragen von dicken und sehr dicken Resist Schichten (ca. 1 - 30 µm) ermöglicht. Diese Resist Serie hat eine mittlere thermische Stabilität und kann mit herkömmlichen KOH- oder TMAH-basierten Developer entwickelt werden.
Produkteigenschaften
Optimierte Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien
Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse
Kompatibel mit allen gängigen Developer (KOH- oder TMAH-basiert)
Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien)
g-, h- und i-linienempfindlich (ca. 320 - 440 nm)
Resist schichtdickenbereich ca. 10 - 35 µm
Developer
Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich die KOH-basierte AZ® 400K in einer 1:4 Verdünnung oder die fertig verdünnte Version AZ® 400K 1:4 (für höhere Resist Schichtdicken 1:3,5 - 1:3 verdünnt möglich) Developer.
Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierte AZ® 2026 MIF Developer (unverdünnt).
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z.B. durch Hochtemperaturschritte > 140°C, während Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder während der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover.
AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte oder schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt.
Ausdünnung/Randwulstentfernung
Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR70/30 Solvent ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® P4903 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® P4903 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® P4000 Serie englisch
Informationen AZ® P400 Serie englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ TFP-650F5 (15CP) Photoresist - 3.785 l
34000511
AZ® TFP 650
Flat Panel Display Fotolack
Allgemeine Informationen
Die AZ® TFP 650 F5 Resist eignet sich für Spin-Coat- und Extrusions-Coat-Anwendungen mit hervorragenden Haftungsanforderungen und/oder rauen Ätzbedingungen. Sie wurde entwickelt, um die Anforderungen der Flachbildschirmindustrie zu erfüllen. Sie sind speziell für eine Vielzahl von Anwendungen optimiert, darunter Spin Coat, Extrusion Coat und Roller Coat. Diese produktionserprobten Photoresists können mit einer Vielzahl von Developer und Entfernern verwendet werden und sind so formuliert, dass sie mit den darunter liegenden Schichten kompatibel sind.
Produkt-Eigenschaften
Sehr hohe Fotogeschwindigkeit
Geringer Verlust des dunklen Films
Optimierte Resist Haftung
Leichtes Entfernen nach dem Hardbake
Hohe Beständigkeit gegen scharfe Ätzmittel
Kompatibel mit allen gängigen Abbeizmitteln (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien)
g-, h- und i-linienempfindlich (ca. 320 - 440 nm)
Resist schichtdickenbereich ca. 1 - 2 µm
Developer
Wir empfehlen den TMAH-basierten AZ® 726 MIF oder AZ® 326 MIF (dieser enthält Tenside).
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Folien können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir NMP-freie wie AZ® 920 Remover oder TechniStrip P1316 als Remover.
Ausdünnen/Entfernen von Randwülsten
Wir empfehlen für das Ausdünnen und Entfernen von Randwülsten die Produkte AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR Solvent 70/30 ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® TFP 650 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® TFP 650 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® TFP 650 englisch
Informationen AZ® TFP 650 englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
MC-Dip-Coating Resist - 0.50 l
1dip005
Gebindegröße:
0.50 l
MC-Dip Coating
Resist für Tauchbeschichtung
Allgemeine Informationen
Der MC Dip Coating Fotolack ist ein positiver, gebrauchsfertiger (bereits verdünnter), kostengünstiger Fotolack, der für die
Tauchbeschichtung
optimiert wurde und eine verbesserte Homogenität der Fotolack-Schichtdicke im großflächigen Bereich bietet.
Produkt-Eigenschaften
Der MC Dip Coating sorgt für eine verbesserte Homogenität der Fotolack-Schichtdicke im großflächigen Bereich. Der Farbstoff des Lacks ermöglicht eine schnelle und einfache visuelle Inspektion der Beschichtungsleistung. Der erreichbare Schichtdickenbereich des Fotolacks liegt bei etwa 2 - 10 µm bei einer Ziehgeschwindigkeit von 3 - 15 mm/s. Der MC Dip Coating Fotolack enthält zwei Lösungsmittel: Das niedrig siedende MEK sorgt für eine schnelle Vor-Trocknung der Fotolackschicht und verhindert so, dass der Fotolack zum unteren Rand des Substrats (Platten) fließt. Das hoch siedende (langsam
verdampfende) PGMEA sorgt für eine sehr glatte Oberfläche des Fotolacks.
Tauchbeschichtung
Für eine hohe Homogenität der Beschichtung wird eine Ziehgeschwindigkeit von 5 - 8 mm/s empfohlen.
Zwischen den Tauchbeschichtungsschritten empfiehlt es sich, den Tank abzudecken, um die Verdunstung von MEK und die Einbindung von Partikeln in den Fotolack zu verhindern. Nach der Beschichtung sollte der Fotolack für einige Minuten bei Raumtemperatur ruhen, damit sich die Schicht glätten kann.
Entwickler
Wir empfehlen die Entwickler AZ® Developer, AZ® 400K und AZ® 351B. Möglich sind auch NaOH, KOH und TMAH Lösungen.
Remover
Alkalische Stripper wie der AZ® 100 Remover oder eine etwa 3%ige wässrige KOH- oder NaOH-Lösung sind als Remover geeignet. Viele organische Lösungsmittel eignen sich ebenfalls zur Entfernung von Fotolack.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt MC Dip Coating Resist englisch
Sicherheitsdatenblatt MC Dip Coating Resist deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt MC Dip Coating Resist englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung