|
MicroChemicals Silizium, Quarz-, Glas- und Fused Silica Wafer Lagerliste (Zuletzt aktualisiert am 19.04.2024 14:30 MEZ)
Andere Wafer-Typen (auch vereinzelte Wafer-Stücke) und technische Details gerne auf Anfrage: info@microchemicals.de
4 Zoll Si + SiO2 Wafer (thermisch oxidierte Wafer)
| Qual. | Material | Größe
(Zoll) | Orien-
tierung | Poliert | Dicke
(μm) | Dotierung | Widerstand
(ohm cm) | Beschichtung | # verfügbar
aktuell1/in Bälde2 | Artikel-Nummer
(zum WebShop) | |
| |
| Prime | Si + SiO2 (dry) | 4 | (100) | beidseitig | 525 ± 25 | | 10000 - 100000 | 100 nm | 38 / 38 | WTA40525250X1718S101 | | | | Prime FZ Si + dry SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 μm, (100), 2-side polished, TTV < 10 μm, 10000 - 100000 Ohm cm, 100 nm SiO2 | | | Wafer-Preis (netto): € 76.00 (5 Wafer), € 70.00 (10 Wafer), € 64.00 (25 Wafer), € 60.00 (50 Wafer), € 56.00 (100 Wafer) (ggfalls. zzgl. Verpackungs- und Versandkosten) | |
| |
| Prime | Si + SiO2 (dry) | 4 | (100) | einseitig | 525 ± 20 | Bor | 0.001 - 0.005 | 290 nm | 0 / 370 | WTD40525205B1050S291 | | | | Prime Si + dry SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 20 μm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), TTV < 5 μm, Bow/Warp < 30 μm, 0.001 - 0.005 Ohm cm, 290 nm SiO2 (+/- 7 %), particles: <10 @ 0.5 μm | | | Wafer-Preis (netto): € 36.00 (5 Wafer), € 30.00 (10 Wafer), € 23.00 (25 Wafer), € 21.50 (50 Wafer), € 20.00 (100 Wafer), € 19.00 (200 Wafer) (ggfalls. zzgl. Verpackungs- und Versandkosten) | |
| |
| Prime | Si + SiO2 (dry) | 4 | (100) | einseitig | 525 ± 20 | Bor | 0.001 - 0.005 | 290 nm | 50 / 50 | WTD40525205B1050S293 | | | | Si + dry SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 20 μm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), TTV < 5 μm, Bow/Warp < 30 μm, 0.001 - 0.005 Ohm cm, 290 nm SiO2 (+/- 7 %), !! surface shows some kind of "haze" which can be cleaned !! | | | Wafer-Preis (netto): auf Anfrage | |
| |
| Prime | Si + SiO2 (dry) | 4 | (100) | einseitig | 525 ± 25 | Arsen | 0.001 - 0.005 | 200 nm | 73 / 73 | WTD40525250A1050S201 | | | | Prime Si + dry SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 μm, (100), 1-side polished, n-type (Arsenic) TTV < 10 μm, 0.001 - 0.005 Ohm cm, 200 nm SiO2 | | | Wafer-Preis (netto): € 33.00 (5 Wafer), € 27.00 (10 Wafer), € 21.00 (25 Wafer), € 20.00 (50 Wafer), € 19.00 (100 Wafer), € 18.00 (200 Wafer) (ggfalls. zzgl. Verpackungs- und Versandkosten) | |
| |
| Prime | Si + SiO2 (dry) | 4 | (100) | einseitig | 525 ± 25 | Bor | 0.001 - 0.005 | 90 nm | 81 / 81 | WTD40525250B1050S091 | | | | Prime Si + dry SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 μm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 μm, 0.001 - 0.005 Ohm cm, 90 nm SiO2 +/- 20 %, laser marking on polished side (MCPHD002-XXX, XXX = 001-999) | | | Wafer-Preis (netto): € 36.00 (5 Wafer), € 30.00 (10 Wafer), € 23.50 (25 Wafer), € 22.00 (50 Wafer), € 20.00 (150 Wafer) (ggfalls. zzgl. Verpackungs- und Versandkosten) | |
| |
| Prime | Si + SiO2 (dry) | 4 | (100) | einseitig | 525 ± 25 | Bor | 0.001 - 0.005 | 280 nm | 411 / 411 | WTD40525250B1050S281 | | | | Prime Si + dry SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 μm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 μm, 0.001 - 0.005 Ohm cm, 285 nm SiO2 +/- 5 %, laser marking on polished side (MCPHD003-XXX, XXX = 001-999) | | | Wafer-Preis (netto): € 37.00 (5 Wafer), € 31.00 (10 Wafer), € 24.50 (25 Wafer), € 23.00 (50 Wafer), € 21.00 (150 Wafer) (ggfalls. zzgl. Verpackungs- und Versandkosten) | |
| |
| Prime | Si + SiO2 (dry) | 4 | (100) | einseitig | 525 ± 25 | Bor | 1 - 10 | 100 nm | 152 / 152 | WTD40525250B1314S102 | | | | Prime Si + dry SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 μm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 μm, 1 - 10 Ohm cm, 100 nm SiO2 | | | Wafer-Preis (netto): € 33.20 (5 Wafer), € 27.60 (10 Wafer), € 22.00 (25 Wafer), € 20.00 (50 Wafer), € 19.00 (100 Wafer) (ggfalls. zzgl. Verpackungs- und Versandkosten) | |
| |
| Prime | Si + SiO2 (dry) | 4 | (100) | einseitig | 525 ± 25 | Bor | 1 - 10 | 200 nm | 73 / 468 | WTD40525250B1314S201 | | | | Prime Si + dry SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 μm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 μm, 1 - 10 Ohm cm, 200 nm SiO2 | | | Wafer-Preis (netto): € 32.00 (5 Wafer), € 26.00 (10 Wafer), € 20.00 (25 Wafer), € 19.00 (50 Wafer), € 18.00 (100 Wafer), € 17.00 (200 Wafer) (ggfalls. zzgl. Verpackungs- und Versandkosten) | |
| |
| Prime | Si + SiO2 (dry) | 4 | (100) | einseitig | 525 ± 25 | Phosphor | 1 - 10 | 100 nm | 79 / 79 | WTD40525250P1314S101 | | | | Prime Si + dry SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 μm, (100), 1-side polished, n-type (Phosphor) TTV < 10 μm, 1 - 10 Ohm cm, 100 nm SiO2 | | | Wafer-Preis (netto): € 32.00 (5 Wafer), € 26.00 (10 Wafer), € 20.00 (25 Wafer), € 19.00 (50 Wafer), € 18.00 (100 Wafer), € 17.00 (200 Wafer) (ggfalls. zzgl. Verpackungs- und Versandkosten) | |
| |
| Prime | Si + SiO2 (dry) | 4 | (100) | einseitig | 525 ± 25 | Bor | 0.001 - 0.01 | 90 nm | 178 / 178 | WTD40525255B1011S091 | | | | Prime Si + dry SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 μm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 5 μm, 0.001 - 0.01 Ohm cm, 90 nm SiO2 | | | Wafer-Preis (netto): € 34.00 (5 Wafer), € 28.00 (10 Wafer), € 22.00 (25 Wafer), € 21.00 (50 Wafer), € 20.00 (100 Wafer), € 19.50 (150 Wafer) (ggfalls. zzgl. Verpackungs- und Versandkosten) | |
| |
| Test | Si + SiO2 (dry) | 4 | (100) | einseitig | 525 ± 25 | Bor | 0.001 - 0.005 | 280 nm | 25 / 25 | WTM40525250B1050S281 | | | | Test Si + dry SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 μm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 μm, 0.001 - 0.005 Ohm cm, 285 nm SiO2 +/- 10 %, laser marking on polished side (MCPHD003-XXX, XXX = 001-999), box has already been opened in clean room for SiO2 thickness measurements | | | Wafer-Preis (netto): auf Anfrage | |
| |
| Dummy3 | Si + SiO2 (dry) | 4 | (100) | einseitig | 525 ± 25 | Bor | 0.001 - 0.005 | 280 nm | 259 / 259 | WTV40525250B1050S281 | | | | Dummy Si + dry SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 μm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 μm, 0.001 - 0.005 Ohm cm, 285 nm SiO2 +/- 5 %, laser marking on polished side (MCPHD003-XXX, XXX = 001-999), not-particle-specified, tiny defects in the SiO2 film | | | Wafer-Preis (netto): € 20.00 (25 Wafer), € 18.00 (50 Wafer), € 16.00 (100 Wafer), € 14.00 (200 Wafer) (ggfalls. zzgl. Verpackungs- und Versandkosten). Ein mit 9 Wafern bestückter Carrier ist ebenfalls verfägbar. | |
| |
| Prime | Si + SiO2 (wet) | 4 | (100) | beidseitig | 350 ± 15 | | 10000 - 100000 | 300 nm | 17 / 17 | WWA40350150X1718SNN1 | | | | Prime FZ-Si + dry/wet/dry SiO2 wafer 4 inch, thickness = 350 ± 15 μm, (100), 2-side polished, TTV < 10 μm, 10000 - 100000 Ohm cm, 300 nm thermal SiO2 (on both sides) | | | Wafer-Preis (netto): € 74.00 (5 Wafer), € 68.00 (10 Wafer), € 62.00 (25 Wafer), € 60.00 (50 Wafer) (ggfalls. zzgl. Verpackungs- und Versandkosten) | |
| |
| Prime | Si + SiO2 (wet) | 4 | (100) | beidseitig | 525 ± 15 | Bor | 1 - 10 | 300 nm | 65 / 65 | WWA40525150B1314SNN2 | | | | Prime Si + dry/wet/dry SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 15 μm, (100), 2-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 μm, 1 - 10 Ohm cm, 300 nm SiO2 | | | Wafer-Preis (netto): € 35.20 (5 Wafer), € 29.60 (10 Wafer), € 24.00 (25 Wafer), € 23.00 (50 Wafer), € 22.00 (100 Wafer) (ggfalls. zzgl. Verpackungs- und Versandkosten) | |
| |
| Prime | Si + SiO2 (wet) | 4 | (100) | beidseitig | 525 ± 25 | Phosphor | 1 - 10 | 5000 nm | 67 / 67 | WWA40525250P1314SXX1 | | | | Prime Si + wet SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 μm, (100), 2-side polished, n-type (Phosphor), 1 - 10 Ohm cm, 5000 nm SiO2 | | | Wafer-Preis (netto): € 83.20 (5 Wafer), € 77.60 (10 Wafer), € 72.00 (25 Wafer), € 60.00 (50 Wafer), € 59.00 (100 Wafer) (ggfalls. zzgl. Verpackungs- und Versandkosten) | |
| |
| Prime | Si + SiO2 (wet) | 4 | (100) | einseitig | 525 ± 25 | Arsen | 0.001 - 0.005 | 300 nm | 221 / 221 | WWD40525250A1050S301 | | | | Prime Si + dry/wet/dry SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 μm, (100), 1-side polished, n-type (Arsenic), 0.001 - 0.005 Ohm cm, 300 nm SiO2 | | | Wafer-Preis (netto): € 32.20 (5 Wafer), € 26.60 (10 Wafer), € 21.00 (25 Wafer), € 20.00 (50 Wafer), € 19.00 (100 Wafer) (ggfalls. zzgl. Verpackungs- und Versandkosten) | |
| |
| Prime | Si + SiO2 (wet) | 4 | (100) | einseitig | 525 ± 25 | Bor | 1 - 10 | 300 nm | 90 / 506 | WWD40525250B1314S302 | | | | Prime Si + dry/wet/dry SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 μm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 μm, 1 - 10 Ohm cm, 300 nm SiO2 | | | Wafer-Preis (netto): € 32.00 (5 Wafer), € 26.00 (10 Wafer), € 20.00 (25 Wafer), € 19.00 (50 Wafer), € 18.00 (100 Wafer), € 17.00 (200 Wafer) (ggfalls. zzgl. Verpackungs- und Versandkosten) | |
| |
| Prime | Si + SiO2 (wet) | 4 | (100) | einseitig | 525 ± 25 | Bor | 1 - 10 | 500 nm | 441 / 441 | WWD40525250B1314S501 | | | | Prime Si + dry/wet/dry SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 μm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 μm, 1 - 10 Ohm cm, 500 nm SiO2 | | | Wafer-Preis (netto): € 31.20 (5 Wafer), € 25.60 (10 Wafer), € 20.00 (25 Wafer), € 18.00 (50 Wafer), € 17.00 (100 Wafer), € 16.00 (200 Wafer) (ggfalls. zzgl. Verpackungs- und Versandkosten) | |
| |
| Prime | Si + SiO2 (wet) | 4 | (100) | einseitig | 525 ± 25 | Bor | 1 - 10 | 1000 nm | 238 / 238 | WWD40525250B1314SXX1 | | | | Prime Si + SiO2 (dry/wet/dry)-Wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 μm, (100), 1-side polished, p-type (Boron) TTV < 10 μm, 1 - 10 Ohm cm, 1000 nm SiO2 | | | Wafer-Preis (netto): € 37.20 (5 Wafer), € 31.60 (10 Wafer), € 26.00 (25 Wafer), € 24.00 (50 Wafer), € 22.00 (100 Wafer), € 20.00 (200 Wafer) (ggfalls. zzgl. Verpackungs- und Versandkosten) | |
| |
| Prime | Si + SiO2 (wet) | 4 | (100) | einseitig | 525 ± 25 | Bor | 1 - 10 | 1500 nm | 337 / 337 | WWD40525250B1314SXX3 | | | | Prime Si + wet SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 μm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), 1 - 10 Ohm cm, 1500 nm SiO2 | | | Wafer-Preis (netto): € 39.20 (5 Wafer), € 33.60 (10 Wafer), € 28.00 (25 Wafer), € 27.00 (50 Wafer), € 26.00 (100 Wafer), € 25.00 (200 Wafer) (ggfalls. zzgl. Verpackungs- und Versandkosten) | |
| |
| Prime | Si + SiO2 (wet) | 4 | (100) | einseitig | 525 ± 25 | Bor | 1 - 10 | 2000 nm | 225 / 225 | WWD40525250B1314SXX6 | | | | Prime Si + dry/wet/dry SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 μm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), 1 - 10 Ohm cm, 2000 nm SiO2 | | | Wafer-Preis (netto): € 47.20 (5 Wafer), € 41.60 (10 Wafer), € 36.00 (25 Wafer), € 34.50 (50 Wafer), € 33.00 (100 Wafer), € 32.00 (200 Wafer) (ggfalls. zzgl. Verpackungs- und Versandkosten) | |
| |
| Prime | Si + SiO2 (wet) | 4 | (100) | einseitig | 525 ± 25 | Bor | 1 - 10 | 5000 nm | 70 / 70 | WWD40525250B1314SXX8 | | | | Prime Si + wet SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 μm, (100), 1-side polished, p-type (Boron), TTV < 10 μm, 1 - 10 Ohm cm, 5000 nm SiO2 | | | Wafer-Preis (netto): auf Anfrage | |
| |
| Prime | Si + SiO2 (wet) | 4 | (100) | einseitig | 525 ± 25 | Phosphor | 1 - 10 | 1000 nm | 125 / 125 | WWD40525250P1314SXX1 | | | | Prime Si + wet SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 μm, (100), 1-side polished, n-type (Phosphor), 1 - 10 Ohm cm, 1000 nm SiO2 | | | Wafer-Preis (netto): € 39.20 (5 Wafer), € 33.60 (10 Wafer), € 28.00 (25 Wafer), € 26.00 (50 Wafer), € 24.00 (100 Wafer) (ggfalls. zzgl. Verpackungs- und Versandkosten) | |
| |
| Prime | Si + SiO2 (wet) | 4 | (100) | einseitig | 525 ± 25 | Phosphor | 1 - 10 | 2280 nm | 50 / 50 | WWD40525250P1314SXX2 | | | | Prime Si + dry/wet/dry SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 μm, (100), 1-side polished, n-type (Phosphor), TTV < 10 μm, 1 - 10 Ohm cm, 2280 nm SiO2 +/- 5 % | | | Wafer-Preis (netto): € 61.00 (5 Wafer), € 55.00 (10 Wafer), € 49.00 (25 Wafer), € 46.00 (50 Wafer), € 44.00 (100 Wafer), € 42.00 (200 Wafer) (ggfalls. zzgl. Verpackungs- und Versandkosten) | |
| |
| Prime | Si + SiO2 (wet) | 4 | (100) | einseitig | 525 ± 25 | | 1000 - 100000 | 300 nm | 3 / 3 | WWD40525250X1618S301 | | | | Prime FZ Si + wet SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 μm, (100), 1-side polished, TTV < 10 μm, intrinsic (undoped) 1000 - 100000 Ohm cm, 300 nm thermal SiO2 dry/wet/dry | | | Wafer-Preis (netto): € 69.20 (5 Wafer), € 63.60 (10 Wafer), € 58.00 (25 Wafer), € 54.00 (50 Wafer), € 50.00 (100 Wafer) (ggfalls. zzgl. Verpackungs- und Versandkosten) | |
| |
| Prime | Si + SiO2 (wet) | 4 | (100) | einseitig | 625 ± 25 | Phosphor | 10 - 20 | 1000 nm | 149 / 149 | WWD40625250P1424SXX1 | | | | Prime Si + dry/wet/dry SiO2 wafer 4 inch, thickness = 625 ± 25 μm, (100), 1-side polished, n-type (Phosphor) TTV < 10 μm, 10 - 20 Ohm cm, 1000 nm SiO2 +/- 10 %, single flat 32,5 +/- 2,5 mm, no second flat | | | Wafer-Preis (netto): € 38.50 (5 Wafer), € 32.50 (10 Wafer), € 26.50 (25 Wafer), € 24.50 (50 Wafer), € 22.50 (100 Wafer), € 18.50 (300 Wafer) (ggfalls. zzgl. Verpackungs- und Versandkosten) | |
| |
| Prime | Si + SiO2 (wet) | 4 | (111) | einseitig | 525 ± 25 | Phosphor | 1 - 10 | 1000 nm | 1 / 1 | WWF40525250P1314SXX1 | | | | Prime Si + wet SiO2 wafer 4 inch, thickness = 525 ± 25 μm, (111), 1-side polished, n-type (Phosphor) TTV < 10 μm, 1 - 10 Ohm cm, 1000 nm SiO2 | | | Wafer-Preis (netto): € 37.20 (5 Wafer), € 31.60 (10 Wafer), € 26.00 (25 Wafer), € 24.00 (50 Wafer), € 22.00 (100 Wafer) (ggfalls. zzgl. Verpackungs- und Versandkosten) | |
Sie wünschen eine Preisauskunft oder ein Angebot? Senden Sie uns eine Nachricht an info@microchemicals.de mit den gewünschten Artikelnummern (die 20-stellige zeichenfolge rechts in der Tabelle) und Stückzahlen, wir melden uns umgehend bei Ihnen!
1 zum Zeitpunkt der letzten Aktualisierung dieser Liste verfügbar
2 aktuell verfügbar + bestellt (= in typ. wenigen Wochen verfügbar)
3 Weiter spezifizierte, sehr preiswerte Wafer für z. B. Belackungstests oder das Einfahren neuer Litho-Prozesse.
4 Alle (Preis-)Angaben ohne Gewähr; solange der Vorrat reicht.
5 auf Anfrage ggfalls. verfügbar innerhalb ca. 1- 2 Wochen.
Wir aktualisieren diese Liste in unregelmässigen Abständen und können keine Garantie für die Richtigkeit der Einträge geben.
|
