Si + Siliziumnitrid

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Si + Si3N4 wafer 3 inch 381 um (100) DSP B-doped

WNA30381250B1314S051

Prime Si + Si3N4 Wafer 3 Zoll, Dicke = 381 ± 25 µm, (100), 2-seitig poliert, P-Typ (Boron), 1 - 10 Ohm cm, 50 nm LPCVD Si3N4 auf beiden Seiten, 2 SEMI Flats

Lagerbestand: 15

Ab 27,50 €*

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Si + Si3N4 wafer 3 inch 381 um (100) DSP B-doped

WNA30381250B1314S151

Prime Si + Si3N4 Wafer 3 Zoll, Dicke = 381 ± 25 µm, (100), 2-seitig poliert, P-Typ (Boron), 1 - 10 Ohm cm, 150 nm LPCVD Si3N4 auf beiden Seiten, 2 SEMI Flats

Lagerbestand: 58

Ab 33,00 €*

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Si + Si3N4 wafer 3 inch 381 um (100) DSP B-doped

WNA30381250B1314S501

Prime Si + Si3N4 Wafer 3 Zoll, Dicke = 381 ± 25 µm, (100), 2-seitig poliert, P-Typ (Boron), 1 - 10 Ohm cm, 500 nm PECVD Si3N4 auf einer Seite, 2 SEMI Flats

Lagerbestand: 18

Ab 45,00 €*

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Si + Si3N4 wafer 3 inch 381 um (100) DSP B-doped

WNA30381250B1314S502

Prime Si + Si3N4 (low-stress) Wafer 3 Zoll, Dicke = 381 ± 25 µm, (100), 2-seitig poliert, P-Typ (Boron) TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, 500 nm low-stress Si3N4

Lagerbestand: 12

Ab 46,00 €*

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Si + Si3N4 wafer 3 inch 381 um (100) DSP B-doped

WNA30381250B1314SXX2

Prime Si + Si3N4 (low-stress) Wafer 3 Zoll, Dicke = 381 ± 25 µm, (100), 2-seitig poliert, P-Typ (Boron) TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, 1000 nm low-stress Si3N4, 2 SEMI Flats

Lagerbestand: 18

Ab 61,00 €*

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Si + Si3N4 wafer 4 inch 200 um (100) DSP B-doped

WNA40200105B1314S061

Prime Si + Si3N4 Wafer 4 Zoll, Dicke = 200 ± 10 µm, (100), 2-seitig poliert, P-Typ (Boron), TTV < 5 µm, 1 - 10 Ohm cm, 60 nm low-stress LPCVD Si3N4 (50 - 70 nm), 2 SEMI Flats

Lagerbestand: 53

Ab 48,00 €*

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Si + Si3N4 wafer 4 inch 325 um (100) SSP B-doped

WND40325250B1314S081

Prime Si + Si3N4 Wafer 4 Zoll, Dicke = 325 ± 25 µm, (100), 1-seitig poliert, P-Typ (Boron), TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, 80 nm stöchiometrisches LPCVD Si3N4 auf beiden Seiten, 2 SEMI Flats

Lagerbestand: 37

Ab 39,00 €*

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Si + Si3N4 wafer 4 inch 380 um (100) DSP B-doped

WNA40380155B1314S071

Prime Si + LPCVD Si3N4 Wafer 4 Zoll, Dicke = 380 ± 15 µm, (100), 2-seitig poliert, P-Typ (Boron), TTV < 5 µm, 1 - 10 Ohm cm, 75 nm Si3N4, 2 SEMI Flats

Lagerbestand: 18

Ab 44,50 €*

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Si + Si3N4 wafer 4 inch 380 um (100) DSP B-doped

WNA40380155B1314SXX1

Prime CZ-Si + Si3N4 Wafer 4 Zoll, Dicke = 380 ± 15 µm, (100), 2-seitig poliert, P-Typ (Boron) TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, 1000 nm LPCVD low-stress Si3N4 auf beiden Seiten, 2 SEMI Flats

Lagerbestand: 14

Ab 68,00 €*

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Si + Si3N4 wafer 4 inch 525 um (100) DSP B-doped

WNA40525155B1314S501

Prime Si + Si3N4 Wafer 4 Zoll, Dicke = 525 ± 15 µm, (100), 2-seitig poliert, P-Typ (Boron) TTV < 5 µm, 1 - 10 Ohm cm, 500 nm low-stress LPCVD Si3N4 auf beiden Seiten, 2 SEMI Flats

Lagerbestand: 61

Ab 50,00 €*

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Si + Si3N4 wafer 4 inch 525 um (100) SSP B-doped

WND40525250B1314SNN1

Prime Si + trocken/nass/trocken SiO2 + Si3N4 Wafer 4 Zoll, Dicke = 525 ± 25 µm, (100), 1-seitig poliert, P-Typ (Boron), 1 - 10 Ohm cm, 2000 nm SiO2 + 300 nm stöchiometrisches LPCVD Si3N4 auf beiden Seiten, 2 SEMI Flats

Lagerbestand: 6

Ab 78,00 €*

Si + Siliziumnitrid

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