TechniEtch ACI2 - 5.00 l - VLSI
TECHNIC France
TechniEtch™ACI2 is a potassium iodide and iodine-based etching mixture for gold etching.
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Produktnummer:
TEACI2V5
Hersteller:
TECHNIC France
Produktinformationen "TechniEtch ACI2 - 5.00 l - VLSI"
TechniEtch™ ACI2
Gold Ätzmittel
Allgemeine Informationen
TechniEtch™ ACI2 ist ein hochwirksames und selektives Gold-Ätzmittel Stripper. TechniEtch™ ACI2 ist ein Gold-Ätzmittel auf Jodbasis, das spezielle Zusätze enthält, die die Stabilität und die Fähigkeit zur Metallbeladung im Vergleich zu herkömmlichen Lösungen auf I2/I3-Basis erheblich verbessern.
Produkteigenschaften
- Hohe Ätzrate bei Raumtemperatur
- Niedrige Oberflächenspannung für verbesserte Benetzungseigenschaften
- Hohe Stabilität auch bei Metallverunreinigungen (Cu, Ni...).
- Beladung und Badlebensdauer unabhängig vom Cu-Verunreinigungsgrad der Lösung (bis zu 1 g/l)
- Erhöhte Beladungskapazität im Vergleich zu Standardlösungen auf I2/KI-Basis.
- Bessere Prozesskontrolle/Zuverlässigkeit.
- Geringe Toxizität im Vergleich zu Cyanid- und HF/HNO3-basierten Lösungen
Selektivität
TechniEtch™ ACI2 ist kompatibel/etwas selektiv für folgende Materialien:
- Metalle: kein Angriff auf Ni, Al, Ti, TiN
- Metalle: Angriff auf Au, Cu, Sn, Pt, W
- Halbleitermaterialien: Si, SiO2, Si3N4
Die Angaben zur Selektivität und Kompatibilität sind Herstellerinformationen und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt TechniEtch™ ACI2 (VLSI) englisch
Sicherheitsdatenblatt TechniEtch™ ACI2 (VLSI) deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt TechniEtch™ ACI2 (VLSI) englisch
Technische Daten:
Spezifikationen TechniEtch™ ACI2 (VLSI)
Anwendungshinweise:
Nasses Ätzen englisch
Nasschemisches Ätzen deutsch
Nasses Ätzen von Metallen englisch
Nasschemisches Ätzen von Metallen deutsch
Ähnliche Produkte
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Ammoniumhydroxidlösung 28-30% - 2,50 l - VLSI - EVE/EUD!
HAMV1025
Ammoniaklösung
NH4OH
Allgemeine Informationen
Gemischt mit H2O2 ist Ammoniak ein Bestandteil vieler Ätzmischungen für Metalle wie Kupfer, Silber oder Aluminium.
Unsere Ammoniaklösung (28 - 30%) ist in VLSI-Qualität erhältlich, also in den üblichen Reinheitsgraden, die in der Halbleiterverarbeitung und Mikroelektronik verwendet werden.
Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt Ammoniumhydroxidlösung (VLSI) 28-30% englisch
Specs:
Specs Ammoniumhydroxidlösung (VLSI) 28-30%
Anwendungshinweise:
Nasses Ätzen englisch
Nasschemisches Ätzen deutsch
Au etch 200 - 5.00 l
nbtaue2005
Bottle size:
5.00 l
Au etch 200
Gold Ätzmittel
Allgemeine Informationen
Au etch 200 ist ein ungefährliches, cyanidfreies, leicht alkalisches Ätzmittel für Au. Das Ätzmittel wird für die nasschemische Strukturierung von Au-Schichten mit Selektivität für Metalle wie Pt, Ni, Cr, Ti, Al verwendet. Häufige Einsatzgebiete sind die Halbleiterherstellung oder die Mikrosystemtechnik.
Produkteigenschaften
Geringer Unterschnitt (im Bereich der Schichtdicke), minimale Strukturgröße < 1 µm
Selektivität für viele Materialien, z. B. gängige Metalle, die in der Galvanikindustrie verwendet werden
In verschiedenen Reinheitsgraden erhältlich
Kompatibel mit Resist Maskierung
Kein Gefahrstoff und leicht zu handhaben
Selektivität
Au etch 200 ist kompatibel/selektiv zu folgenden Materialien:
Resists: gängiger Novolak als Maskierungsmittel Resist (z.B. AZ® Photoresist)
Metalle: kein Angriff auf Pt, Ni, Cr, Ti, Al, Ta
Metalle: greift Au, Cu an
Halbleitermaterialien: Si, SiO2, Si3N4
Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details.
Ätzrate
Unter normalen Bedingungen liegt die Ätzrate bei 40 nm/min (bei 50°C). Die gemischte Ätzlösung ist langzeitstabil und kann je nach den Anforderungen der Anwendung mehrfach verwendet werden. Es wird empfohlen, die Lösung spätestens dann zu entsorgen, wenn sich die Ätzrate um 20% verändert hat.
Weitere Informationen
MSDS:
Safety Data Sheet Au etch 200 english
Sicherheitsdatenblatt Au etch 200 deutsch
TDS:
Technical Data Sheet Au etch 200 english
Technisches Datenblatt Au etch 200 deutsch
Anwendungshinweise:
Wet Etching english
Nasschemisches Ätzen deutsch
Wet Etching of Metals english
Nasschemisches Ätzen von Metallen deutsch
Further Information about Processing
AX 100 - 5.00 l
nbtax1005
Bottle size:
5.00 l
AX 100
Aktivator
Allgemeine Informationen
AX 100 ist eine saure Lösung zur Aktivierung und Vorbehandlung von Keimschichten und metallischen Oberflächen für die Galvanik, auf denen eine direkte Metallisierung Probleme hinsichtlich der Haftfestigkeit verursachen kann. Dies gilt z.B. für die galvanische Abscheidung von Au auf Ni-Oberflächen oder die direkte galvanische Abscheidung auf Ti- oder TiW-Schichten.
AX 100 aktiviert metallische Oberflächen vor der galvanischen Abscheidung und ermöglicht eine bessere Haftfestigkeit von galvanischen Schichten auf metallischen Oberflächen, die zur Oxidation neigen.
Häufige Anwendungsgebiete sind die Halbleiterfertigung und die Mikrosystemtechnik.
Produkteigenschaften
Geringer oder kein Ätzangriff auf metallischen Oberflächen
Kompatibel mit vielen Materialien, z. B. mit den in der Galvanikindustrie üblichen Metallen
Kompatibel mit Resist Maskierung
Keine giftige Substanz und leicht zu handhaben
Mäßige Betriebstemperatur von etwa 40°C
Selektivität
AX 100 ist mit den folgenden Materialien kompatibel/selektiv:
Resists: gängige Novolak als Maskierungsmittel Resist (z.B. AZ® Photoresist)
Metalle: kein Angriff auf Ni, Ti, TiW, Ta, Cu
Halbleitermaterialien: Si, SiO2, Si3N4
Die Angaben zur Selektivität und Kompatibilität sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt AX 100 englisch
Sicherheitsdatenblatt AX 100 deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt AX 100 englisch
Anwendungshinweise:
Weitere Informationen zur Verarbeitung
BOE 7:1 (87,5 : 12,5) - 2.50 l - VLSI - EVE/EUD!
TBOV1025
BOE 7:1
Gepufferte Oxidätzung
Allgemeine Informationen
BOE wird hauptsächlich zum Ätzen von Gläsern, Quarz und SiO2-Filmen verwendet.
Wir liefern BOE 7:1=gepufferte Flusssäure (HF : NH4F=12,5 : 87,5%) in VLSI-Qualität, was den üblichen Reinheitsgraden entspricht, die in der Halbleiterverarbeitung und Mikroelektronik verwendet werden.
HINWEIS:
BOE muss über +12,5°C gelagert und transportiert werden. Unterhalb dieser kritischen Temperatur von 12,5°C bildet das Material Partikel (kleine Kristalle). Da diese Kristalle eine höhere Dichte haben, sammeln sie sich am Boden der Flasche an und werden erst dann wieder vollständig aufgelöst, wenn das Material einige Tage lang bei Temperaturen von 30 - 35°C gelagert wird. Nach dieser Prozedur sollten die Kristalle wieder vollständig aufgelöst sein und die BOE kann dann ohne Einschränkungen verwendet werden.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt BOE 7:1 (VLSI) englisch
Sicherheitsdatenblatt BOE 7:1 (VLSI) deutsch
Specs:
Technische Daten BOE 7:1 (VLSI)
Anwendungshinweise:
Nasses Ätzen englisch
Nasschemisches Ätzen deutsch
Weitere Informationen zur Verarbeitung
Cr etch 210 - 5.00 l - EVE/EUD!
nbtcre21005
Bottle size:
5.00 l
Cr-Ätzen 210
Chrom-Ätzmittel
Allgemeine Informationen
Cr-Ätz 210 ist ein alkalisches Ätzmittel für Cr. Das Ätzmittel wird für die nasschemische Strukturierung oder Entfernung von dünnen Cr-Schichten mit Selektivität für Metalle wie Au, Sn, Pt, Cu, Ni, Ti, Ta verwendet. Häufige Einsatzgebiete sind die Halbleiterfertigung oder die Mikrosystemtechnik, z. B. zum Entfernen oder Strukturieren einer Cr-Barriere- oder Adhäsionsschicht in einem Plating-Seed-Stack.
Produkteigenschaften
Geringer Unterschnitt (im Bereich der Schichtdicke), minimale Strukturgröße < 1µm
Selektivität für viele Materialien, z. B. gängige Metalle, die in der Galvanikindustrie verwendet werden
In verschiedenen Reinheitsgraden erhältlich
Kompatibel mit Resist Maske
Einsatz bei Raumtemperatur
Steigerung der Ätzrate durch Erhöhung der Temperatur auf bis zu 40°C
Selektivität
Cr Etch 210 ist kompatibel/selektiv zu folgenden Materialien:
Fotolacke: gängiger Novolak als Maske Resist (z.B. AZ® Photoresist)
Metalle: kein Angriff auf Au, Sn, Pt, Cu, Ni, Ti, Ta
Metalle: greift Cr an
Halbleitermaterialien: Si, SiO2, Si3N4
Die Angaben zur Selektivität und Kompatibilität sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details.
Ätzrate
Unter normalen Bedingungen beträgt die Ätzrate etwa 10 bis 15 nm/min bei 40 °C (bei Raumtemperatur entsprechend niedriger). Eine gesputterte 30nm Cr-Schicht wird in etwa 180 Sekunden geätzt. Die gemischte Ätzlösung ist langzeitstabil und kann je nach Anwendungsbedarf mehrfach verwendet werden. Es wird empfohlen, die Lösung spätestens dann zu entsorgen, wenn sich die Ätzrate um 20% verändert hat.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt Cr etch 210 deutsch
Sicherheitsdatenblatt Cr etch 210 deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt Cr etch 210 englisch
Technisches Merkblatt Cr etch 210 deutsch
Anwendungshinweise:
Nasschemisches Ätzen englisch
Nasschemisches Ätzen deutsch
Nasschemisches Ätzen von Metallen englisch
Nasschemisches Ätzen von Metallen deutsch
Weitere Informationen zur Verarbeitung
Cu etch 100 - 5.00 l - ready to use
nbtcue100rtu5
Bottle size:
5.00 l
Cu-Ätzmittel 100
Kupfer Ätzmittel
Allgemeine Informationen
Cu etch 100 ist ein alkalisches Ätzmittel für Cu und wird für die nasschemische Entfernung von Cu-Schichten mit Selektivität für Metalle wie Ni, Au, Cr, Sn, Ti verwendet. Häufige Einsatzgebiete sind die Halbleiterfertigung oder die Mikrosystemtechnik.
Produkteigenschaften
Hohe Ätzrate und Unterätzungsrate mit Cu als Opferschicht
Selektivität für viele Materialien, z. B. gängige Metalle, die in der Galvanikindustrie verwendet werden
Erhältlich in verschiedenen Reinheitsgraden
Kompatibel mit Resist masking
Verwendung bei Raumtemperatur
Selektivität
Cu etch 100 ist kompatibel/selektiv zu folgenden Materialien:
Resists: gängiger Novolak als Maskierung Resist (z.B. AZ® Photoresist)
Metalle: kein Angriff auf Ni, Au, Cr, Sn, Ti, Pt, Ta
Metalle: greift Cu, TiW, Ag, Zn an
Halbleitermaterialien: Si, SiO2, Si3N4
Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details.
Ätzrate
Unter normalen Bedingungen liegt die Ätzrate bei 3 bis 3,5 µm/min (bei RT). Die gemischte Ätzlösung ist auf Dauer nicht stabil (Mischung aus zwei Komponenten), kann aber je nach den Anforderungen der Anwendung mehrfach verwendet werden. Es wird empfohlen, die Lösung spätestens dann zu entsorgen, wenn sich die Ätzrate um 20% verändert hat.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt Cu etch 100 englisch
Sicherheitsdatenblatt Cu etch 100 deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt Cu etch 100 englisch
Technisches Datenblatt Cu etch 100 deutsch
Anwendungshinweise:
Nasschemisches Ätzen englisch
Nasschemisches Ätzen deutsch
Nasschemisches von Metallen englisch
Nasschemisches Ätzen von Metallen deutsch
Weitere Informationen zur Verarbeitung
Cu etch 200 UBM - 5.00 l
nbtcue200ubm5
Bottle size:
5.00 l
Cu-Ätzmittel 200 UBM
Kupfer Ätzmittel
Allgemeine Informationen
Cu etch 200 UBM ist ein leicht alkalisches Ätzmittel für Cu und wird für die nasschemische Entfernung von Cu-Keimschichten mit Selektivität für Metalle wie Ni, Au, Cr, Sn, Ti, Al verwendet. Häufige Einsatzgebiete sind die Halbleiterfertigung oder die Mikrosystemtechnik, insbesondere für die Entfernung von Keimschichten nach der Beschichtung der Under-Bump-Metallisierung (UBM).
Produkteigenschaften
Selektivität für viele Materialien, z. B. gängige Metalle, die in der Galvanikindustrie verwendet werden
Sehr geringer Dimensionsverlust
In verschiedenen Reinheitsgraden erhältlich
Kompatibel mit Resist Maskierung
Verwendung bei Raumtemperatur
Selektivität
Cu etch 200 UBM ist kompatibel/selektiv zu folgenden Materialien:
Resists: gängiger Novolak als Maskierung Resist (z.B. AZ® Photoresist)
Metalle: kein Angriff auf Ni, Au, Cr, Sn, Ti, Al, Pt
Metalle: Angriff auf Cu, Ag
Halbleitermaterialien: Si, SiO2, Si3N4
Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details.
Ätzrate
Unter normalen Bedingungen liegt die Ätzrate bei 200 bis 250 nm/min (bei RT). Die Ätzlösung ist zeitlich stabil und kann je nach den Anforderungen der Anwendung mehrfach verwendet werden. Es wird empfohlen, die Lösung spätestens dann zu entsorgen, wenn sich die Ätzrate um 20% verändert hat.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt Cu etch 200 englisch
Sicherheitsdatenblatt Cu etch 200 deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt Cu etch 200 englisch
Technisches Datenblatt Cu etch 200 deutsch
Anwendungshinweise:
Nasschemisches Ätzen englisch
Nasschemisches Ätzen deutsch
Nasschemisches Ätzen von Metallen englisch
Nasschemisches Ätzen von Metallen deutsch
Weitere Informationen zur Verarbeitung
TechniEtch Al80 - 2,50 l - MOS
TAEV1025
TechniEtch Al80
Aluminium Ätzmittel
Allgemeine Informationen
TechniEtch Al80 ist eine gebrauchsfertige Ätzmischung auf Basis von Phosphorsäure, Salpetersäure und Essigsäure zum Ätzen von Aluminium. Unser Aluminiumätzmittel TechniEtch Al80 hat die Zusammensetzung H3PO4: HNO3: CH3COOH* : H2O=80% : 5% : 5% : 10% wird in MOS-Qualität geliefert.
Produkt-Eigenschaften
Hohe Ätzrate bei Raumtemperatur.
Hohe Stabilität auch bei Metallverunreinigungen
Beladung und Badlebensdauer hängen hauptsächlich von der Prozesstemperatur, dem Werkzeug und dem Extraktionsfluss ab
Selektivität
TechniEtch Al80 ist kompatibel/selektiv für folgende Materialien:
Metalle: kein Angriff auf Au, Pt
Metalle: Angriff auf Al
Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerinformationen und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt TechniEtch Al80 (MOS) englisch
Sicherheitsdatenblatt TechniEtch Al80 (MOS) deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt TechniEtch Al80 (MOS) englisch
Technische Daten:
Technische Daten TechniEtch Al80 (MOS)
Anwendungshinweise:
Nasses Ätzen englisch
Nasschemisches Ätzen deutsch
Nasses Ätzen von Metallen englisch
Nasschemisches Ätzen von Metallen deutsch
Weitere Informationen zur Verarbeitung
TechniEtch CN10 Concentrate - 2.50 l - MOS - EVE/EUD!
TPCN1025
TechniEtch™ CN10
Kupfer und Nickel Ätzmittel
Allgemeine Informationen
TechniEtch™CN10 ist ein Kupfer- und Nickelätzmittel, das eine Mischung aus Salpeter- und Phosphorsäure ist.
Der Ätzprozess sollte mit einem Zusatz von 8-16 % Wasserstoffperoxid (30 %) durchgeführt werden.
Bei 25° C beträgt die Ätzrate ca. 0,3-0,4 µm pro Minute. Ohne die Zugabe von Wasserstoffperoxid ist die Ätzrate deutlich geringer und weniger homogen.
TechniEtch CN10 (90 s RT Cu-Kernentfernung)
Produkteigenschaften
Bessere Prozesskontrollierbarkeit/-zuverlässigkeit
Hohe Stabilität auch bei Metallverunreinigungen
Selektivität
TechniEtch™CN10 ist kompatibel/selektiv für folgende Materialien:
Metalle: kein Angriff auf Ti, TiN
Metalle: Angriff auf Cu, Ni
Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerinformationen und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt TechniEtch™ CN10 (MOS) englisch
Sicherheitsdatenblatt TechniEtch™ CN10 (MOS) deutsch
TDS:
TF Technisches Datenblatt TechniEtch™ CN10 (MOS) englisch
MC Technisches Datenblatt TechniEtch™ CN10 (MOS) englisch
Mischen TechniEtch™ CN10 (MOS) englisch
Technische Daten:
Technische Daten TechniEtch™ CN10 (MOS)
Anwendungshinweise:
Nasses Ätzen englisch
Nasschemisches Ätzen deutsch
Nasses Ätzen von Metallen englisch
Nasschemisches Ätzen von Metallen deutsch
Weitere Informationen zur Verarbeitung
TechniEtch Cr01 - 2,50 l - VLSI
TCEV1025
TechniEtch Cr01
Chrom-Ätzmittel
Allgemeine Informationen
TechniEtch Cr01 ist eine gebrauchsfertige Ätzmischung auf Basis von Ammoniumnitrat und Perchlorsäure zum Ätzen von Chrom.
TechniEtch Cr01 besteht aus cerischem Ammoniumnitrat : Perchlorsäure : Wasser=10,9% : 4,25% : 84,85% mit einer Ätzrate von ca. 60 nm/Minute bei Raumtemperatur und ist in VLSI-Qualität erhältlich.
Produkt-Eigenschaften
Cr-Ätzrate bei Raumtemperatur 60-100 nm/min
Al, Ti, W, Ni @ RT von 10nm/min bis 200 nm/min
Cu, Ag, V werden stark geätzt > 200 nm/min
Au, Pd, Pt sind kompatibel
Kompatibel mit Positivton-Harz
Kann verdünnt werden, um die Cr-Ätzrate anzupassen
Selektivität
TechniEtch Cr01 ist mit den folgenden Materialien kompatibel bzw. ätzt selektiv:
Metalle: kein Angriff auf Au, Pd, Pt
Metalle: Angriff auf Cr, Fe, Mo, Ni, Al, Ti, W, Cu, Ag, V, Co, Mg, Mn, Sn
Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt TechniEtch Cr01 (VLSI) englisch
Sicherheitsdatenblatt TechniEtch Cr01 (VLSI) deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt TechniEtch Cr01 (VLSI) englisch
Technische Daten:
Technische Daten TechniEtch Cr01 (VLSI)
Anwendungshinweise:
Nasses Ätzen englisch
Nasschemisches Ätzen deutsch
Nasses Ätzen von Metallen englisch
Nasschemisches Ätzen von Metallen deutsch
Weitere Informationen zur Verarbeitung
TiW Etch 100 - 5.00 l
nbttiw1005
Bottle size:
5.00 l
TiW etch 100
Titan-Wolfram Ätzmittel
Allgemeine Informationen
TiW etch 100 wird als Ätzmittel für Titan-Wolfram Schichten verwendet. Übliche Anwendungen finden sich im Bereich der Halbleiter- oder Mikrosystemtechnik zum Ätzen von Haftschichten oder Diffusionsbarrieren.
Produkteigenschaften
Geringe Unterätzung (im Bereich der Schichtdicke), minimale Strukturgröße < 1µm
Selektivität für viele Materialien, z. B. gängige Metalle, die in der Galvanikindustrie verwendet werden
Kompatibel mit Resist masking
Selektivität
TiW etch 100 ist kompatibel/selektiv für folgende Materialien:
Resists: gängige Novolak als Maskierungsmittel Resist (z.B. AZ® Photoresist)
Metalle: kein Angriff auf Au, Pt, Ni, Cr, Sn
Metalle: Angriff auf TiW, Cu
Cu-Angriff bei längerer Einwirkung
Halbleitermaterialien: Si, SiO2, Si3N4
Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerinformationen und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details.
Ätzrate
Unter normalen Bedingungen liegt die Ätzrate bei etwa 1nm/s (bei Raumtemperatur). Die gemischte Ätzlösung ist über einen längeren Zeitraum stabil und kann je nach den Anforderungen der Anwendung mehrfach verwendet werden. Es wird empfohlen, die Lösung spätestens dann zu entsorgen, wenn sich die Ätzrate um 20% verändert hat.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt TiW etch 100 englisch
Sicherheitsdatenblatt TiW etch 100 deutsch
TDS:
Technisches Datenblatt TiW etch 100 englisch
Technisches Datenblatt TiW etch 100 deutsch
Anwendungshinweise:
Nasses Ätzen englisch
Nasschemisches Ätzen deutsch
Nasses Ätzen von Metallen englisch
Nasschemisches Ätzen von Metallen deutsch
Weitere Informationen zur Verarbeitung
TiW Etch 200 - 5.00 l
nbttiw2005
Bottle size:
5.00 l
TiW etch 200
Titan-Wolfram Ätzmittel
Allgemeine Informationen
TiW etch 200 wird als Ätzmittel für Titan-Wolfram Schichten verwendet. Übliche Anwendungen finden sich im Bereich der Halbleiter- oder Mikrosystemtechnik zum Ätzen von Haftschichten oder Diffusionsbarrieren.
Produkteigenschaften
Geringe Unterätzung (im Bereich der Schichtdicke), minimale Strukturgröße < 1µm
Selektivität für viele Materialien, z. B. gängige Metalle, die in der Galvanikindustrie verwendet werden
Kompatibel mit Resist masking
Selektivität
TiW etch 200 ist kompatibel/selektiv für folgende Materialien:
Resists: gängige Novolak als Maskierungsmittel Resist (z.B. AZ® Photoresist)
Metalle: kein Angriff auf Au, Pt, Ni, Cr
Metalle: greift TiW, Cu an
Halbleitermaterialien: Si, SiO2, Si3N4
Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details.
Ätzrate
Unter normalen Bedingungen liegt die Ätzrate bei etwa 5 nm/min (bei Raumtemperatur). Die gemischte Ätzlösung ist über einen längeren Zeitraum stabil und kann je nach Anwendungsbedarf mehrfach verwendet werden. Es wird empfohlen, die Lösung spätestens dann zu entsorgen, wenn sich die Ätzrate um 20% verändert hat.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt TiW etch 200 DE
Sicherheitsdatenblatt TiW etch 200 DE
TDS:
Technisches Datenblatt TiW etch 200 DE
Technisches Datenblatt TiW etch 200 DE
Anwendungshinweise:
Nasses Ätzen
Nasschemisches Ätzen
Nasses Ätzen von Metallen
Nasschemisches Ätzen von Metallen
Weitere Informationen zur Verarbeitung
Hydrogen peroxide 30% - 2.50 l - VLSI - PERSO+EVE/EUD!
THOV1025
Wasserstoffperoxid
H2O2
Allgemeine Informationen
H2O2 ist ein Bestandteil der Piranha-etch, RCA-1 und RCA-2 Ätzlösungen, sowie Ätzlösungen für verschiedene III/V-Halbleiter.
H2O2 (30%) ist in VLSI-Qualität erhältlich, was den üblichen Reinheitsgraden entspricht, die in der Halbleiterverarbeitung und Mikroelektronik verwendet werden.
Weitere Informationen
MSDS:
Sicherheitsdatenblatt Hydrogen Peroxide 30% (VLSI) englisch
Sicherheitsdatenblatt Wasserstoffperoxid 30% (VLSI) deutsch
Technische Daten:
Technische Daten Wasserstoffperoxid 30 % (VLSI)
Anwendungshinweise:
Nasses Ätzen englisch
Nasschemisches Ätzen deutsch
Weitere Informationen zur Verarbeitung