AZ 4533 Photoresist - 3.785 l
Merck Performance Materials GmbH
AZ® 4533 is a positive resist with optimized adhesion for wet etching.
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Produktnummer:
1A004533
Hersteller:
Merck Performance Materials GmbH
Produktinformationen "AZ 4533 Photoresist - 3.785 l"
AZ® 4533
Dicke Resists mit optimierter Haftung
Allgemeine Informationen
Der AZ® 4533 gehört zur AZ® 4500er Serie an Positivlacken (g-, h-und i-line empfindlich) im mittleren Lackschichtdickenbereich, deren Hauptanwendung der Einsatz als Lackmaske für nasschemisches Ätzen oder die galvanische Abscheidung ist.
Produkteigenschaften
Die AZ® 4500er Lacke sind weniger auf möglichst senkrechte Lackflanken oder eine hohe Stabilität gegen thermisches Verrunden (Erweichungstemperatur ca. 100 °C), sondern auf eine sehr hohe Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien optimiert. Die verglichen mit Dünnlacken (wie z.B. der AZ® 1500er Serie) geringe Fotoinitiator-Konzentration der AZ® 4500er Lacke erlaubt die Belichtung auch dickerer Lackschichten, ohne die Gefahr der Bildung von Stickstoffbläschen in der Lackschicht.
Der AZ® 4533 wird häufig zum Ätzen von metallischen oder nicht-metallischen Schichten eingesetzt. Der AZ® 4533 erzielt bei 4000 U/min Schleuderdrehzahl ca. 3.3 µm Lackschichtdicke, bei entsprechend angepasstem Schleuderprofil lässt sich der Lackschichtdickenbereich von ca. 2.5 - 5 µm abdecken. Falls dünnere Lackschichten gewünscht sind empfiehlt sich der Einsatz der AZ® 1500er Serie, oder eine Verdünnung des AZ® 4533 mit PGMEA = AZ® EBR Solvent. Dickere Lackschichten lassen sich mit dem AZ® 4562 erzielen, der sich vom AZ® 4533 nur im geringeren Lösemittelanteil unterscheidet.
Entwickler
Zur Entwicklung empfehlen sich entweder TMAH-basierte Entwickler wie die ready-to-use AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF, oder der KOH-basierte AZ® 400K (typ. 1:4 verdünnt mit Wasser, für schnellere Entwicklung auch mit 1:3.5 oder 1:3 etwas schärfer angesetzt). Auf alkalisch empfindlichen Substratmaterialien wie Aluminium empfiehlt sich der Aluminium-kompatible, unverdünnte AZ® Developer.
Removers
Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140°C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07.
Verdünnung / Randwallentfernung
Falls der Lack für die Schleuderbelackung verdünnt werden soll, käme grundsätzlich PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® 4533 dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zu Randwallentfernung.
Weitere Informationen
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MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 4533 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 4533 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 4533 Fotolack englisch
Anwendungshinweis:
Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung
Ähnliche Produkte
AZ 3DT-102M-15 - 3,785 l
13DT102153
AZ® 3DT-102M-15
Chemisch verstärktes Positiv Fotolack
Allgemeine Informationen
AZ® 3DT-102M-15 ist ein chemisch verstärkter Positivton Fotolack mit einem sehr hohen Aspektverhältnis. Er ist für die Verwendung als Maske für Trockenätz-, Ionenimplantations-, RDL- und Galvanikanwendungen (Cu-kompatibel) vorgesehen. Sie kann sowohl mit i-line Steppern als auch mit herkömmlichen Mask Alignern verwendet werden. Die AZ® 3DT-102M-15 ist für einen Schichtdickenbereich von 8 - 20 µm vorgesehen.
Produkt-Eigenschaften
Steile Seitenwände
Kompatibel mit Kupferplattierungs-Verfahren
Für TSV, Implantation, RDL, Galvanik, Trockenätzung
Chemisch verstärkt à PEB obligatorisch
Kompatibel mit den meisten Fotolack Stripper (z. B. AZ® 100 Remover, auf Basis organischer Lösungsmittel oder alkalisch)
i-line empfindlich (kann auch für Breitbandbelichtung verwendet werden)
Resist schichtdickenbereich ca. 8 - 20 µm
Developer
Die empfohlenen Developer sind AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF für den Fotolack AZ® 3DT-102M-15.
Ablöser
Die empfohlenen Abisoliermittel für den AZ® 3DT-102M-15 sind AZ® 920 Remover, AZ® 100 Remover, TechniStrip P1316, TechniStrip P1331 und TechniStrip MLO07.
Ausdünnen/Randwulstentfernung
Wir empfehlen zum Verdünnen das AZ® EBR Solvent.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 3DT-102M-15 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 3DT-102M-15 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 3DT-102M-15 Fotolack englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ 10XT Photoresist (520cP) - 3.785 l
1A010XT00
Bottle size:
3.785 l
AZ® 10XT (520CPS)
Thick photoresist for high resolution
General Information
AZ® 10XT is an i- and h-line (not g- line !) sensitive positive thick photoresist, as the successor to the AZ® 9260 and is largely identical in construction, but with a different surfactant. In contrast to the similarly named AZ® 12XT, the AZ® 10XT is not chemically amplified.
3.0 µm lines in 12 µm thick AZ® 10XT Ultratech 1500 Exposure, AZ® 400K Developer 1:4 (260s spray)
Product Features
AZ® 10XT not only has optimized resist adhesion to common substrate materials, but also the potential for very steep resist sidewalls and high aspect ratios. Accordingly, the AZ® 10XT is often used in electroplating, ion implantation or dry etching/RIE. AZ® 10XT achieves a resist film thickness of approx. 6 µm at a spin speed of 4000 rpm; with an appropriately adjusted spin profile, the resist film thickness range of approx. 4.5 - 20 µm can be covered. If thinner resist layers are desired, the AZ® 10XT can be diluted with PGMEA; alternatively, the thinner AZ® 4533 can also be used for many applications. From a resist film thickness of approximately 10 - 15 µm, processing the AZ® 10XT becomes increasingly time-consuming: the soft bake and subsequent development take longer, more and more time is needed for rehydration between soft bake and exposure, and the risk of nitrogen bubbles forming during exposure increases. For resist film thicknesses greater than 10 µm, it is recommended to consider using a chemically amplified thick resist such as AZ® 12 XT (5 - 20 µm resist film thickness) or AZ®IPS 6090 (> 20 µm resist film thickness), which have significantly shorter soft bake and development times for the corresponding resist thickness, do not need rehydration, require significantly lower exposure doses, and do not release nitrogen during exposure.
Developers
For development, we recommend either TMAH-based developers such as the ready-to-use AZ® 326 MIF or AZ® 726 MIF, or the KOH-based AZ® 400K 1:4 (typically 1: 4 diluted with water, for faster development also slightly stronger with 1:3.5 or 1:3). On alkaline-sensitive substrate materials such as aluminum, we recommend the aluminum-compatible, undiluted AZ® Developer.
Removers
If the resist structures have not been thermally cross-linked by plasma processes, ion implantation or high temperatures (> approx. 140 °C), all common removers such as AZ® 100 Remover, DMSO or many other organic solvents (e.g. Acetone rinsed with Isopropanol) are suitable for removing the resist layer. For cross-linked resist structures, high-performance strippers such as the NMP-free TechniStrip P1316 or AZ® 920 Remover are recommended, and in the case of alkaline-sensitive substrate materials (such as aluminum), the TechniStrip MLO 07.
Thinning / Edge Wall Removal
If the resist is to be diluted for spin coating, PGMEA = AZ® EBR Solvent is the recommended solvent. PGMEA is the solvent for AZ® 10 XT anyway and is also recommended for edge wall removal if necessary.
Further Information
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MSDS:
Safety Data Sheet AZ® 10XT (520cps) english
Safety Data Sheet AZ® 10XT (520cps) german
TDS:
Technical Data Sheet AZ® 10XT (520cps) english
Anwendungshinweis:
Further Information about Photoresist Processing
AZ 12XT-20PL-15 Photoresist - 3.785 l
1A012XT1500
AZ® 12XT-20PL-15
Chemisch verstärkter Positivlack
Allgemeine Informationen
Der AZ® 12XT ist ein chemisch verstärkter, i-line empfindlicher Dicklack für hohe Aspektverhältnisse und mit erhöhtem thermischen Erweichungspunkt.
AZ® 12XT - 2.4mm lines at 10mm film thickness
Produkteigenschaften
Der AZ® 12XT deckt einen Lackschichtdickenbereich von ca. 5 - 20 µm ab. Als chemisch verstärkter Lack benötigt der AZ® 12XT keine Rehydrierung zwischen Softbake und Belichtung, braucht verglichen mit nicht chemisch verstärkten Lacken vergleichbarer Dicke deutlich geringere Lichtdosen, setzt beim Belichten keinen Stickstoff frei (keine Bläschenbildung in der Lackschicht beim Belichten), und weist für einen Dicklack sehr hohe Entwicklungsraten auf. Diese Eigenschaften tragen dazu bei, die gesamte Prozessführung deutlich schneller und weniger problemanfällig zu gestalten als mit nicht-chemisch verstärkten Dicklacken. Seine gute Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien sowie sein Potenzial steiler Lackflanken machen ihn für die galvanische Abformung geeignet, sein hoher thermischer Erweichungspunkt (ca. 130 °C) empfiehlt ihn auch für das Trockenätzen bzw. DRIE. Grundsätzlich ist der AZ® 12XT nur i-line empfindlich, bei entsprechend hohen Lichtdosen und Lackschichtdicken kann auch mit der h-Linie (405 nm) gearbeitet werden. Falls dünnere Lackschichtdicken als ca. 5 µm erwünscht sind, kann der AZ® 12XT problemlos mit PGMEA = AZ® EBR Solvent verdünnt werden. Für Lackschichtdicken größer 15 µm sollte der ebenfalls chemisch verstärkte AZ® IPS 6090 in Erwägung gezogen werden.
Entwickler
Zur Entwicklung dieses chemisch verstärkten Lacks empfehlen sich TMAH-basierte Entwickler wie die ready-to-use AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF. KOH-oder NaOH-basierte Entwickler wie der AZ® 400 K oder AZ® 351B sind für den AZ® 12XT weniger geeignet.
Remover
Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140 °C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07.
Verdünnung / Randwallentfernung
Falls der Lack für die Schleuderbelackung verdünnt werden soll, kommt PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® 12XT dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zur Randwallentfernung.
Weitere Informationen
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MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 12XT 20PL-15 englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 12XT 20PL-15 deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 12XT 20PL-15 englisch
Anwendungshinweis:
Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung
AZ 40XT-11D Photoresist - 3.785 l
10040XT
Gebindegröße:
3.785 l
AZ® 40XT
Chemisch verstärkter Dicklack
General Information
Der AZ® 40XT ist ein chemisch verstärkter, i-line empfindlicher Ultradicklack für hohe Aspektverhältnisse.
Lines and spaces varying from 100 to 10 µm with a 40 µm thick AZ® 40XT at 400 mJ/cm2 exposure dose
Produkteigenschaften
Der AZ® 40XT deckt einen Lackschichtdickenbereich von ca. 15 - 50 µm ab. Als chemisch verstärkter Lack benötigt der AZ® 40XT keine Rehydrierung zwischen Softbake und Belichtung, braucht verglichen mit nicht chemisch verstärkten Lacken vergleichbarer Dicke deutlich geringere Lichtdosen, setzt beim Belichten keinen Stickstoff frei (keine Bläschenbildung in der Lackschicht beim Belichten), und weist für einen Dicklack sehr hohe Entwicklungsraten auf. Diese Eigenschaften tragen dazu bei, die gesamte Prozessführung deutlich schneller und weniger problemanfällig zu gestalten als mit nicht chemisch verstärkten Dicklacken. Seine gute Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien sowie sein Potenzial steiler Lackflanken machen ihn vor allem für die galvanische Abformung für z. B. Cu. Ni oder Au geeignet. Grundsätzlich ist der AZ® 40XT nur i-line empfindlich, bei entsprechend hohen Lichtdosen und Lackschichtdicken kann auch mit der h-Linie (405 nm) gearbeitet werden. Zu beachten ist, dass bei diesen chemisch verstärkten Lacken der Post Exposure Bake nicht optional, sondern zwingend notwendig ist, um die beim Belichten induzierte Fotoreaktion abzuschließen uns die spätere Entwicklung zu ermöglichen. Falls dünnere Lackschichtdicken als ca. 15 µm erwünscht sind, kann der AZ® 40XT problemlos mit PGMEA = AZ® EBR Solvent verdünnt werden. Falls es beim Softbake oder Post Exposure Bake zu Bläschen in der Lackschicht kommt, was vor allem hin zu größeren Lackschichtdicken auftreten kann, helfen entweder eine langsame Temperaturrampe bei diesen Backprozessen, oder eine mehrstufiger Backprozess mit jeweils ansteigender Temperatur. Kommen diese Maßnahmen nicht infrage, oder lässt sich die Bläschenbildung trotz dieser Maßnahme nicht vermeiden, empfiehlt sich die Verwendung des ebenfalls chemisch verstärkten Ultradicklacks AZ® IPS 6090.
Entwickler
Zur Entwicklung dieses chemisch verstärkten Lacks empfehlen sich TMAH-basierte Entwickler wie die ready-to-use AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF. KOH-oder NaOH-basierte Entwickler wie der AZ® 400K oder AZ® 351B sind für den AZ® 40XT weniger geeignet.
Remover
Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140 °C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07.
Verdünnung/ Randwallentfernung
Falls der Lack für die Schleuderbelackung verdünnt werden soll, kommt PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® 40XT dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zu Randwallentfernung.
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MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 40XT Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 40XT Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 40XT Fotolack englisch
Anwendungshinweis:
Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung
AZ 4562 Photoresist - 3.785 l
1A004562
Gebindegröße:
3.785 l
AZ® 4562
Dicke Resists mit optimierter Haftung
Allgemeine Informationen
Der AZ® 4562 gehört zur AZ® 4500er Serie an Positivlacken (g-, h-und i-line empfindlich) im mittleren Lackschichtdickenbereich, deren Hauptanwendung der Einsatz als Lackmaske für nasschemisches Ätzen oder die galvanische Abscheidung ist.
Produkteigenschaften
Die AZ® 4500er Lacke sind weniger auf möglichst senkrechte Lackflanken oder eine hohe Stabilität gegen thermisches Verrunden (Erweichungstemperatur ca. 100 °C), sondern auf eine sehr hohe Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien optimiert. Die verglichen mit Dünnlacken (wie z.B. der AZ® 1500er Serie) geringe Fotoinitiator-Konzentration der AZ® 4500er Lacke erlaubt die Belichtung auch dickerer Lackschichten, ohne die Gefahr der Bildung von Stickstoffbläschen in der Lackschicht.
Der AZ® 4562 wird häufig in der Galbanik oder zum Ätzen von metallischen oder nicht-metallischen Schichten eingesetzt. Der AZ® 4562 erzielt bei 4000 U/min Schleuderdrehzahl ca. 6 µm Lackschichtdicke, bei entsprechend angepasstem Schleuderprofil lässt sich der Lackschichtdickenbereich von ca. 4.5 - 20 µm abdecken. Falls dünnere Lackschichten gewünscht sind empfiehlt sich der AZ® 4533, der sich vom AZ® 4562 nur im höheren Lösemittelanteil unterscheidet. Ab ca. 10 µm gestaltet sich die Prozessierung des AZ® 4562 zunehmend zeitaufwendig: Der Softbake und die spätere Entwicklung dauern länger, für die Rehydrierung zwischen Softbake und Belichtung wird immer mehr Zeit benötigt, und die Gefahr der Bildung von Stickstoffbläschen beim Belichten hinzu. Für Lackschichtdicken größer 10-20 µm empfiehlt es sich, die Verwendung eines chemisch verstärkten Dicklacks wie dem AZ® 12XT (5 -20 µm Lackschichtdicke) oder IPS 6090 (> 20 µm Lackschichtdicke) in Erwägung zu ziehen, welche bei entsprechender Lackdicke deutlich kürzere Softbake- und Entwicklungsdauern aufweisen und keine Rehydrierung sowie deutlich geringere Lichtdosen benötigen.
Entwickler
Zur Entwicklung empfehlen sich entweder TMAH-basierte Entwickler wie die ready-to-use AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF, oder der KOH-basierte AZ® 400K (typ. 1:4 verdünnt mit Wasser, für schnellere Entwicklung auch mit 1:3.5 oder 1:3 etwas schärfer angesetzt). Auf alkalisch empfindlichen Substratmaterialien wie Aluminium empfiehlt sich der Aluminium-kompatible, unverdünnte AZ® Developer.
Removers
Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140°C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07.
Verdünnung / Randwallentfernung
Falls der Lack für die Schleuderbelackung verdünnt werden soll, käme grundsätzlich PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® 4562 dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zu Randwallentfernung.
Weitere Informationen
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MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 4562 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 4562 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 4562 Fotolack englisch
Anwendungshinweis:
Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung
AZ IPS-6090 Photoresist - 3.785 l
1006090
Gebindegröße:
3.785 l
AZ® IPS 6090
Positivlack dick
Allgemeine Informationen
Der AZ® IPS 6090 ist ein chemisch verstärkter, i-line empfindlicher Ultradicklack für hohe Aspektverhältnisse.
AZ® IPS 6050 (80 µm Resist Schichtdicke)
Produkteigenschaften
Der AZ® IPS 6090 deckt einen Lackschichtdickenbereich von ca. 15 - 50 µm ab. Als chemisch verstärkter Lack benötigt der AZ® IPS 6090 keine Rehydrierung zwischen Softbake und Belichtung, braucht verglichen mit nicht chemisch verstärkten Lacken vergleichbarer Dicke deutlich geringere Lichtdosen, setzt beim Belichten keinen Stickstoff frei (keine Bläschenbildung in der Lackschicht beim Belichten), und weist für einen Dicklack sehr hohe Entwicklungsraten auf. Diese Eigenschaften tragen dazu bei, die gesamte Prozessführung deutlich schneller und weniger problemanfällig zu gestalten als mit nicht chemisch verstärkten Dicklacken. Seine gute Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien sowie sein Potenzial steiler Lackflanken machen ihn vor allem für die galvanische Abformung geeignet. Grundsätzlich ist der AZ® IPS 6090 nur i-line empfindlich, bei entsprechend hohen Lichtdosen und Lackschichtdicken kann auch mit der h-Linie (405 nm) gearbeitet werden. Zu beachten ist, dass bei diesen chemisch verstärkten Lacken der Post Exposure Bake nicht nur optional, sondern zwingend notwendig ist, um die beim Belichten induzierte Fotoreaktion abzuschließen uns die spätere Entwicklung zu ermöglichen. Falls dünnere Lackschichtdicken als ca. 15 µm erwünscht sind, kann der AZ® IPS 6090 problemlos mit PGMEA = AZ® EBR Solvent verdünnt werden.
Entwickler
Zur Entwicklung dieses chemisch verstärkten Lacks empfehlen sich TMAH-basierte Entwickler wie die ready-to-use AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF. KOH-oder NaOH-basierte Entwickler wie der AZ® 400K oder AZ® 351B sind für den AZ® IPS 6090 weniger geeignet.
Removers
Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140°C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07.
Verdünnung / Randwallentfernung
Falls der Lack für die Schleuderbelackung verdünnt werden soll, kommt PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® IPS 6090 dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zu Randwallentfernung.
Weitere Informationen
Unsere Sicherheitsdatenblätter und manche unserer Technischen Datenblätter sind passwortgeschützt.
Die Zugangsdaten erhalten Sie nach dem Ausfüllen des Formulars.
Bei den Zugangsdaten für die Datenblätter handelt es sich nicht um Ihre Login-Daten von unserem Shop!
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® IPS-6090 Photoresist englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® IPS-6090 Photoresist deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® IPS-6090 englisch
Information AZ® IPS-6090 englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung
AZ P4110 Fotolack - 3,785 l
1A0P4110
AZ® P4110
Positive Dicke Resist - AZ® P4110, AZ® P4330, AZ® P4903, AZ® P4620
Allgemeine Informationen
Die AZ® P4000 positive Resist Serie mit ihren Mitgliedern AZ® P4110, AZ® P4330, AZ® P4620 und AZ® P4903 hat zwei Hauptmerkmale:
Eine verbesserte Haftung auf allen gängigen Substraten für eine höhere Stabilität z.B. beim Nassätzen oder Galvanisieren und eine niedrigere photoaktive Substanzkonzentration, die das Auftragen von dicken und sehr dicken Resist Schichten (ca. 1 - 30 µm) ermöglicht. Diese Resist Serie hat eine mittlere thermische Stabilität und kann mit herkömmlichen KOH- oder TMAH-basierten Developer entwickelt werden.
Produkteigenschaften
Resist schichtdicke: 0,9 - 1,3 µm
Steile Wandprofile, hohe Aspektverhältnisse
Empfindlich für g-, h- und i-Linie
Empfohlen Developer: KOH-basiert (z. B. AZ® 400K) oder auf TMAH-Basis (z. B. AZ® 2026 MIF)
Standardabisolierer (z. B. AZ® 100 Remover, TechniStrip P1316)
Verdünner und Kantenwulst Remover: AZ® EBR Lösungsmittel oder PGMEA
Developer
Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich der KOH-basierte AZ® 400K in einer Verdünnung von 1:4 oder die fertig verdünnte Version AZ® 400K 1:4 (für höhere Resist Schichtdicken 1:3,5 - 1:3 verdünnt möglich) Developer.
Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir den TMAH-basierten AZ® 2026 MIF Developer (unverdünnt).
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z.B. durch Hochtemperaturschritte > 140°C, während Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder während der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover.
AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte oder schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt.
Ausdünnung/Randwulstentfernung
Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR70/30 Solvent ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® P4110 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® P4110 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® P4000 Serie englisch
Informationen AZ® P400 Serie englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ P4620 Photoresist - 3.785 l
1A0P4620
Bottle size:
3.785 l
AZ® P4620
Positive Dicke Resist - AZ® P4110, AZ® P4330, AZ® P4903, AZ® P4620
Allgemeine Informationen
Die AZ® P4000 positive Resist Serie mit ihren Mitgliedern AZ® P4110, AZ® P4330, AZ® P4620 und AZ® P4903 hat zwei Hauptmerkmale:
Eine verbesserte Haftung auf allen gängigen Substraten für eine höhere Stabilität z.B. beim Nassätzen oder Galvanisieren und eine niedrigere photoaktive Substanzkonzentration, die das Auftragen von dicken und sehr dicken Resist Schichten (ca. 1 - 30 µm) ermöglicht. Diese Resist Serie hat eine mittlere thermische Stabilität und kann mit herkömmlichen KOH- oder TMAH-basierten Developer entwickelt werden.
AZ® P4620 (15µm Löcher bei 24µm Schichtdicke für die Au-Beschichtung)
Produkt-Eigenschaften
Optimierte Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien
Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse
Kompatibel mit allen gängigen Developer (KOH- oder TMAH-basiert)
Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z. B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien)
g-, h- und i-linienempfindlich (ca. 320 - 440 nm)
Resist schichtdickenbereich ca. 5 - 30 µm
Developer
Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich die KOH-basierte AZ® 400K in einer 1:4 Verdünnung oder die fertig verdünnte Version AZ® 400K 1:4 (für höhere Resist Schichtdicken 1:3,5 - 1:3 verdünnt möglich) Developer.
Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierte AZ® 2026 MIF Developer (unverdünnt).
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z.B. durch Hochtemperaturschritte > 140°C, während Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder während der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover.
AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte oder schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt.
Ausdünnung/Randwulstentfernung
Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR 70/30 Solvent ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® P4620 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® P4620 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® P4620 Fotolack englisch
Technisches Datenblatt AZ® P4000 Serie englisch
Informationen AZ® P400 Serie englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ P4903 Fotolack - 3,785 l
1A0P4903
AZ® P4903
Positive Dicke Resist - AZ® P4110, AZ® P4330, AZ® P4903, AZ® P4620
Allgemeine Informationen
Die AZ® P4000 positive Resist Serie mit ihren Mitgliedern AZ® P4110, AZ® P4330, AZ® P4620 und AZ® P4903 hat zwei Hauptmerkmale:
Eine verbesserte Haftung auf allen gängigen Substraten für eine höhere Stabilität z.B. beim Nassätzen oder Galvanisieren und eine niedrigere photoaktive Substanzkonzentration, die das Auftragen von dicken und sehr dicken Resist Schichten (ca. 1 - 30 µm) ermöglicht. Diese Resist Serie hat eine mittlere thermische Stabilität und kann mit herkömmlichen KOH- oder TMAH-basierten Developer entwickelt werden.
Produkteigenschaften
Optimierte Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien
Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse
Kompatibel mit allen gängigen Developer (KOH- oder TMAH-basiert)
Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien)
g-, h- und i-linienempfindlich (ca. 320 - 440 nm)
Resist schichtdickenbereich ca. 10 - 35 µm
Developer
Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich die KOH-basierte AZ® 400K in einer 1:4 Verdünnung oder die fertig verdünnte Version AZ® 400K 1:4 (für höhere Resist Schichtdicken 1:3,5 - 1:3 verdünnt möglich) Developer.
Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierte AZ® 2026 MIF Developer (unverdünnt).
Entferner
Für nicht vernetzte Resist Filme können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z.B. durch Hochtemperaturschritte > 140°C, während Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder während der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover.
AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte oder schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt.
Ausdünnung/Randwulstentfernung
Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR70/30 Solvent ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® P4903 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® P4903 Fotolack deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® P4000 Serie englisch
Informationen AZ® P400 Serie englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
PL 177 Photoresist - 3.785 l
1A000177
Gebindegröße:
3.785 l
AZ® PL 177
Positiv Dicklack
Allgemeine Informationen
AZ® PL 177 ist ein positiv gefärbter flüssiger Fotolack, der für die Anwendung in verschiedenen Beschichtungstechniken entwickelt wurde, insbesondere für die Leiterplattenherstellung. AZ® PL 177 ist in Blau/Violett eingefärbt, um eine einfache Kontrolle nach der Beschichtung zu ermöglichen. Der Fotolack kann sowohl für die Schleuderbeschichtung als auch für die Tauchbeschichtung sowie für Spritz- und Walzenbeschichtungen verwendet werden. Aufgrund seiner ausgezeichneten Haftungseigenschaften und chemischen Stabilität eignet er sich besonders gut für das nasschemische Ätzen. Es handelt sich um einen Allzweck-Fotolack, der für Anwendungen geeignet ist, bei denen eine hohe Auflösung und hohe thermische Stabilität nicht erforderlich sind. AZ® PL 177 ist ein kostengünstigerer Fotolack, der für Anwendungen mit geringeren Anforderungen an Auflösung und Seitenwandsteilheit geeignet ist. Bei einer Schichtdicke von ca. 5 µm bei 4000 U/min kann eine Auflösung von ca. 4 - 5 µm erreicht werden.
Produkt-Eigenschaften
Gutes Trocknungsverhalten
Wasser-alkalische Verarbeitbarkeit
PGMEA-basierte Formulierung (PGMEA steht für Propylenglykolmonomethyletheracetat)
Sehr gute Haftungseigenschaften auf vielen Substrattypen
Blau/violett eingefärbt für einfache Inspektion
Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organischen Lösungsmitteln oder wasseralkalischen Lösungen)
Empfindlich gegenüber g-, h- und i-Linien (ca. 320 - 440 nm)
Resist-Schichtdickenbereich ca. 4 - 8 µm
Entwickler
Als Developer empfehlen wir den NaOH-basierten AZ® 351B, den KOH-basierten AZ® 400K oder einen TMAH-basierten Entwickler wie den AZ® 2026 MIF, AZ® Developer und sogar einfache wässrige KOH- oder NaOH-Lösungen können verwendet werden.
Removers
Für nicht vernetzte Fotolacke können der AZ® 100 Remover, DMSO oder andere gängige organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Fotolack vernetzt ist (z.B. durch Hochtemperaturprozesse > 140°C, während Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder während der Ionenimplantation), empfehlen wir den NMP-freien TechniStrip P1316 als Stripper.
Der AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um stark behandelte oder schwer zu entfernende Resistreste handelt.
Verdünnung / Randwallentfernung
Für die Verdünnung und Randwallentfernung empfehlen wir den AZ® EBR Solvent, PGMEA oder MEK. Auch das AZ® EBR 70/30 Solvent ist für die Randwallentfernung geeignet.
Weitere Informationen
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MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® PL177 Photoresist englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® PL177 Photoresist deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® PL177 Photoresist englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung
Entwickler
AZ 400 K Developer - 5.00 l
1000400
AZ® 400K Developer
Anorganischer, Metallionenhaltiger Developer
Allgemeine Informationen
AZ® 400K Developer ist ein mit Borsäure gepufferter, KOH-basierter Entwickler für nicht-chemisch verstärkte Positivlacke.
Produkteigenschaften
Der AZ® 400K eignet sich als KOH-basierter Entwickler vor allem für die Entwicklung dickerer nicht-chemisch verstärkter Positivlacke, kann bei nicht zu hohen Anforderungen an die Auflösung jedoch auch für dünnere Lackschichten eingesetzt werden. AZ® 400K kommt als Konzentrat und wird üblicherweise 1 : 4 mit Wasser verdünnt. Zur Erhöhung der Selektivität kann auch eine 1 : 5 - 1 : 6 Verdünnung gewählt werden, was jedoch die Entwicklungsrate deutlich verringert und daher in der Dicklackprozessierung keine sinnvolle Option ist. Für sehr dicke Lackschichten oder/und bei geringen Anforderungen an die Kantensteilheit kann der AZ® 400K auch schärfer (1 : 3.5 - 1 : 3) angesetzt werden, was die Entwicklungsrate erhöht, den Dunkelabtrag aber deutlich stärker zunehmen lässt. Für Negativlacke oder chemisch verstärkte Positivlacke ist der AZ® 400K weniger geeignet, hier empfehlen sich TMAH-basierte Entwickler wie der AZ® 326 MIF, AZ® 726 MIF oder AZ® 2026 MIF. Der AZ® 400K greift Aluminium mit einer Ätzrate von - je nach Konzentration des Entwickleransatzes - mehreren 10 nm/min bis über 100 nm/min an. Falls dies nicht toleriert werden kann, kann der Al-kompatible AZ® Developer eine Alternative darstellen.
Weitere Informationen
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MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 400K Developer englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 400K Developer deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 400K Developer englisch
Information AZ® 400K Developer englisch
Anwendungshinweis:
Entwicklung von Fotolack englisch
Entwicklung von Fotolack deutsch
AZ 400 K Dev 1:4 - 5.00 l
1004145
AZ® 400K Developer 1:4
Anorganischer, Metallionenhaltiger Developer
Allgemeine Informationen
AZ® 400K Developer 1:4 ist ein mit Borsäure gepufferter, KOH-basierter ready-to-use Entwickler für nicht-chemisch verstärkte Positivlacke.
Produkteigenschaften
Der AZ® 400K 1:4 ist ein für den Gebrauch bereits vorverdünnter AZ® 400K. Dieser Entwickler eignet sich als KOH-basierter Entwickler vor allem für die Entwicklung dickerer nicht-chemisch verstärkter Positivlacke, kann bei nicht zu hohen Anforderungen an die Auflösung jedoch auch für dünnere Lackschichten eingesetzt werden. Für Negativlacke oder chemisch verstärkte Positivlacke ist der AZ® 400K weniger geeignet, hier empfehlen sich TMAH-basierte Entwickler wie der AZ® 326 MIF, AZ® 726 MIF oder AZ® 2026 MIF. Der AZ® 400K greift Aluminium mit einer Ätzrate von - je nach Konzentration des Entwickleransatzes - mehreren 10 nm/min bis über 100 nm/min an. Falls dies nicht toleriert werden kann, kann der Al-kompatible AZ® Developer eine Alternative darstellen.
Weitere Informationen
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MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 400K 1:4 Developer englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 400K 1:4 Developer deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 400K 1:4 Developer englisch
Information AZ® 400K 1:4 Developer englisch
Anwendungshinweis:
Entwicklung von Fotolack englisch
Entwicklung von Fotolack deutsch
AZ 2026 MIF Developer - 5.00 l
1002026
AZ® 2026 Developer
Metallionenfreier Developer
Allgemeine Informationen
AZ® 2026 MIF ist ein TMAH-basierter Entwickler für die Tauch- oder Puddle-Entwicklung, kompatibel mit allen AZ® Fotolacken aus unserem Portfolio.
Produkteigenschaften
Der ready-to-use AZ® 2026 MIF Entwickler ist eine wässrige 2,38 %ige TMAH-Lösung mit einem Tensid für eine gleichmäßige Substratbenetzung für die Puddle-Entwicklung, ist aber ebenso für die Tauchentwicklung geeignet. Zudem enthält der AZ® 2026 MIF ein Additiv zur Förderung Rückstand freien Entwickeln bei quervernetzten Lackstrukturen. Da dieses Additiv bei Positivlacken den Dunkelabtrag leicht erhöht, ist der AZ® 2026 MIF gerade bei hohen Auflösungsanforderungen für diese Lacke weniger geeignet, hier wäre der AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF die bessere Wahl. TMAH-basierte Entwickler kommen immer dann zum Einsatz, wenn metallionenfrei entwickelt werden muss. Zudem empfehlen sich für unsere chemisch verstärkten Positivlacke sowie unsere Negativlacke vorrangig TMAH-basierte Entwickler. Für normale, DNQ-basierte Positivlacke ohne die Anforderung metallionenfreier Entwicklung kann aus Kostengründen statt einem TMAH-basierten Entwickler ein KOH-oder NaOH-basierter Entwickler wie der AZ® 400K oder AZ® 351B in Erwägung gezogen werden. Bei sehr dünnen Lackschichten ( < 1 µm) bzw. sehr hohen Auflösungsanforderungen kann es sinnvoll sein, den AZ® 2026 MIF mit Wasser zu verdünnen (AZ® 2026 MIF: Wasser = 2 : 1 bis maximal 1 : 1). AZ® 2026 MIF greift Aluminium mit einer Ätzrate von ca. 70 nm/min an. Falls dies nicht toleriert werden kann, ist der Al-kompatible AZ® Developer eine Alternative, welcher jedoch auf Natrium-Verbindungen basiert und deshalb nicht metallionenfrei ist.
Weitere Informationen
Unsere Sicherheitsdatenblätter und manche unserer Technischen Datenblätter sind passwortgeschützt.
Die Zugangsdaten erhalten Sie nach dem Ausfüllen des Formulars.
Bei den Zugangsdaten für die Datenblätter handelt es sich nicht um Ihre Login-Daten von unserem Shop!
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 2026 MIF Developer englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 2026 MIF Developer deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 2026 MIF Developer englisch
Anwendungshinweis:
Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung englisch
Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung deutsch
Remover
AZ 100 Remover - 5.00 l
1000100
AZ® 100 Remover
Universal Fotolack Stripper
Allgemeine Informationen
AZ®100 Remover basiert auf Lösungsmittel und Amin (alkalisch). AZ®100 Remover wird zum Fotolack Abbeizen mit geringem Angriff auf Aluminium verwendet. Die geringe Gefährdung wird durch die Verwendung von Ethanol-Amin erreicht.
Die niedrige Verdampfungsrate ermöglicht den Einsatz bei erhöhten Temperaturen (bis zu 80°C), die hohe Effizienz (>3000 Wafer pro Liter) hilft Kosten zu sparen. Wenn ein Angriff auf Aluminium kein Problem darstellt, kann es sogar mit Wasser verdünnt werden.
AZ®100 Remover ist nicht kompatibel mit AZ® nLof 2070 (AZ® nLof 2000 Serie) und anderen stark vernetzten Resistenzen.
Ätzrate des AZ®100 Remover bei 65°C (Å/min)
Produkteigenschaften
Dichte (bei 25°C): 0.955 kg/l
Farbe (Alpha): max. 20
Flammpunkt (AP): 72°C
Normalität (potentiometrisch): 3.1 mol/l
Siedebereich: 159-194°C
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® 100 Remover englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® 100 Remover deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® 100 Remover englisch
Anwendungshinweise:
Fotolack entfernen englisch
Fotolack entfernen deutsch
DMSO - 2,50 l - ULSI
MDMU1025
DMSO
Dimethylsulfoxid
Allgemeine Informationen
Aufgrund seines niedrigen Dampfdrucks und seiner Wasserlöslichkeit ist DMSO ein ausgezeichnetes Stripper für Resists bzw. Lift-off-Medien und ist ein ungiftiger Ersatz für das seit einiger Zeit als giftig eingestufte NMP. Die optionale Zugabe von Cyclopentanon oder MEK erhöht die Leistung des Stripper für bestimmte Anwendungen und senkt den Schmelzpunkt von reinem DMSO erheblich.
HINWEIS:
Das Lösungsmittel DMSO (Dimethylsulfoxid) hat einen Schmelzpunkt knapp unter der Raumtemperatur, so dass es bei der Lagerung in kühleren Räumen möglicherweise einfrieren kann. Das Auftauen kann mehrere Tage dauern, aber danach kann das Produkt so verwendet werden, wie es ist.
Für weitere Details lade bitte den Infobrief herunter.
Produkt-Eigenschaften
Dichte: 1,1 g/cm3
Schmelzpunkt: 18°C
Siedepunkt: 189°C
Flammpunkt: 87°C
Dampfdruck @ 20°C: 0.56 hPa
DMSO Molekül
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt DMSO (ULSI) englisch
Sicherheitsdatenblatt DMSO (ULSI) deutsch
Specs:
Technische Daten DMSO (ULSI)
Anwendungshinweise:
Lösungsmittel: Theorie und Anwendung english
Lösemittel: Theorie und Anwendung deutsch
Fotolack Entfernen englisch
Fotolack entfernen deutsch
Weitere Informationen zur Verarbeitung
TechniStrip P1316 - 5,00 l - MOS
TP1316M5
TechniStrip® P1316
Hochleistung Remover
Allgemeine Informationen
TechniStrip® P1316 ist ein Remover mit sehr starker Ablösekraft für Novolak-basierte Lacke (einschließlich aller AZ® positivlacke), epoxidbasierte Beschichtungen, Polyimide und Trockenfilme. Bei typischen Anwendungstemperaturen um 75°C kann TechniStrip® P1316 auch vernetzte Resists rückstandsfrei auflösen, z. B. durch Trockenätzen oder Ionenimplantation. Die Remover kann auch in Sprühverfahren eingesetzt werden.
Produkt-Eigenschaften
Flammpunkt: 93°C
Viskosität (20°C): < 2 cP
Wasserlöslichkeit: Vollständig mischbar
Siedepunkt: 189°C
Dichte (bei 20°C): 1.03 g/cm3
Verträglichkeit
Metalle: greift Al, Cu, Au an
Metalle: kein Angriff auf Ta, Ni, Ti, TiN
Substrate: Si, SiO2
Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details.
Einige Anwendungen
TechniStrip® P1316 ist ein leistungsstarkes NMP-freies Remover für:
Novolak-basierte Positivresiste wie z. B. alle positiven AZ® lacke
Epoxid-basierte Resists
Polyimide, Haftkleber
Trockene Filme
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt TechniStrip P1316 (MOS) englisch
Sicherheitsdatenblatt TechniStrip P1316 (MOS) deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt TechniStrip P1316 (MOS) englisch
Technische Daten:
Specs TechniStrip P1316 (MOS)
Anwendungshinweise:
Fotolack Entfernen englisch
Fotolack entfernen deutsch
Weitere Informationen zur Verarbeitung
AZ Remover 920 - 5,00 l
1000920
AZ® Remover 920
Auf Basis organischer Lösungsmittel Remover
Allgemeine Informationen
AZ® Remover 920 wurde entwickelt, um eine schnelle Delaminierung und Auflösung von Fotolack Mustern zu ermöglichen und gleichzeitig eine breite Kompatibilität mit Bauelementesubstraten und Metallfolien zu gewährleisten.
Die von Merck entwickelte Lösungsmittel- und Additivmischung ist umweltfreundlich und entspricht vollständig der REACH-Verordnung der Europäischen Union. Kompatibel mit den meisten AZ® positivlacken (vollständige Auflösung) und den meisten AZ® negativresisten (Auflösung oder Delamination je nach Vernetzungsgrad).
Produkt-Eigenschaften
Flammpunkt: 84,4°C
Viskosität (20°C): 1.84 cSt
Siedepunkt: 188°C
Dichte (bei 25°C): 1.084 g/cm3
Kompatibilität
Metalle: kein Angriff auf Al, Cu, Ti, W, TiW, TiN, Sn, Ni
Substrate: Si, SiO2, GaAs
Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details.
Wichtigste Merkmale
Schnelle Delaminierung von Fotolack Mustern
Breite Kompatibilität
Umweltfreundlich
Einige Anwendungen
Bulk Fotolack Entfernung
Metall-Lift-off-Lithografie
Cu-Säulen-Metallisierungsreiniger
RDL-Metallisierungsreinigungen
Delamination von stark ausgehärteten Fotolack Mustern und organischen Rückständen
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® Remover 920 englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® Remover 920 deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AZ® Remover 920 englisch
Anwendungshinweise:
Fotolack Entfernen englisch
Entfernen von Fotolack deutsch