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Cu etch 150 MicroChemicals GmbH
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Cu etch 150 - 5.00 l - ready to use

Cu etch 150 is an alkaline etchant for Cu and is used for the wet-chemical removal of Cu layers.

Produktinformationen "Cu etch 150 - 5.00 l - ready to use"

Cu-Ätzmittel 150

Kupfer Ätzmittel

Allgemeine Informationen

Cu etch 150 ist ein alkalisches Ätzmittel für Cu und wird für die nasschemische Entfernung von Cu-Schichten mit Selektivität für Metalle wie Ni, Au, Cr, Sn, Ti verwendet. Häufige Einsatzgebiete sind die Halbleiterfertigung oder die Mikrosystemtechnik.

Produkteigenschaften
  • Selektivität für viele Materialien, z. B. gängige Metalle, die in der Galvanikindustrie verwendet werden
  • Erhältlich in verschiedenen Reinheitsgraden
  • Kompatibel mit Resist Maskierung
  • Verwendung bei Raumtemperatur
Selektivität

Cu etch 150 ist kompatibel/selektiv zu folgenden Materialien:

  • Resists: gängiger Novolak als Maskierung Resist (z.B. AZ® Photoresist)
  • Metalle: kein Angriff auf Ni, Au, Cr, Sn, Ti, Pt, Ta
  • Metalle: greift Cu, TiW, Ag, Zn an
  • Halbleitermaterialien: Si, SiO2, Si3N4

Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details.

Ätzrate

Unter normalen Bedingungen liegt die Ätzrate bei 100 bis 150 nm/min (bei RT). Die gemischte Ätzlösung ist nicht langzeitstabil (Mischung aus zwei Komponenten), kann aber je nach den Anforderungen der Anwendung mehrfach verwendet werden. Es wird empfohlen, die Lösung spätestens dann zu entsorgen, wenn sich die Ätzrate um 20% verändert hat.

Weitere Informationen

MSDS:
Sicherheitsdatenblatt Cu etch 150 englisch
Sicherheitsdatenblatt Cu etch 150 deutsch

TDS:
Technisches Datenblatt Cu etch 150 englisch
Technisches Datenblatt Cu etch 150 deutsch

Anwendungshinweise:
Nasschemisches Ätzen englisch
Nasschemisches Ätzen deutsch
Nasschemisches Ätzen von Metallen englisch
Nasschemisches Ätzen von Metallen deutsch

Weitere Informationen zur Verarbeitung

Resist compatible: yes
Selectivity (attacked): Ag, Cu, TiW, Zn
Selectivity (no attack on): Au, Cr, Ni, Pt, Sn, Ta, Ti
Semiconductor materials: Si, SiO2, Si3N4

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Bottle size: 5.00 l
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TechniEtch Al80 - 2,50 l - MOS
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TechniEtch Al80 Aluminium Ätzmittel Allgemeine Informationen TechniEtch Al80 ist eine gebrauchsfertige Ätzmischung auf Basis von Phosphorsäure, Salpetersäure und Essigsäure zum Ätzen von Aluminium. Unser Aluminiumätzmittel TechniEtch Al80 hat die Zusammensetzung H3PO4: HNO3: CH3COOH* : H2O=80% : 5% : 5% : 10% wird in MOS-Qualität geliefert. Produkt-Eigenschaften Hohe Ätzrate bei Raumtemperatur. Hohe Stabilität auch bei Metallverunreinigungen Beladung und Badlebensdauer hängen hauptsächlich von der Prozesstemperatur, dem Werkzeug und dem Extraktionsfluss ab Selektivität TechniEtch Al80 ist kompatibel/selektiv für folgende Materialien: Metalle: kein Angriff auf Au, Pt Metalle: Angriff auf Al Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerinformationen und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt TechniEtch Al80 (MOS) englisch Sicherheitsdatenblatt TechniEtch Al80 (MOS) deutsch TDS: Technisches Datenblatt TechniEtch Al80 (MOS) englisch Technische Daten: Technische Daten TechniEtch Al80 (MOS) Anwendungshinweise: Nasses Ätzen englisch Nasschemisches Ätzen deutsch Nasses Ätzen von Metallen englisch Nasschemisches Ätzen von Metallen deutsch Weitere Informationen zur Verarbeitung
TechniEtch CN10 Concentrate - 2.50 l - MOS - EVE/EUD!
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TiW Etch 100 - 5.00 l
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TiW etch 100 Titan-Wolfram Ätzmittel Allgemeine Informationen TiW etch 100 wird als Ätzmittel für Titan verwendet - für die nasschemische Strukturierung von TiW-Schichten mit Selektivität für Metalle wie Au, Pt, Ni, Cr, Sn. Übliche Anwendungen finden sich im Bereich der Halbleiter- oder Mikrosystemtechnik zum Ätzen von Haftschichten oder Diffusionsbarrieren. Produkteigenschaften Geringe Unterätzung (im Bereich der Schichtdicke), minimale Strukturgröße < 1µm Selektivität für viele Materialien, z. B. gängige Metalle, die in der Galvanikindustrie verwendet werden Kompatibel mit Resist masking Selektivität TiW etch 100 ist kompatibel/selektiv für folgende Materialien: Resists: gängige Novolak als Maskierungsmittel Resist (z.B. AZ® Photoresist) Metalle: kein Angriff auf Au, Pt, Ni, Cr, Sn Metalle: Angriff auf TiW, Cu Cu-Angriff bei längerer Einwirkung Halbleitermaterialien: Si, SiO2, Si3N4 Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerinformationen und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details. Ätzrate Unter normalen Bedingungen liegt die Ätzrate bei etwa 1nm/s (bei Raumtemperatur). Die gemischte Ätzlösung ist über einen längeren Zeitraum stabil und kann je nach den Anforderungen der Anwendung mehrfach verwendet werden. Es wird empfohlen, die Lösung spätestens dann zu entsorgen, wenn sich die Ätzrate um 20% verändert hat. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt TiW etch 100 englisch Sicherheitsdatenblatt TiW etch 100 deutsch TDS: Technisches Datenblatt TiW etch 100 englisch Technisches Datenblatt TiW etch 100 deutsch Anwendungshinweise: Nasses Ätzen englisch Nasschemisches Ätzen deutsch Nasses Ätzen von Metallen englisch Nasschemisches Ätzen von Metallen deutsch Weitere Informationen zur Verarbeitung
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TiW etch 200 Titan-Wolfram Ätzmittel Allgemeine Informationen TiW etch 200 wird als Ätzmittel für Titan verwendet - für die nasschemische Strukturierung von TiW-Schichten mit Selektivität für Metalle wie Au, Pt, Ni, Cr. Übliche Anwendungen finden sich im Bereich der Halbleiter- oder Mikrosystemtechnik zum Ätzen von Haftschichten oder Diffusionsbarrieren. Produkteigenschaften Geringe Unterätzung (im Bereich der Schichtdicke), minimale Strukturgröße < 1µm Selektivität für viele Materialien, z. B. gängige Metalle, die in der Galvanikindustrie verwendet werden Kompatibel mit Resist masking Selektivität TiW etch 200 ist kompatibel/selektiv für folgende Materialien: Resists: gängige Novolak als Maskierungsmittel Resist (z.B. AZ® Photoresist) Metalle: kein Angriff auf Au, Pt, Ni, Cr Metalle: greift TiW, Cu an Halbleitermaterialien: Si, SiO2, Si3N4 Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details. Ätzrate Unter normalen Bedingungen liegt die Ätzrate bei etwa 5 nm/min (bei Raumtemperatur). Die gemischte Ätzlösung ist über einen längeren Zeitraum stabil und kann je nach Anwendungsbedarf mehrfach verwendet werden. Es wird empfohlen, die Lösung spätestens dann zu entsorgen, wenn sich die Ätzrate um 20% verändert hat. Weitere Informationen MSDS: Sicherheitsdatenblatt TiW etch 200 DE Sicherheitsdatenblatt TiW etch 200 DE TDS: Technisches Datenblatt TiW etch 200 DE Technisches Datenblatt TiW etch 200 DE Anwendungshinweise: Nasses Ätzen Nasschemisches Ätzen Nasses Ätzen von Metallen Nasschemisches Ätzen von Metallen Weitere Informationen zur Verarbeitung
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