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AZ® P4620 Photoresist MicroChemicals GmbH
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AZ P4620 Photoresist - 3.785 l

AZ® P4620 is a DNQ based thin positive resist for wet etching.

Produktinformationen "AZ P4620 Photoresist - 3.785 l"

AZ® P4620

Positive Dicke Resist - AZ® P4110, AZ® P4330, AZ® P4903, AZ® P4620

Allgemeine Informationen

Die AZ® P4000 positive Resist Serie mit ihren Mitgliedern AZ® P4110, AZ® P4330, AZ® P4620 und AZ® P4903 hat zwei Hauptmerkmale: Eine verbesserte Haftung auf allen gängigen Substraten für eine höhere Stabilität z.B. beim Nassätzen oder Galvanisieren und eine niedrigere photoaktive Substanzkonzentration, die das Auftragen von dicken und sehr dicken Resist Schichten (ca. 1 - 30 µm) ermöglicht. Diese Resist Serie hat eine mittlere thermische Stabilität und kann mit herkömmlichen KOH- oder TMAH-basierten Developer entwickelt werden.

AZ<sup>®</sup> P4620 (15µm holes at 24µm film thickness for Au plating)

AZ® P4620 (15µm Löcher bei 24µm Schichtdicke für die Au-Beschichtung)

Produkt-Eigenschaften
  • Optimierte Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien
  • Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse
  • Kompatibel mit allen gängigen Developer (KOH- oder TMAH-basiert)
  • Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z. B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien)
  • g-, h- und i-linienempfindlich (ca. 320 - 440 nm)
  • Resist schichtdickenbereich ca. 5 - 30 µm
Developer

Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich die KOH-basierte AZ® 400K in einer 1:4 Verdünnung oder die fertig verdünnte Version AZ® 400K 1:4 (für höhere Resist Schichtdicken 1:3,5 - 1:3 verdünnt möglich) Developer. Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierte AZ® 2026 MIF Developer (unverdünnt).

Entferner

Für nicht vernetzte Resist Filme können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z.B. durch Hochtemperaturschritte > 140°C, während Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder während der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte oder schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt.

Ausdünnung/Randwulstentfernung

Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR 70/30 Solvent ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet.

Weitere Informationen

MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AZ® P4620 Fotolack englisch
Sicherheitsdatenblatt AZ® P4620 Fotolack deutsch

TDS:
Technisches Datenblatt AZ® P4620 Fotolack englisch
Technisches Datenblatt AZ® P4000 Serie englisch
Informationen AZ® P400 Serie englisch

Anwendungshinweise:
Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

Chemically amplified: no
Film thickness: 5.0 – 30.0 µm
Film thickness range: thick (> 5.1µm)
High thermal stability: no
Mode: positive
Optimized for: electroplating, wet etching

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AZ® 10XT (520CPS) Dicklack für hohe Auflösung   Allgemeine Informationen Der AZ® 10XT ist ein i-und h-line (nicht g-line!) empfindlicher positiver Dicklack, als Nachfolger des AZ® 9260 mit diesem weitgehend baugleich, jedoch mit anderem Tensid. Der AZ® 10XT ist im Gegensatz zum ähnlich lautenden AZ® 12XT nicht chemisch verstärkt. Produkteigenschaften Der AZ® 10XT weist nicht nur eine optimierte Lackhaftung auf gängigen Substratmaterialien, sondern auch das Potenzial sehr steiler Lackflanken und hoher Aspektverhältnisse auf. Entsprechend wird der AZ® 10XT häufig in der Galvanik, der Ionenimplantation oder zum Trockenätzen/RIE eingesetzt. Der AZ® 10XT erzielt bei 4000 U/min Schleuderdrehzahl ca. 6 µm Lackschichtdicke, mit entsprechend angepasstem Schleuderprofil lässt sich der Lackschichtdickenbereich von ca. 4.5 - 20 µm abdecken. Falls dünnere Lackschichten gewünscht sind, kann der AZ® 10XT mit PGMEA verdünnt werden, alternativ kommt für viele Prozesse auch der dünnere AZ® 4533 in Frage. Ab ca. 10 - 15 µm Lackschichtdicke gestaltet sich die Prozessierung des AZ® 10XT zunehmend zeitaufwendig: Der Softbake und die spätere Entwicklung dauern länger, für die Rehydrierung zwischen Softbake und Belichtung wird immer mehr Zeit benötigt, und die Gefahr der Bildung von Stickstoffbläschen beim Belichten nimmt zu. Für Lackschichtdicken größer 10 µm empfiehlt es sich, die Verwendung eines chemisch verstärkten Dicklacks wie dem AZ® 12XT (5 - 20 µm Lackschichtdicke) oder AZ®IPS 6090 (> 20 µm Lackschichtdicke) in Erwägung zu ziehen, welche bei entsprechender Lackdicke deutlich kürzere Softbake- und Entwicklungsdauern aufweisen, keine Rehydrierung sowie deutlich geringere Lichtdosen benötigen, und keinen Stickstoff beim Belichten freisetzen. Entwickler Zur Entwicklung empfehlen sich entweder TMAH-basierte Entwickler wie die ready-to-use AZ® 326 MIF oder AZ® 726 MIF, oder der KOH-basierte AZ® 400K 1:4 (typ. 1 : 4 verdünnt mit Wasser, für schnellere Entwicklung auch mit 1 : 3.5 oder 1 : 3 etwas schärfer angesetzt). Auf alkalisch empfindlichen Substratmaterialien wie Aluminium empfiehlt sich der Aluminium-kompatible, unverdünnte AZ® Developer. Removers Falls die Lackstrukturen weder durch Plasmaprozesse, Ionenimplantation oder durch hohe Temperaturen (> ca. 140 °C) thermisch quervernetzt wurden, eignen sich alle gängigen Remover wie zum Beispiel AZ® 100 Remover, DMSO oder viele andere organische Lösemittel (zum Beispiel Aceton, gespült mit Isopropanol) zur Entfernung der Lackschicht. Für quervernetzte Lackstrukturen empfehlen sich Hochleistungs-Stripper wie zum Beispiel die NMP-freien TechniStrip P1316 oder AZ® 920 Remover, im Falle alkalisch empfindlicher Substratmaterialien (wie zum Beispiel Aluminium) der TechniStrip MLO 07. Verdünnung / Randwallentfernung Falls der Lack für die Schleuderbelackung verdünnt werden soll, käme grundsätzlich PGMEA = AZ® EBR Solvent in Frage. PGMEA stellt ohnehin das Lösungsmittel des AZ® 10 XT dar und empfiehlt sich, falls notwendig, ebenfalls zur Randwallentfernung. Further Information Unsere Sicherheitsdatenblätter und manche unserer Technischen Datenblätter sind passwortgeschützt. Die Zugangsdaten erhalten Sie nach dem Ausfüllen des Formulars. Bei den Zugangsdaten für die Datenblätter handelt es sich nicht um Ihre Login-Daten von unserem Shop! MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 10XT (520cps) englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 10XT (520cps) deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 10XT (520cps) englisch Anwendungshinweis: Weitere Informationen zur Fotolack Prozessierung
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AZ® 12XT-20PL-15 Chemisch verstärkte Positiv-Ton-Fotoresists Allgemeine Informationen AZ® 12XT für 5 - 15 µm Resist Filmdicke (i-line)Der AZ® 12XT ist ein chemisch verstärkter, dicker Resist Positiv-Fotoresist, der sich durch seine hervorragende Umweltstabilität und seine Eignung für Beschichtungs- und RIE-Anwendungen auszeichnet. Selbst für sehr hohe Resist Schichtdicken benötigt AZ® 12XT nur kurze Softbake-Zeiten, keine Verzögerung für die Rehydrierung, sehr geringe Belichtungsdosen aufgrund seiner chemischen Verstärkung und weist eine hohe Entwicklungsrate auf. AZ® 12XT - 2,4mm Linien bei 10mm Filmdicke Produkt-Eigenschaften Hohe thermische Stabilität Kompatibel mit allen gängigen TMAH-basierten Developer Verträglich mit allen gängigen Abbeizmitteln (z. B. mit AZ® 100 Remover, organischen Lösungsmitteln oder wässrigen Alkalien) i-Linien-empfindlich (ca. 320 - 390 nm) Resist schichtdickenbereich ca. 5 - 20 µm Developer Wir empfehlen die TMAH-basierte Developer wie die AZ® 326 MIF, AZ® 726 MIF oder AZ® 2026 MIF Developer. Entferner Die AZ® 12XT Resists sind mit den branchenüblichen lösungsmittelbasierten Entfernern wie AZ® 920 Remover, AZ® 100 Remover und DMSO-basierten Strippern kompatibel. Verdünnung/Randwulstentfernung Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten AZ® EBR Solvent oder AZ® EBR70/30 Solvent. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 12XT 20PL-15 englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 12XT 20PL-15 deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 12XT 20PL-15 englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
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Bottle size: 3.785 l
AZ® 40XT Chemisch verstärkte dicke Fotolack Allgemeine Informationen AZ® 40XT für 15 - 100 µm Resist Filmdicke (i-line) Die chemisch verstärkte AZ® 40 XT ist eine ultradicke Resist, deren hohe Viskosität sehr große Resist Filmdicken durch eine einzige Beschichtung ermöglicht. Sie muss nicht rehydriert werden, benötigt eine geringe Lichtdosis, setzt bei der Belichtung keinen Stickstoff frei und entwickelt sich sehr schnell, was im Vergleich zu herkömmlichen dicken Resist Filmen deutlich kürzere Prozesszeiten ermöglicht. Allerdings muss die AZ® 40XT zwingend mit einem Post Exposure Bake entwickelt werden. Hinweis: Die maximale Soft-Bake-Temperatur darf nicht abrupt angewendet werden, um die Bildung von Blasen in der Resist Folie zu verhindern. Wir empfehlen entweder die Verwendung einer Annäherungsheizplatte oder eine Temperaturrampe auf einer Kontaktheizplatte. Die richtigen Temperaturrampen sind entscheidend für eine blasenfreie Resist Verarbeitung mit dieser Resist. Linien und Zwischenräume von 100 bis 10 µm mit einer 40 µm dicken AZ® 40XT bei 400 mJ/cm2 Belichtungsdosis Produkteigenschaften 15 - 100 µm Resist Schichtdicke durch Einfachbeschichtung Wässrig alkalisch Developer (z.B. AZ® 326/726/2026 MIF) Keine Rehydrierung erforderlich, keine N2-Bildung während der Belichtung Sehr gute Haftung, sehr steile Resist Seitenwände Kann nass- und trocken-chemisch entlackt werden Optimiert für Galvanik, Nass- und Trockenätzung i-Linien-empfindlich (ca. 330 - 390 nm) Developer Wir empfehlen gängige TMAH-basierte Developer wie die AZ® 326 MIF, AZ® 726 MIF oder AZ® 2026 MIF Developer. Entferner AZ® 40XT Fotolack ist mit branchenüblichen lösungsmittelbasierten Entfernern kompatibel (z. B. NMP, DMSO, AZ® 920 Remover oder Technistrip MLO07). Verdünnen/Entfernen von Randwülsten Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR70/30 Solvent ist ebenfalls für die Randwulstentfernung geeignet. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 40XT Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 40XT Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 40XT Fotolack englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ 4533 Photoresist - 3.785 l
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Bottle size: 3.785 l
AZ® 4533 Dicke Resists mit optimierter Haftung Allgemeine Informationen Die AZ® 4500 Serie (AZ® 4533 und AZ® 4562) sind Positiv-Dicklacke mit optimierter Haftung für gängige Nassätz- und Galvanisierungsprozesse. Die AZ® 4500 Serie folgt der AZ® 1500 Serie im Bereich der erreichbaren und verarbeitbaren Resist Schichtdicken. AZ® 4533 (3,3 µm Resist Schichtdicke bei 4000 U/min) und AZ® 4562 (6,2 µm) haben im Vergleich zu dünnen Resisten eine geringere Fotoinitiator-Konzentration. Dadurch ist es möglich, dicke Resist Filme über 10 µm ohne N2-Blasenbildung zu verarbeiten, allerdings auf Kosten einer deutlich niedrigeren Entwicklungsrate. Produkteigenschaften Optimierte Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse Kompatibel mit allen gängigen Developer (KOH- oder TMAH-basiert) Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien) g-, h- und i-linienempfindlich (ca. 320 - 440 nm) Resist schichtdickenbereich ca. 2,5 - 5 µm Developer Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich die KOH-basierte AZ® 400K in einer 1:4 Verdünnung oder die fertig verdünnte Version AZ® 400K 1:4 (für höhere Resist Schichtdicken 1:3,5 - 1:3 verdünnt möglich) Developer. Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierte AZ® 2026 MIF Developer (unverdünnt). Entferner Für nicht vernetzte Resist Filme können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 4533 Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 4533 Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 4533 Fotolack englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ 4562 Photoresist - 3.785 l
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AZ® 4562 Dicke Resists mit optimierter Haftung Allgemeine Informationen Die AZ® 4500 Serie (AZ® 4533 und AZ® 4562) sind Positiv-Dicklacke mit optimierter Haftung für gängige Nassätz- und Galvanisierungsprozesse. Die AZ® 4500 Serie folgt der AZ® 1500 Serie im Bereich der erreichbaren und verarbeitbaren Resist Schichtdicken. AZ® 4533 (3,3 µm Resist Schichtdicke bei 4000 U/min) und AZ® 4562 (6,2 µm) haben im Vergleich zu dünnen Resisten eine geringere Fotoinitiator-Konzentration. Dadurch ist es möglich, dicke Resist Schichten über 10 µm ohne N2-Blasenbildung zu verarbeiten, allerdings auf Kosten einer deutlich niedrigeren Entwicklungsrate. Eine Resist Schichtdicke bis zu 30 µm kann durch Einfachbeschichtung mit angepassten Schleuderprofilen (kurze Schleuderzeiten bei mittlerer Schleudergeschwindigkeit) erreicht werden. Höhere Schichtdicken können durch Mehrfachbeschichtung erreicht werden. Höhere Schichtdicken können durch Mehrfachbeschichtung erreicht werden. Bitte beachten: Resist Schichtdicken > 30 µm Generell kann AZ® 4562 bis zu 30 µm und darüber hinaus beschichtet und verarbeitet werden. Allerdings werden Softbake, Rehydrierung, Belichtung und Entwicklung in diesem Dickenbereich sehr zeitaufwändig. Außerdem kann selbst die recht transparente AZ® 4562 Fotolack bei der Belichtung N2-Blasen bilden, wenn sie zu dick aufgetragen wird. Deshalb empfehlen wir für Resist Schichtdicken > 20 µm dringend das chemisch verstärkte AZ® 40XT. Produkteigenschaften Optimierte Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse Kompatibel mit allen gängigen Developer (KOH- oder TMAH-basiert) Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien) g-, h- und i-linienempfindlich (ca. 320 - 440 nm) Resist schichtdickenbereich ca. 5 - 30 µm Developer Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich die KOH-basierte AZ® 400K in einer 1:4 Verdünnung oder die fertig verdünnte Version AZ® 400K 1:4 (für höhere Resist Schichtdicken 1:3,5 - 1:3 verdünnt möglich) Developer. Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierte AZ® 2026 MIF Developer (unverdünnt). Entferner Für nicht vernetzte Resist Filme können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte, schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt. Ausdünnen/Randwulstentfernung Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten AZ® EBR Solvent. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 4562 Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 4562 Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 4562 Fotolack englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ IPS-6090 Photoresist - 3.785 l
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AZ® IPS-6090 Positiv Dick Resist Allgemeine Informationen AZ® IPS-6090 für 30 - 150 µm Resist Filmdicke (i-line) Das chemisch verstärkte AZ® IPS-6090 ist, vergleichbar mit dem AZ® 40XT, ein ultradicker Resist Film, dessen hohe Viskosität sehr große Resist Filmdicken durch eine einzige Beschichtung ermöglicht. Sie muss nicht rehydriert werden, benötigt eine geringe Lichtdosis, setzt bei der Belichtung keinen Stickstoff frei und entwickelt sich sehr schnell, was im Vergleich zu herkömmlichen dicken Resist Filmen deutlich kürzere Prozesszeiten ermöglicht. Die AZ® IPS-6090 muss jedoch zwangsläufig nach der Belichtung gebacken werden, um entwickelt zu werden. Sie wurde für die Strukturierung von Halbleitern in fortschrittlichen Packaging-Anwendungen (3DIC/TSV, CU Pillar, WLCSP, MEMS) entwickelt. IPS 6050 (80 µm Resist Schichtdicke) Produkt-Eigenschaften Sehr hohe Auflösung Hohes Aspektverhältnis Niedrige Belichtungsdosis für die Dicke der Folie Gerades Musterprofil und fußfrei i-line empfindlich, 330 - 390 nm Filmdickenbereich: 30 - 150 µm Geeignet für Anwendungen wie die elektrochemische Abscheidung / Beschichtung von Cu RDL im WLCSP-Prozess Elektrochemische Abscheidung / Beschichtung von Cu, Ni, Sn, SnAg, Au für 3DIC, FO und Flipchip-Verfahren Opferschicht für den Ätzprozess von Si in TSV Opferschicht für den SiO2- oder SiN-Ätzprozess in der CMOS-Sensorverarbeitung Developer Wir empfehlen AZ® 326 MIF Developer oder AZ® 726 MIF Developer (diese enthält Tenside) für die Fotolack AZ® IPS-6090. Entferner Für nicht vernetzte Resist Filme können die AZ® 100 Remover, DMSO oder andere gängige organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z. B. durch hohe Temperaturschritte > 140°C, bei Plasmaprozessen wie dem Trockenätzen oder bei der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover oder das TechniStrip P1331. Ausdünnung/Randstreifenentfernung Wir empfehlen für das Ausdünnen und Entfernen von Randwülsten AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR70/30 Solvent ist ebenfalls für die Randwulstentfernung geeignet. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® IPS-6090 Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® IPS-6090 Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® IPS-6090 englisch Informationen AZ® IPS-6090 englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ P4110 Fotolack - 3,785 l
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AZ® P4110 Positive Dicke Resist - AZ® P4110, AZ® P4330, AZ® P4903, AZ® P4620 Allgemeine Informationen Die AZ® P4000 positive Resist Serie mit ihren Mitgliedern AZ® P4110, AZ® P4330, AZ® P4620 und AZ® P4903 hat zwei Hauptmerkmale: Eine verbesserte Haftung auf allen gängigen Substraten für eine höhere Stabilität z.B. beim Nassätzen oder Galvanisieren und eine niedrigere photoaktive Substanzkonzentration, die das Auftragen von dicken und sehr dicken Resist Schichten (ca. 1 - 30 µm) ermöglicht. Diese Resist Serie hat eine mittlere thermische Stabilität und kann mit herkömmlichen KOH- oder TMAH-basierten Developer entwickelt werden. Produkteigenschaften Resist schichtdicke: 0,9 - 1,3 µm Steile Wandprofile, hohe Aspektverhältnisse Empfindlich für g-, h- und i-Linie Empfohlen Developer: KOH-basiert (z. B. AZ® 400K) oder auf TMAH-Basis (z. B. AZ® 2026 MIF) Standardabisolierer (z. B. AZ® 100 Remover, TechniStrip P1316) Verdünner und Kantenwulst Remover: AZ® EBR Lösungsmittel oder PGMEA Developer Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich der KOH-basierte AZ® 400K in einer Verdünnung von 1:4 oder die fertig verdünnte Version AZ® 400K 1:4 (für höhere Resist Schichtdicken 1:3,5 - 1:3 verdünnt möglich) Developer. Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir den TMAH-basierten AZ® 2026 MIF Developer (unverdünnt). Entferner Für nicht vernetzte Resist Filme können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z.B. durch Hochtemperaturschritte > 140°C, während Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder während der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte oder schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt. Ausdünnung/Randwulstentfernung Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR70/30 Solvent ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® P4110 Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® P4110 Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® P4000 Serie englisch Informationen AZ® P400 Serie englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
AZ P4903 Fotolack - 3,785 l
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AZ® P4903 Positive Dicke Resist - AZ® P4110, AZ® P4330, AZ® P4903, AZ® P4620 Allgemeine Informationen Die AZ® P4000 positive Resist Serie mit ihren Mitgliedern AZ® P4110, AZ® P4330, AZ® P4620 und AZ® P4903 hat zwei Hauptmerkmale: Eine verbesserte Haftung auf allen gängigen Substraten für eine höhere Stabilität z.B. beim Nassätzen oder Galvanisieren und eine niedrigere photoaktive Substanzkonzentration, die das Auftragen von dicken und sehr dicken Resist Schichten (ca. 1 - 30 µm) ermöglicht. Diese Resist Serie hat eine mittlere thermische Stabilität und kann mit herkömmlichen KOH- oder TMAH-basierten Developer entwickelt werden. Produkteigenschaften Optimierte Resist Haftung auf allen gängigen Substratmaterialien Breites Prozessparameterfenster für stabile und reproduzierbare Litho-Prozesse Kompatibel mit allen gängigen Developer (KOH- oder TMAH-basiert) Kompatibel mit allen gängigen Strippern (z.B. mit AZ® 100 Remover, organische Lösungsmittel oder wässrige Alkalien) g-, h- und i-linienempfindlich (ca. 320 - 440 nm) Resist schichtdickenbereich ca. 10 - 35 µm Developer Wenn metallionenhaltige Developer verwendet werden können, eignet sich die KOH-basierte AZ® 400K in einer 1:4 Verdünnung oder die fertig verdünnte Version AZ® 400K 1:4 (für höhere Resist Schichtdicken 1:3,5 - 1:3 verdünnt möglich) Developer. Wenn metallionenfreie Developer verwendet werden müssen, empfehlen wir die TMAH-basierte AZ® 2026 MIF Developer (unverdünnt). Entferner Für nicht vernetzte Resist Filme können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z.B. durch Hochtemperaturschritte > 140°C, während Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder während der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte oder schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt. Ausdünnung/Randwulstentfernung Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten AZ® EBR Solvent oder PGMEA. AZ® EBR70/30 Solvent ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® P4903 Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® P4903 Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® P4000 Serie englisch Informationen AZ® P400 Serie englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung
PL 177 Photoresist - 3.785 l
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Bottle size: 3.785 l
AZ® PL 177 Positiv Dick Resist Allgemeine Informationen AZ® PL 177 ist eine positiv gefärbte Flüssigkeit Fotolack für die Anwendung in verschiedenen Beschichtungstechniken, insbesondere für die Leiterplattenherstellung. AZ® PL 177 ist mit einer blau/violetten Farbe eingefärbt, um eine einfache Kontrolle nach der Beschichtung zu ermöglichen. Sie kann sowohl für die Schleuderbeschichtung als auch für die Tauchbeschichtung oder für die Spritz- und Walzenbeschichtung verwendet werden. Aufgrund seiner hervorragenden Haftungseigenschaften und seiner chemischen Stabilität eignet es sich besonders für das nasschemische Ätzen. Es ist ein Allzweckmittel Resist und eignet sich für alle Anwendungen, bei denen eine hohe Auflösung und eine hohe thermische Stabilität nicht wichtig sind. Das AZ® PL 177 ist ein preiswerteres Resist für geringere Anforderungen an Auflösung und Seitenwandsteilheit. Mit einer Resist Schichtdicke von ca. 5 µm bei 4000 U/min ist eine Auflösung von ca. 4 - 5 µm möglich. Produkt-Eigenschaften Gutes Trocknungsverhalten Wässrig-alkalische Prozessfähigkeit PGMEA-basierte Formulierung Sehr gute Hafteigenschaften auf vielen Arten von Substraten Blau/violett gefärbt für eine einfache Inspektion Kompatibel mit allen gängigen Abbeizmitteln (z.B. mit AZ® 100 Remover, organischen Lösungsmitteln oder wässrigen Alkalien) g-, h- und i-linienempfindlich (ca. 320 - 440 nm) Resist schichtdickenbereich ca. 4 - 8 µm Developer Als Developer empfehlen wir den NaOH-basierten AZ® 351B, den KOH-basierten AZ® 400K oder einen TMAH-basierten Entwickler wie den AZ® 2026 MIF. AZ Developer und sogar einfache wässrige KOH- oder NaOH-Lösungen können verwendet werden. Entferner Für nicht vernetzte Resist Filme können AZ® 100 Remover, DMSO oder andere übliche organische Lösungsmittel als Stripper verwendet werden. Wenn der Resist Film vernetzt ist (z.B. durch Hochtemperaturschritte > 140°C, während Plasmaprozessen wie Trockenätzen oder während der Ionenimplantation), empfehlen wir das NMP-freie TechniStrip P1316 als Remover. AZ® 920 Remover kann ebenfalls eine gute Wahl sein, wenn es sich um hart behandelte oder schwer zu entfernende Resist Rückstände handelt. Ausdünnung/Randwulstentfernung Wir empfehlen zum Verdünnen und Entfernen von Randwülsten AZ® EBR Solvent, PGMEA oder MEK. AZ® EBR 70/30 Solvent ist ebenfalls für die Entfernung von Randwülsten geeignet. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® PL177 Fotolack englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® PL177 Fotolack deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® PL177 Fotolack englisch Anwendungshinweise: Weitere Informationen über Fotolack Verarbeitung

Entwickler

AZ 400 K Developer - 5,00 l
1000400
AZ® 400K Developer Anorganisch Developer Allgemeine Informationen AZ® 400K MIC basiert auf gepufferter KOH und wird in der Regel in einer Verdünnung von 1:3 bis 1:4 (1 Teil Konzentrat und 4 Teile VE-Wasser) verwendet. Es eignet sich besonders für unsere dickeren Resist Typen, wie AZ® 4562, AZ® 10XT und AZ® 40XT. Zusätzlich zum Konzentrat ist jetzt auch eine vorverdünnte AZ® 400K 1:4 Version erhältlich, andere Verdünnungsverhältnisse auf Anfrage. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 400K Developer englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 400K Entwickler deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 400K Developer englisch Informationen AZ® 400K Developer englisch Anwendungshinweise: Entwicklung von Fotolack english Entwicklung von Fotolack deutsch
AZ 400 K Dev 1:4 - 5.00 l
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AZ® 400K Developer 1:4 Anorganisch Developer Allgemeine Informationen Neben dem Konzentrat ist jetzt auch eine vorverdünnte AZ® 400K 1:4 Version erhältlich, andere Verdünnungsverhältnisse auf Anfrage. AZ® 400K MIC Developer basiert auf gepufferter KOH und wird typischerweise in einer 1:3 bis 1:4 Verdünnung (1 Teil Konzentrat und 4 Teile DI-Wasser) verwendet und kann vor allem für unsere dickeren Resist Typen, wie AZ® 4562, AZ® 10XT und AZ® 40XT, verwendet werden. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 400K 1:4 Developer englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 400K 1:4 Entwickler deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 400K 1:4 Developer englisch Information AZ® 400K 1:4 Developer deutsch Anwendungshinweise: Entwicklung von Fotolack english Entwicklung von Fotolack deutsch
AZ 2026 MIF Developer - 5.00 l
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AZ® 2026 MIF Developer Metallionenfrei Developer Allgemeine Informationen AZ® 300 MIF, AZ® 326 MIF, AZ® 726 MIF und AZ® 2026 MIF Developer sind Developer Formulierungen mit 2,38 % TMAH (Tetramethylammoniumhydroxid) in H2O. Die AZ® 726 MIF Developer enthält zusätzlich ein Tensid zur besseren Benetzung und leichten Absetzung von Pfützenbildung. Neben einem Netzmittel für z.B. die Puddle-Entwicklung enthält der AZ® 2026 MIF Developer zusätzlich ein Additiv mit der Aufgabe, schwerer lösliche Lackbereiche rückstandsfrei zu entwickeln. Für unsere Negativresists, wie die AZ® nLof 2000 Serie, die AZ® 15nXT Serie, die AZ® 125nXT Resists zeigt dieses Developer jedoch eine hervorragende Leistung. Selbst bei positiven Resist wie AZ® 10XT Resist wird das T-Topping deutlich reduziert, wenn dieses Problem auftritt. AZ® 2033 MIF ist 3,00 % TMAH in H2O mit zugesetzten Tensiden für eine schnelle und homogene Untergrundbenetzung und weiteren Additiven zur Entfernung von Resist Rückständen (Rückstände in bestimmten Lackfamilien), allerdings auf Kosten eines höheren Dunkelabtrag. Im Vergleich zur AZ® 2026 MIF beträgt die Normalität nicht 0,26, sondern 0,33. Somit ist die Entwicklungsrate mit der AZ® 2033 MIF Developer höher. Weitere Informationen MSDS: Safety Data Sheet AZ® 2026 MIF Developer english Sicherheitsdatenblatt AZ® 2026 MIF Developer deutsch TDS: Technical Data Sheet AZ® 2026 MIF Developer english Anwednungshinweise: Development of Photoresist english Entwicklung von Fotolack deutsch

Remover

AZ 100 Remover - 5,00 l
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AZ® 100 Remover Universal Fotolack Stripper Allgemeine Informationen AZ®100 Remover basiert auf Lösungsmittel und Amin (alkalisch). AZ®100 Remover wird zum Fotolack Abbeizen mit geringem Angriff auf Aluminium verwendet. Die geringe Gefährdung wird durch die Verwendung von Ethanol-Amin erreicht. Die niedrige Verdampfungsrate ermöglicht den Einsatz bei erhöhten Temperaturen (bis zu 80°C), die hohe Effizienz (>3000 Wafer pro Liter) hilft Kosten zu sparen. Wenn ein Angriff auf Aluminium kein Problem darstellt, kann es sogar mit Wasser verdünnt werden. AZ®100 Remover ist nicht kompatibel mit AZ® nLof 2070 (AZ® nLof 2000 Serie) und anderen stark vernetzten Resistenzen. Produkteigenschaften Dichte (bei 25°C): 0.955 kg/l Farbe (Alpha): max. 20 Flammpunkt (AP): 72°C Normalität (potentiometrisch): 3.1 mol/l Siedebereich: 159-194°C Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® 100 Remover englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® 100 Remover deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® 100 Remover englisch Anwendungshinweise: Fotolack entfernen englisch Fotolack entfernen deutsch
DMSO - 2,50 l - ULSI
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DMSO Dimethylsulfoxid Allgemeine Informationen Aufgrund seines niedrigen Dampfdrucks und seiner Wasserlöslichkeit ist DMSO ein ausgezeichnetes Stripper für Resists bzw. Lift-off-Medien und ist ein ungiftiger Ersatz für das seit einiger Zeit als giftig eingestufte NMP. Die optionale Zugabe von Cyclopentanon oder MEK erhöht die Leistung des Stripper für bestimmte Anwendungen und senkt den Schmelzpunkt von reinem DMSO erheblich. HINWEIS: Das Lösungsmittel DMSO (Dimethylsulfoxid) hat einen Schmelzpunkt knapp unter der Raumtemperatur, so dass es bei der Lagerung in kühleren Räumen möglicherweise einfrieren kann. Das Auftauen kann mehrere Tage dauern, aber danach kann das Produkt so verwendet werden, wie es ist. Für weitere Details lade bitte den Infobrief herunter. Produkt-Eigenschaften Dichte: 1,1 g/cm3 Schmelzpunkt: 18°C Siedepunkt: 189°C Flammpunkt: 87°C Dampfdruck @ 20°C: 0.56 hPa DMSO Molekül Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt DMSO (ULSI) englisch Sicherheitsdatenblatt DMSO (ULSI) deutsch Specs: Technische Daten DMSO (ULSI) Anwendungshinweise: Lösungsmittel: Theorie und Anwendung english Lösemittel: Theorie und Anwendung deutsch Fotolack Entfernen englisch Fotolack entfernen deutsch Weitere Informationen zur Verarbeitung
TechniStrip P1316 - 5,00 l - MOS
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TechniStrip® P1316 Hochleistung Remover Allgemeine Informationen TechniStrip® P1316 ist ein Remover mit sehr starker Ablösekraft für Novolak-basierte Lacke (einschließlich aller AZ® positivlacke), epoxidbasierte Beschichtungen, Polyimide und Trockenfilme. Bei typischen Anwendungstemperaturen um 75°C kann TechniStrip® P1316 auch vernetzte Resists rückstandsfrei auflösen, z. B. durch Trockenätzen oder Ionenimplantation. Die Remover kann auch in Sprühverfahren eingesetzt werden. Produkt-Eigenschaften Flammpunkt: 93°C Viskosität (20°C): < 2 cP Wasserlöslichkeit: Vollständig mischbar Siedepunkt: 189°C Dichte (bei 20°C): 1.03 g/cm3 Verträglichkeit Metalle: greift Al, Cu, Au an Metalle: kein Angriff auf Ta, Ni, Ti, TiN Substrate: Si, SiO2 Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details. Einige Anwendungen TechniStrip® P1316 ist ein leistungsstarkes NMP-freies Remover für: Novolak-basierte Positivresiste wie z. B. alle positiven AZ® lacke Epoxid-basierte Resists Polyimide, Haftkleber Trockene Filme Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt TechniStrip P1316 (MOS) englisch Sicherheitsdatenblatt TechniStrip P1316 (MOS) deutsch TDS: Technisches Datenblatt TechniStrip P1316 (MOS) englisch Technische Daten: Specs TechniStrip P1316 (MOS) Anwendungshinweise: Fotolack Entfernen englisch Fotolack entfernen deutsch Weitere Informationen zur Verarbeitung
AZ Remover 920 - 5,00 l
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AZ® Remover 920 Auf Basis organischer Lösungsmittel Remover Allgemeine Informationen AZ® Remover 920 wurde entwickelt, um eine schnelle Delaminierung und Auflösung von Fotolack Mustern zu ermöglichen und gleichzeitig eine breite Kompatibilität mit Bauelementesubstraten und Metallfolien zu gewährleisten. Die von Merck entwickelte Lösungsmittel- und Additivmischung ist umweltfreundlich und entspricht vollständig der REACH-Verordnung der Europäischen Union. Kompatibel mit den meisten AZ® positivlacken (vollständige Auflösung) und den meisten AZ® negativresisten (Auflösung oder Delamination je nach Vernetzungsgrad). Produkt-Eigenschaften Flammpunkt: 84,4°C Viskosität (20°C): 1.84 cSt Siedepunkt: 188°C Dichte (bei 25°C): 1.084 g/cm3 Kompatibilität Metalle: kein Angriff auf Al, Cu, Ti, W, TiW, TiN, Sn, Ni Substrate: Si, SiO2, GaAs Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details. Wichtigste Merkmale Schnelle Delaminierung von Fotolack Mustern Breite Kompatibilität Umweltfreundlich Einige Anwendungen Bulk Fotolack Entfernung Metall-Lift-off-Lithografie Cu-Säulen-Metallisierungsreiniger RDL-Metallisierungsreinigungen Delamination von stark ausgehärteten Fotolack Mustern und organischen Rückständen Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt AZ® Remover 920 englisch Sicherheitsdatenblatt AZ® Remover 920 deutsch TDS: Technisches Datenblatt AZ® Remover 920 englisch Anwendungshinweise: Fotolack Entfernen englisch Entfernen von Fotolack deutsch