Si + thermisches SiO2

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Si + dry SiO2 wafer 2 inch 279 um (100) SSP B-doped

WTD20279200B1051S051

Prime Si + trockenes SiO2 Wafer 2 Zoll, Dicke = 279 ± 20 µm, (100), 1-seitig poliert, P-Typ (Boron) TTV < 10 µm, 0.001 - 0.05 Ohm cm, 50 +/- 30 nm SiO2, 2 SEMI Flats

Lagerbestand: 227

Ab 9,50 €*

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Si + dry SiO2 wafer 2 inch 280 um (100) SSP B-doped

WTD20280200B1051S051

Prime Si + trockenes SiO2 Wafer 2 Zoll, Dicke = 280 ± 20 µm, (100), 1-seitig poliert, P-Typ (Boron) TTV < 10 µm, 0.001 - 0.05 Ohm cm, 50 +/- 30 nm SiO2, 2 SEMI Flats

Lagerbestand: 76

Ab 9,00 €*

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Si + wet SiO2 wafer 3 inch 381 um (100) SSP B-doped

WWD30381250B1314SXX1

Prime Si + nasses SiO2 Wafer 3 Zoll, Dicke = 381 ± 25 µm, (100), 1-seitig poliert, P-Typ (Boron), TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, 3000 nm SiO2, 2 SEMI Flats

Lagerbestand: 189

Ab 25,00 €*

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Si + wet SiO2 wafer 4 inch 525 um (100) DSP B-doped

WWA40525150B1314SNN2

Prime Si + trocken/nass/trocken SiO2 Wafer 4 Zoll, Dicke = 525 ± 15 µm, (100), 2-seitig poliert, P-Typ (Boron) TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, 300 nm SiO2, Flats:2

Lagerbestand: 100

Ab 22,00 €*

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Si + wet SiO2 wafer 4 inch 525 um (100) SSP As-doped

WWD40525250A1050S301

Prime Si + trocken/nass/trocken SiO2 Wafer 4 Zoll, Dicke = 525 ± 25 µm, (100), 1-seitig poliert, N-Typ (Arsen), 0.001 - 0.005 Ohm cm, 300 nm SiO2, 2 SEMI Flats

Lagerbestand: 84

Ab 19,00 €*

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Si + wet SiO2 wafer 4 inch 525 um (100) SSP B-doped

WWD40525250B1314S302

Prime Si + trocken/nass/trocken SiO2 Wafer 4 Zoll, Dicke = 525 ± 25 µm, (100), 1-seitig poliert, P-Typ (Boron) TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, 300 nm SiO2, 2 SEMI Flats

Lagerbestand: 250

Ab 17,00 €*

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Si + wet SiO2 wafer 4 inch 525 um (100) SSP B-doped

WWD40525250B1314S501

Prime Si + trocken/nass/trocken SiO2 Wafer 4 Zoll, Dicke = 525 ± 25 µm, (100), 1-seitig poliert, P-Typ (Boron) TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, 500 nm SiO2, 2 SEMI Flats

Lagerbestand: 327

Ab 16,00 €*

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Si + wet SiO2 wafer 4 inch 525 um (100) SSP P-doped

WWD40525250P1314SXX1

Prime Si + nasses SiO2 Wafer 4 Zoll, Dicke = 525 ± 25 µm, (100), 1-seitig poliert, N-Typ (Phosphor), 1 - 10 Ohm cm, 1000 nm SiO2, 2 SEMI Flats

Lagerbestand: 89

Ab 24,00 €*

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Si + wet SiO2 wafer 4 inch 525 um (100) SSP P-doped

WWD40525250P1314SXX2

Prime Si + trocken/nass/trocken SiO2 Wafer 4 Zoll, Dicke = 525 ± 25 µm, (100), 1-seitig poliert, N-Typ (Phosphor), TTV < 10 µm, 1 - 10 Ohm cm, 2280 nm SiO2 +/- 5 %

Lagerbestand: 50

Ab 42,00 €*

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Si + wet SiO2 wafer 6 inch 675 um (100) SSP P-doped

WWD6067525XP1314SXX1

Prime Si + nasses SiO2 Wafer 6 Zoll, Dicke = 675 ± 25 µm, (100), 1-seitig poliert, N-Typ (Phosphor), 1 - 10 Ohm cm, 1000 nm +/- 10 % beidseitig thermisch gewachsenes SiO2, kein zweiter Flat

Lagerbestand: 32

Ab 29,00 €*

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Square Si + wet SiO2 wafer 100x100 mm 525 um (100) SSP

W9WD10010005251000B1

Prime quadratisches Si + trocken/nass/trocken SiO2 Waferstück (100 x 100 mm), Dicke = 525 ± 25 µm, (100), 1-seitig poliert, P-Typ (Boron), 1 - 10 Ohm cm, 1000 nm nasses SiO2 (auf beiden Seiten thermisch gewachsen) Einheiten von 10 Wafern

Lagerbestand: 95

Ab 22,00 €*

Si + thermisches SiO2

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